“I·亨尼格”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电磁波吸收材料-CN202180080134.7在审
发明人： E·古贝尔斯;P·埃贝克;I·亨尼格 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C08K7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种电磁毫米波吸收材料，其优选具有大于1Ωcm的体积电阻率，含有长径比(长度：直径)为至少5的第一导电材料的实心颗粒，长径比(长度：直径)小于5的第二导电材料的颗粒和不导电聚合物，其中吸收材料优选能够吸收在60GHz至200GHz频率区域中的电磁波，并且其中所述电磁毫米波吸收材料包含基于所述吸收材料的总量计，30重量％至93重量％的不导电聚合物、6.5重量％至10重量％的第一导电材料、0.5重量％至0.9重量％的第二导电材料和0重量％至59.1重量％的一种或多种添加剂。本发明还涉及其用途和吸收的方法，以及包含所述吸收材料的传感器装置。
电磁波吸收材料

[发明专利]电活性聚合物-CN201980025391.3有效
发明人： F·博克尔;J·吉尼根;I·亨尼格 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C08G18/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含聚氨酯的组合物，所述聚氨酯为以下组分的反应产物：多异氰酸酯、多元醇C1和多元醇C2、扩链剂，最终在催化剂的存在下，最终所述组合物包含助剂，其中多元醇C为聚硅氧烷。
活性聚合物

[发明专利]孪生单体组合物及其介电膜-CN202080044557.9在审
发明人： S·奇霍尼;J-P·B·林德纳;D·勒夫勒;Y·伯克;I·亨尼格;L·B·亨德森;B·格克;R·德奥利维拉;V·博伊科;F·皮龙 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C07F7/04 文献下载
摘要：一种包含通式M1的孪生单体的组合物，其中：M为元素周期表第3或4主族的金属或半金属；XM1、XM2各自为O；RM1、RM2相同或不同，各自为‑CRaRb‑Ar‑O‑Rc；Ar为C6‑C30碳环体系；Ra、Rb相同或不同，各自为H或C1‑C6烷基；Rc为C1‑C22烷基、苄基或苯基；q根据M的价态和电荷为0或1；XM3、XM4相同或不同，各自为O、C6‑C10芳基或‑CH2‑；RM3、RM4相同或不同，各自为RM1、H、C1‑C22烷基或选自聚亚烷基、聚硅氧烷或聚醚的聚合物。
孪生单体组合及其介电膜

[发明专利]电磁波吸收材料-CN202080041480.X在审
发明人： E·古贝尔斯;I·亨尼格;M·舍默;P·埃贝克 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C08K3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种电磁毫米波吸收材料，其优选具有大于1Ωcm的体积电阻率，含有长径比(长度:直径)为至少5的第一导电材料的固体颗粒，长径比(长度:直径)小于5的第二导电材料的颗粒和不导电聚合物，其中吸收材料能够吸收在60GHz或更高的频率区域中的电磁波。本发明还涉及其用途和吸收的方法，以及包含所述吸收材料的传感器装置。
电磁波吸收材料

[发明专利]电磁波透射降低材料-CN202080041507.5在审
发明人： E·古贝尔斯;I·亨尼格;P·埃贝克;M·舍默 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C08K3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种电磁毫米波透射降低材料，优选具有大于1Ωcm的体积电阻率，包含至少导电、磁性或介电材料的颗粒和不导电聚合物，其中该透射降低材料能够降低60GHz或更高的频率区域中的电磁波的透射。本发明还涉及其用于降低透射的用途和方法，以及一种包含所述透射降低材料的电子器件。
电磁波透射降低材料

[发明专利]光学传感器、用于选择光学传感器的方法和用于光学检测的检测器-CN202080021045.0在审
发明人： W·赫尔梅斯;S·瓦鲁施;S·穆勒;R·赫;H·贝克特尔;T·阿尔腾贝克;F·迪特曼;B·福伊尔施泰因;T·胡普福尔;A·汉德瑞克;R·古斯特;P·P·卡莱塔;R·森德;H·魏因多克;I·亨尼格;S·古里亚诺瓦 -专利权人：特里纳米克斯股份有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括堆叠(125)的光学传感器(110)。所述堆叠(125)具有：衬底(124)，应用到所述衬底(124)的至少一个光电导材料(114)的层(112)，以及覆盖所述光电导材料(114)的可及表面的盖(116)，以及接触所述光电导材料(114)的层(112)的至少两个电接触(136，136')。所述光学传感器在所述堆叠的准静态纳米压痕仪测量中，展现出杨氏模量·在100nm的穿透深度处为75GPa至107GPa·在300nm的穿透深度处为47GPa至127GPa·在1000nm的穿透深度处为49GPa至119GPa，以及硬度·在100nm的穿透深度处为1.20GPa至4.70GPa，·在300nm的穿透深度处为1.60GPa至4.60GPa，以及·在1000nm的穿透深度处为1.60GPa至8.00GPa，所述光学传感器(110)在长时间内展现出高性能和稳定性。所述光学传感器(110)特别地被设计用于作为安全相关设备的应用，诸如气体传感器、火花传感器、或火焰传感器，以及在安全技术领域中。
光学传感器用于选择方法检测检测器

[发明专利]制备模塑体的方法-CN201580019083.1有效
发明人： L·吉梅内斯加西亚;K·迈克尓;I·亨尼格;K·C-P·查;M·G·施瓦布 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C08J5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种导电的模塑体以及由颗粒和/或纤维状基材制备其的方法。
制备模塑体方法

1
共 7 条