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[发明专利]封装内存储器裸片通信结构-CN202310419196.7在审
发明人： H·吉杜图里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本申请涉及封装内存储器裸片通信结构。一种经封装存储器装置可包含初级存储器裸片，所述初级存储器裸片耦合到共享封装内通信总线且使用主机接口总线耦合到外部主机装置，且所述主机接口总线可包含主机时钟信道。所述存储器装置可包含多个次级裸片，所述多个次级裸片耦合到所述封装内通信总线，且所述次级裸片中的每一者可配置成使用所述封装内通信总线从所述初级存储器裸片接收相同消息。所述初级存储器裸片可使用所述封装内通信总线向所述次级裸片中的特定一者发送第一消息，或从所述次级裸片中的特定一者接收第一消息，且所述第一消息可包含专门指示所述次级裸片中的所述特定一者的第一芯片识别字段。
封装内存储器通信结构

[发明专利]存储器装置中基于斜变的偏置-CN202180052420.2在审
发明人： H·吉杜图里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：方法和系统包含具有布置成阵列(130)以形成多个相交点的多个存取线(104、106)的存储器装置(100)。存储器单元(102)位于多个存取线(104、106)的所述相交点处。解码器(108、110)配置成经由多个存取线(104、106)驱动多个存储器单元(102)。可变偏置电路系统(152、154)可偏置所述多个存取线(104、106)中的存取线上的电压以改变所述存取线(104、106)上的所述电压的可变斜变速率。控制电路(122)配置成确定所述多个存储器单元(102)中待激活的存储器单元。至少部分地基于从所述存储器单元(102)到对应解码器(108、110)的距离(ED)，控制电路(122)可设置所述偏置电路系统(152、154)的所述可变斜变速率。
存储器装置基于偏置

[发明专利]消除阈值电压漂移的存储器单元编程-CN202180052001.9在审
发明人： H·吉杜图里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开包含用于消除阈值电压漂移的存储器单元编程的设备、方法和系统。实施例包含具有多个存储器单元的存储器以及电路系统，所述电路系统经配置以通过以下方式将所述多个存储器单元中的存储器单元编程到两个可能的数据状态中的一者：将第一电压脉冲施加于所述存储器单元，其中所述第一电压脉冲具有第一极性和第一量值；以及将第二电压脉冲施加于所述存储器单元，其中所述第二电压脉冲具有与所述第一极性相反的第二极性和可大于所述第一量值的第二量值。
消除阈值电压漂移存储器单元编程

[发明专利]用于极性写入存储器单元的可变极性读取操作-CN202180015632.3在审
发明人： I·托尔托雷利;H·吉杜图里;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明描述用于极性写入存储器单元的可变极性读取操作的方法、系统及装置。存储器单元可经编程以基于施加具有不同极性的写入电压到所述存储器单元而存储不同逻辑值。存储器装置可基于施加读取电压到所述存储器单元来读取所述逻辑值，且所述读取电压的所述极性可发生变化，使得至少一些读取电压具有一个极性，且至少一些读取电压具有另一极性。所述读取电压极性可随机地或根据型式发生变化，且可通过所述存储器装置或通过所述存储器装置的主机装置来控制。
用于极性写入存储器单元可变读取操作

[发明专利]存储器装置的解码器架构-CN202111433193.6在审
发明人： F·贝代斯基;J·E·克林;H·吉杜图里;R·穆泽托;C·维拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请针对存储器装置的解码器架构。一种设备包含：存储器阵列，其具有存储器单元和与所述单元耦合的存取线；及解码器，其具有第一级和第二级。所述解码器在第一存取操作期间向所述存取线供应第一电压并在第二存取操作期间向所述存取线供应第二电压。所述解码器的所述第二级包含第一晶体管，其基于所述第一晶体管的所述源极处的第三电压超过所述第一晶体管的栅极处的第四电压和第一阈值电压而供应所述第一电压。所述第二级包含第二晶体管，其基于所述第二晶体管的栅极处的第五电压超过所述第二晶体管的所述源极处的第六电压和第二阈值电压而供应所述第二电压。
存储器装置解码器架构

[发明专利]每位使用多个单元的存储器装置架构-CN202111156117.5在审
发明人： J·M·麦克拉特;R·J·格莱舍内尔;H·吉杜图里;R·古德西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请案涉及一种每位使用多个单元的存储器装置架构。实施例涉及一种通过将两个物理存储器单元组合成单个逻辑位来允许分界读取电压的较低精度的架构。可将倒数二进制值写入到组成存储器对的所述两个存储器单元中。当使用偏置电路系统及地址解码器激活时，所述存储器单元对创建具有可经比较以检测差分信号的电流的电流路径。实施例涉及写入及读取存储器单元对。
每位使用单元存储器装置架构

[发明专利]用于阈值电压变动系统及方法的存储器循环跟踪-CN202111213354.0在审
发明人： H·吉杜图里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请案涉及用于阈值电压变动系统及方法的存储器循环跟踪。存储器系统可包含用于存储逻辑数据的多个存储器单元及用于跟踪与所述存储器单元相关联的循环数目的循环跟踪电路系统。所述循环可表示所述存储器单元的一或多个过去存取。所述存储器系统还可包含用于存取所述存储器单元的控制电路系统。对所述存储器单元的存取可包含读取操作、写入操作或两者。在所述存储器单元的所述存取期间，所述控制电路系统可至少部分基于所述被跟踪循环数目确定所述存取的电压参数。
用于阈值电压变动系统方法存储器循环跟踪

[发明专利]阈值电压漂移跟踪系统和方法-CN202111036953.X在审
发明人： H·吉杜图里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及阈值电压漂移跟踪系统和方法。一种系统可包含用以存储逻辑数据的多个存储器单元、用以跟踪自从特定存储器单元的前一存取以来的时间的年龄跟踪电路系统，和用以存取所述存储器单元的控制电路系统。此类存取可包含所述存储器单元的读取操作、到所述存储器单元的写入操作或这两者。所述控制电路系统可至少部分地基于自从所述存储器单元的所述前一存取以来的所跟踪时间确定所述存储器单元的电参数。
阈值电压漂移跟踪系统方法

[发明专利]用于电气距离的被动补偿-CN202110479264.X在审
发明人： J·F·施雷克;H·吉杜图里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请案涉及用于电气距离的被动补偿。一种存储器装置的架构可利用针对存储器单元的传输路径电阻补偿方案，以减小存取存储器单元时寄生负载的影响。此存储器装置的存储器单元可经历包含与所述存储器单元的相应存取线相关联的传输路径电阻和附加补偿电阻在内的总电阻。前述存储器装置可利用尖峰缓解方案来缓解电压和/或冲击电流对所述存储器装置的附近存储器单元的有害影响。另外，尖峰缓解电路可包含耦合相应解码器附近的存取线上的电阻器。此外，尖峰缓解电路可包含耦合所述解码器之间的电阻器。
用于电气距离被动补偿

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