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[发明专利]半导体二极管以及制造方法-CN202310363834.8在审
发明人： T·R·西门尼克;J·韦耶斯;A·蒂尔克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：公开了半导体二极管和制造方法。半导体二极管包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的宽带隙半导体本体。宽带隙半导体本体包括第一pn结二极管，具有邻接第一表面的第一p掺杂区以及邻接第一表面和第二表面的第一n掺杂区。半导体二极管还包括半导体元件，半导体元件包括具有第二p掺杂区和第二n掺杂区的第二pn结二极管。半导体二极管还包括在宽带隙半导体本体和半导体元件之间的电介质结构，其使宽带隙半导体本体与半导体元件电绝缘。半导体二极管还包括阴极接触。半导体元件的带隙能量小于宽带隙半导体本体的带隙能量。阴极接触在第二表面处电连接到第一n掺杂区。第二pn结二极管的第二n掺杂区被电耦合到第一pn结二极管的第一n掺杂区。
半导体二极管以及制造方法

[发明专利]具有感测元件的半导体器件-CN202211291673.8在审
发明人： J·韦耶斯;F·希尔勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：公开了具有感测元件的半导体器件。一种半导体器件(500)包括晶体管阵列(TA)和感测焊盘(345)。晶体管阵列(TA)包括在源极电极(310)和漏极结构(130)之间并联电连接的多个晶体管单元(TC)，其中漏极结构(130)被形成在基于单晶宽带隙材料的半导体部分(100)中。由宽带隙材料形成的感测元件(400)包括被电连接在感测焊盘(345)和源极电极(310)之间的至少一个整流结。
有感元件半导体器件

[发明专利]具有补偿结构的半导体器件-CN201510246933.3有效
发明人： A·威尔梅洛斯;F·希尔勒;B·费舍尔;J·韦耶斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有补偿结构的半导体器件，包括：半导体本体，包括晶体管单元和位于漏极层和晶体管单元之间的漂移区。漂移区包括补偿结构。在耗尽电压之上，第一输出电荷梯度偏离第二输出电荷梯度小于5％，通过将漏极源极电压从耗尽电压增加至最大漏极源极电压而获取第一输出电荷梯度，通过将漏极源极电压从所述最大漏极源极电压减小至耗尽电压而获取第二输出电荷梯度。在耗尽电压处，第一输出电荷梯度呈现最大曲率。
具有补偿结构半导体器件

[发明专利]半导体器件、电子电路以及用于切换高电压的方法-CN201410392089.0有效
发明人： J·韦耶斯;F·希尔勒;A·毛德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件、电子电路和方法。半导体器件包括半导体主体；至少一个晶体管单元，包括源极区、漂移区、将源极区与漂移区分开的主体区、以及在半导体主体中的漏极区、以及由栅极电介质与主体区介电绝缘的栅极电极；源极节点，连接至源极区和主体区；接触节点，与主体区和漏极区间隔开，以及电连接至漏极区；以及整流器元件，在接触节点和源极节点之间形成。
半导体器件电子电路以及用于切换电压方法

[发明专利]高电压半导体开关以及用于切换高电压的方法-CN201410389868.5有效
发明人： J·韦耶斯;F·希尔勒;A·毛德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种高电压半导体开关以及用于切换高电压的方法。一种高电压半导体开关，包括第一场效应晶体管，其具有源极、漏极和栅极，并且适于以额定高电压水平切换电压，该第一场效应晶体管是常关断型增强模式晶体管；第二场效应晶体管，其有源极、漏极和栅极，其与该第一场效应晶体管串联连接，该第二场效应晶体管是常导通型耗尽模式晶体管；以及控制单元，其连接至该第一场效应晶体管的漏极和该第二场效应晶体管的栅极，并且可操作用于在跨第一场效应晶体管的漏极‑源极电压超过额定高电压水平的情况下阻断该第二场效应晶体管。
电压半导体开关以及用于切换方法

[发明专利]具有可控击穿电压的二极管-CN201210460506.1在审
发明人： F·希尔勒;J·韦耶斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及具有可控击穿电压的二极管。公开了一种二极管。二极管的实施例包括半导体本体、第一导电类型的第一发射极区域、第二导电类型的第二发射极区域以及被布置在第一与第二发射极区域之间且具有比第一和第二发射极区域更低的掺杂浓度的基极区域。二极管进一步包括仅仅被电耦合到第一发射极区域的第一发射极电极、与第二发射极区域电接触的第二发射极电极以及包括第一控制电极部和被布置在第一控制电极部与半导体本体之间的第一介电层的控制电极装置。至少一个pn结延伸到第一介电层或者被布置成距离第一介电层小于250nm。
具有可控击穿电压二极管