“I·Y·汉德罗斯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶片级老化和测试-CN200610105697.4无效
发明人： I·Y·汉德罗斯;D·V·佩德森 -专利权人：佛姆法克特股份有限公司
申请日： 1997-05-15 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G01R1/02 文献下载
摘要：对半导体器件进行晶片级老化和测试的技术包括具有诸如ASIC等安装到互连衬底或安装在其中的有源电子元件的测试衬底、在ASIC和被测试晶片(WUT)上的多个被测试器件(DUT)之间实行互连的金属弹性接触元件，它们都被置于真空容器中，从而可在与DUT的老化温度无关或明显低于该温度的温度下操作ASIC。弹性接触元件可以安装到DUT或ASIC，且可成扇形发散以放宽使ASIC和DUT对准和互连的公差限制。由于ASIC能在相对少的信号线上接收来自主控制器的多个用于测试DUT的信号，并在ASIC和DUT之间相对多的互连上传播这些信号，所以互连的数目明显减少，继而简化了互连衬底。ASIC还可响应于来自主控制器的控制信号产生这些信号中的至少一部分。还描述了具体对准技术。在ASIC的正面微切削加工而成的凹痕保证了俘获弹性接触元件的自由端。ASIC背面及互连衬底正面经微切削加工而成的特征有利于使支撑衬底上的多个ASIC精确对准。
晶片老化测试

[发明专利]用于微电子互连元件的接触端头结构-CN200510071266.6无效
发明人： T·H·道兹尔;B·N·艾尔德里格;I·Y·汉德罗斯;G·L·马思乌;S·A·泰勒 -专利权人：福姆法克特公司
申请日： 1997-05-15 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01R12/30 文献下载
摘要：接触端头结构被制备在牺牲衬底上，以便以后连接至互连元件，互连元件包括复合互连元件、单体互连元件、探针板的钨针、膜板探针的接触凸台以及类似元件。端头结构之间的空间关系可按照平版印刷方式以很高精度公差界定。端头结构的冶金术与要通过铜焊、镀敷或类似方法连接的互连元件的冶金术无关。接触端头结构可以容易地形成拓扑(小的、精确的、凸出的、非平面的)接触结构，例如呈截棱锥形，以便此后更好地压接式电连接至电子元件的端子。本申请描述了细长的接触端头结构，其在使用时起到弹性接触元件的作用，因此不需要连接至弹性接触元件。总体上讲，本发明的目的是制造(预制备)较“精确”的接触端头结构(“端头”)并且将它们连接至较“不精确”的互连元件，以改进最终形成的“带端头的”互连元件的总体能力。
用于微电子互连元件接触端头结构

[发明专利]利用牺牲基片制作互连件和接点-CN96195559.7无效
发明人： I·Y·汉德罗斯;B·N·艾尔德里格;G·L·马泰乌 -专利权人：福姆法克特公司
申请日： 1996-05-24 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：首先可将一些互连元件(752)和/或一些互连元件(752)的接点结构(770)制备在牺牲基片(702)上，以便随后固定到电子零件(784)上。这样，在制备过程中电子零件(784)就不会“处于危险”之中。该牺牲基片(702)在互连元件(752)之间建立了一预定的间隔关系，这些互连元件可以是以较软的细长件(752)为芯并有一较硬(弹性材料)涂层(754)的复合互连元件(752)。互连元件(752)可以制备在接点结构(770)上，也可首先固定到电子零件(784)和这接点结构(770)上，这接点结构是与互连元件(752)的自由端相连接的。本发明还介绍了做成悬臂式的接点结构(770)。
利用牺牲制作互连接点

[发明专利]微电子弹性接触元件-CN97190567.3无效
发明人： B·N·艾尔里格;I·Y·汉德罗斯;G·L·马思乌;D·V·佩德尔森 -专利权人：福姆法克特公司
申请日： 1997-05-15 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：在衬底的表面上淀积掩模层，并确定掩模层中的开口，再把至少一层金属材料淀积到开口中以制作弹性接触元件，而所述衬底可以是电子元件，例如有源半导体器件。每个弹性接触元件都具有一基端，一接触端和主体部分。该接触端在Z-轴方向偏移(在不同高度)并至少在X和Y方向中一个方向偏离该基端。用这种方法，就可以在该衬底上制作彼此之间具有规定的空间关系的大量弹性接触元件。该弹性接触元件可以制成与其它电子元件的端子暂时(即：压力)或永久(例如：可以用焊接或钎焊或用导电粘合剂)的连接，以实现它们之间的电连接。在一典型的应用中，该弹性接触元件配置在位于半导体晶片上的半导体器件上，以制成与该半导体器件的暂时连接，用于老化和/或试验该半导体器件。
微电子弹性接触元件

