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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包含浮动通孔的装置以及相关系统和方法-CN202110917331.1在审
发明人：李红旗;J·A·库尔特拉;S·S·S·维格昂塔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本申请涉及包含浮动通孔的装置以及相关系统和方法。一种装置具有位于所述装置的单元层板内的存储器单元。所述装置包含所述单元层板内的功能通孔，以及所述单元层板内的一或多个浮动通孔。所述功能通孔电耦合到所述装置的导电结构，并且所述一或多个浮动通孔具有与所述装置的所述导电结构电隔离的至少一个端部。形成装置的方法可包含在单元层板中形成存储器单元，并且在邻近于所述存储器单元的电介质材料中形成浮动通孔。从所述电介质材料移除上覆掩模材料，并且在移除所述上覆掩模材料期间利用所述浮动通孔保护至少一些存储器单元免受机械损坏。电子系统可包含此类装置。
包含浮动装置以及相关系统方法

[发明专利]半导体装置的间距内通孔及相关联的装置和系统-CN202110887058.2在审
发明人：李红旗;J·A·库尔特拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置的间距内通孔以及相关联的装置和系统。在一个实施例中，所述半导体装置可包含3维3D交叉点存储器阵列。所述半导体装置还包含所述存储器阵列的存取线，所述存取线与连接到安置在所述存储器阵列下方的CMOS电路系统的间距内通孔耦合。在一些实施例中，第一存取线可与在所述存储器阵列的边界之外的第一通孔耦合，其中所述第一通孔与所述边界分隔第一距离且具有纵向于所述第一存取线的第一长度。此外，第二存取线可与在所述边界之外的第二通孔耦合，其中所述第二通孔与所述边界分隔大于所述第一距离的第二距离且具有纵向于所述第二存取线的第二长度，所述第二长度不同于所述第一长度。
半导体装置间距内通孔相关系统

[发明专利]抛光设备及抛光方法-CN201880051299.X有效
发明人：周謇;李红旗;J·A·库尔特拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：一些实施例包含一种设备，其具有经配置以抛光晶片的表面的抛光机构。所述抛光机构在抛光工艺期间将新鲜浆液转换为已用过浆液。至少一个发射器经配置以将电磁辐射引导到所述已用过浆液上或通过所述已用过浆液。至少一个检测器经配置以检测所述电磁辐射穿过所述已用过浆液的透射或所述电磁辐射从所述已用过浆液的反射。识别系统与所述至少一个检测器耦合且经配置以识别指示已达到所述抛光工艺的端点的所述已用过浆液的性质。控制电路与所述识别系统耦合且经配置以基于接收来自所述识别系统的触发信号而停止所述抛光工艺。一些实施例包含抛光方法。
抛光设备方法

[发明专利]抛光系统、抛光垫及相关方法-CN201980090599.3在审
发明人： S·巴卡姆;K-H·刘;J·A·库尔特拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本申请案涉及一种抛光系统、抛光垫及相关方法。一种化学机械抛光系统包含：可旋转头，其用于将晶片安装到其；抛光垫，其经安装到可旋转压板；及流体施配器，其用于将流体施配到所述抛光垫的表面上。所述抛光垫包含压电致动器阵列。所述化学机械抛光系统包含可操作地耦合到每一压电致动器的控制器。所述控制器测量由所述阵列的所述压电致动器输出的电压，基于所述经测量电压定性地确定所述晶片表面的形貌，且基于所述经确定形貌调整所述抛光垫的至少一个部分的攻击性。所述控制器通过在一或多个压电致动器中引发压电效应或逆压电效应以调整所述抛光垫的表面形貌来调整所述攻击性。
抛光系统相关方法

[发明专利]具有存储器结构的半导体装置和电子系统，以及相关方法-CN201811009405.6在审
发明人： A·J·汉森;J·A·库尔特拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请涉及具有存储器结构的半导体装置和电子系统以及相关方法。一种半导体装置包括存储器单元、覆在所述存储器单元的侧表面上的第一介电衬垫材料、覆在所述第一介电衬垫材料的侧表面上的高k介电材料、覆在所述高k介电材料的侧表面上的第二介电衬垫材料及覆在所述第二介电衬垫材料的侧表面上的额外介电材料。也描述一种电子系统和一种形成存储器结构的方法。
衬垫材料侧表面介电半导体装置存储器结构电子系统高k介电材料存储器单元介电材料申请

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