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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有镜像对称的端子的模块和形成该模块的方法-CN201510015486.0有效
发明人： J·D·威尔德;D·D·洛帕塔;张伟 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供具有基本上镜像对称的端子的模块和形成该模块的方法。在一个实施方式中，该模块具有第一和第二模块端子并且包括第一半导体器件，该第一半导体器件具有基本上镜像对称地布置在第一半导体器件上、并且耦合至第一半导体器件的第一共用节点的第一和第二端子。该模块还包括第二半导体器件，该第二半导体器件包括基本上镜像对称地布置在第二半导体器件上、并且耦合至第二半导体器件的第二共用节点的第三和第四端子。第一和第二端子中的至少一个耦合至第一模块端子，并且第三和第四端子中的至少一个耦合至第二模块端子。第一和第二模块端子基本上镜像对称地布置在模块上。
具有对称端子模块形成方法

[发明专利]具有镜像对称的端子的半导体器件和形成该半导体器件的方法-CN201510015478.6有效
发明人： J·D·威尔德;D·D·洛帕塔;张伟 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明提供具有基本上镜像对称的端子的半导体器件和形成该半导体器件的方法。在一个实施方式中，半导体器件包括具有控制节点和开关节点的半导体开关，开关节点耦合至半导体器件的第一和第二输出端子，第一和第二输出端子以基本上镜像对称的布置定位在半导体器件上。半导体器件还包括具有第一和第二输入节点以及输出节点的控制元件，第一和第二输入节点分别耦合至半导体器件的第一和第二输入端子，并且输出节点耦合至半导体开关的控制节点，第一和第二输入端子在半导体器件上基本上居中。
具有对称端子半导体器件形成方法

[发明专利]包括在其外围周围的栅极驱动器的半导体器件-CN201310613218.X有效
发明人： A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 -专利权人：英力股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括形成有多个横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)单元的半导体裸片，以及电耦合至所述多个LDMOS单元的金属层。半导体器件还包括多个栅极驱动器，沿着所述半导体裸片的外围定位并且通过所述金属层电耦合至所述多个LDMOS单元的栅极。
包括外围周围栅极驱动器半导体器件

[发明专利]包括耦合至解耦合器件的半导体器件的装置-CN201310613426.X在审
发明人： A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 -专利权人：英力股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种装置及其形成方法，在一个实施例中，装置包括印刷电路板和耦合至印刷电路板的半导体器件。装置还包括耦合到印刷电路板并且定位于半导体器件之下的解耦合器件。
包括耦合器件半导体器件装置

[发明专利]包括交替的源极和漏极区域以及相应的源极和漏极金属带的半导体器件-CN201310616727.8有效
发明人： A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 -专利权人：英力股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括衬底1105和在衬底1105上被形成为交替图案的多个源极“s”区域和漏极“d”区域。半导体器件还包括多个栅极1150，在多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地形成于衬底1105之上。半导体器件还包括第一多个交替的源极金属带和漏极金属带1111、1121，形成于在衬底1105上方的第一金属层中，并且与多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。
包括交替区域以及相应金属半导体器件

[发明专利]包括与其耦合的重分布层和金属柱的半导体器件-CN201310616865.6有效
发明人： A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 -专利权人：英力股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括形成有多个横向扩散金属氧化物半导体器件（“LDMOS”）单元的半导体裸片。半导体器件还包括电耦合至多个LDMOS单元的重分布层以及分布于重分布层之上并且电耦合至重分布层的多个金属柱。
包括与其耦合分布金属半导体器件

[发明专利]耐腐蚀和耐磨的装饰涂层-CN00106415.0有效
发明人： T·J·欧布里恩;I·桑;B·L·特劳特曼;B·S·布巴;D·K·梅;J·E·普里斯汤;J·G·史克;J·D·威尔德 -专利权人：莫恩股份有限公司
申请日： 2000-03-01 - 公布日： 2000-10-04 - 主分类号： C09D5/44 文献下载
摘要：一种具有除黄铜色以外的特殊装饰颜色的新的制品,例如耐腐蚀、耐磨和耐化学品侵蚀的龙头或硬件的其它制品。该制品包括一基材、涂覆在上述基材上的一或多层的耐腐蚀层和通过PVD法涂覆并由仅选自锆、铪、碳和氮的一种或多种而构成的外层。该外层提供了制品所需的除黄铜色以外的颜色、所需的耐化学品侵蚀性和耐磨性,当与水或空气接触时,该外层以与铬相似的方式钝化。
腐蚀耐磨装饰涂层

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