[发明专利]通过适度热处理金属沉积物制造材料性能得到改善的结构的方法-CN98810843.7无效
发明人： J·K·W·陈;B·N·埃尔德里奇;T·H·多齐尔;J·J·叶;G·J·赫尔曼;I·Y·汉德罗斯 -专利权人：佛姆法克特股份有限公司
申请日： 1998-06-11 - 公布日： 2000-12-27 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：以优选的型材沉积金属,包括在部件(204)或孤立的材料(300)上涂层(206)、和后续的热处理(106),可以提供改善了的力学性能。该方法尤能提供屈服强度较高的制品。这些制品常常具有较高的弹性模量、热稳定性,并可在远高于25℃的温度下保持高屈服强度。该技术包括在所选定的添加剂存在条件下沉积材料(206),接着对沉积材料进行适度的热处理(106)。这种适度热处理与其他经常使用的“消除应力”热处理不同,它使用较低温度和/或较短时间,只要足以使材料重组成所要求的新形式就可以。例如涂覆并热处理弹簧状的细长元件,能提供适于电子学应用的弹性导电触点(212,920,1060)。
通过适度热处理金属沉积物制造材料性能得到改善结构方法

[发明专利]晶片级老化和测试-CN97196465.3无效
发明人： I·Y·汉德罗斯;D·V·佩德森 -专利权人：佛姆法克特股份有限公司
申请日： 1997-05-15 - 公布日： 1999-08-11 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：对半导体器件进行晶片级老化和测试的技术包括具有诸如ASIC等安装到互连衬底或安装在其中的有源电子元件的测试衬底、在ASIC和被测试晶片(WUT)上的多个被测试器件(DUT)之间实行互连的金属弹性接触元件,它们都被置于真空容器中,从而可在与DUT的老化温度无关或明显低于该温度的温度下操作ASIC。弹性接触元件可以安装到DUT或ASIC,且可成扇形发散以放宽使ASIC和DUT对准和互连的公差限制。由于ASIC能在相对少的信号线上接收来自主控制器的多个用于测试DUT的信号,并在ASIC和DUT之间相对多的互连上传播这些信号,所以互连的数目明显减少,继而简化了互连衬底。ASIC还可响应于来自主控制器的控制信号产生这些信号中的至少一部分。还描述了具体对准技术。在ASIC的正面微切削加工而成的凹痕保证了俘获弹性接触元件的自由端。ASIC背面及互连衬底正面经微切削加工而成的特征有利于使支撑衬底上的多个ASIC精确对准。
晶片老化测试

[发明专利]用于微电子互连元件的接触端头结构及其制造方法-CN97190558.4无效
发明人： T·H·道兹尔;B·N·艾尔德里格;I·Y·汉德罗斯;G·L·马思乌;S·A·泰勒 -专利权人：福姆法克特公司
申请日： 1997-05-15 - 公布日： 1998-09-30 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：接触端头结构被制备在牺牲衬底上,以便以后连接至互连元件,互连元件包括复合互连元件、单体互连元件、探针板的钨针、膜板探针的接触凸台以及类似元件。端头结构之间的空间关系可按照平版印刷方式以很高精度公差界定。端头结构的冶金术与要通过铜焊、镀敷或类似方法连接的互连元件的冶金术无关。接触端头结构可以容易地形成拓扑(小的、精确的、凸出的、非平面的)接触结构,例如呈截棱锥形,以便此后更好地压接式电连接至电子元件的端子。本申请描述了细长的接触端头结构,其在使用时起到弹性接触元件的作用,因此不需要连接至弹性接触元件。总体上讲,本发明的目的是制造(预制备)较‘精确’的接触端头结构(“端头”)并且将它们连接至较‘不精确’的互连元件,以改进最终形成的“带端头的”互连元件的总体能力。
用于微电子互连元件接触端头结构及其制造方法

[发明专利]带状芯互连元件-CN96195738.7无效
发明人： I·Y·汉德罗斯;T·H·多兹尔;B·N·艾尔德里格;W·G·加赖;L·M·格坦 -专利权人：福姆法克特公司
申请日： 1996-05-28 - 公布日： 1998-08-26 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：用于电子元件(556)的互连元件(550)显示合乎需要的力学特性(如弹性),通过将一种软材料(如金或软铜)制成的带状芯元件(552)成型为具有一种有弹性的形状(其中包括悬臂梁、S型、U型),并用一种硬材料(558)如镍及其合金给已成型的芯元件涂层,以赋予所得到的复合互连元件(550)一种所希望的弹簧(弹性)特性的方法形成此互连元件,以便产生压力接触。一种具有优越的电特性(如导电性和/或可焊性)的材料(220)的涂层可以施加到该复合互连元件(200)上。所得到的互连元件(500,550)可以安装到各种电子元件上。
带状互连元件

1
共 8 条