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[发明专利]数字温度补偿滤波-CN202210090186.9在审
发明人： H·钦;华-玲·辛西娅·许;赵伟;张方林 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本文中所公开的技术解决非易失性存储器系统中的温度影响。控制电路配置成感测所述存储器系统的当前温度，且通过基于温度补偿值修改一或多个读取/验证/编程/擦除参数而读取、验证、编程以及擦除非易失性存储器单元中的数据。所述控制电路进一步配置成通过存取存储于所述存储器系统中的历史温度值而读取、验证、编程以及擦除数据，所述历史温度值包括发生先前读取、验证、编程或擦除的温度，且测量当前温度值。所述控制电路通过应用平滑函数来确定所述温度补偿值。所述平滑函数通过基于相对于阈值的所述历史温度值与所述当前温度之间的差而选择所述历史温度值或所述当前温度值作为所述温度补偿值，或基于利用所述当前温度值和所述历史温度值的平滑函数而计算与所述当前温度值或所述历史温度值不同的所述温度补偿值来确定所述温度补偿值。
数字温度补偿滤波

[发明专利]用于非易失性存储器的字线分区自适应初始编程电压-CN202210122052.0在审
发明人： E·彭佐;陈汉平;H·钦 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种设备，所述设备包含：多个字线，其包含多个字线区；多个非易失性存储器单元，其耦合到所述多个字线；以及控制电路，其耦合到所述非易失性存储器单元。所述控制电路被配置成确定用于所述字线区中的每一个的对应初始编程电压。每一对应初始编程电压是基于编程擦除循环的数目确定的。
用于非易失性存储器分区自适应初始编程电压

[发明专利]非易失性存储器的程序循环中的下一状态验证的触发-CN202210126652.4在审
发明人：徐华玲;H·钦;陈汉平;E·彭佐;张方林 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：描述了在基于数据模式的编程期间对存储器单元进行编程和控制位线放电方案的设备和方法。存储器控制器可基于SLC脉冲数目和TLC数据完成信号而预测编程数据模式，且使用这些信号来调整禁止位线可以放电的时间。一旦TLC编程操作具有多于一个数据，所述存储器控制器就使EQVDDSA_PROG与VDDSA相等，且接着放电。在SLC编程中，所述存储器控制器将仅在第一编程脉冲中启用EQVDDSA_PROG，此后停用所述EQVDDSA_PROG。
非易失性存储器程序循环中的状态验证触发

[发明专利]通过循环相关的电压斜坡目标和定时控制进行的峰值电流和编程时间优化-CN202110683955.1在审
发明人：王彦杰;H·钦;梁癸容;吴建志 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种装置，该装置包括多个固态存储元件、耦接到多个固态存储元件的多个控制线以及与多个控制线通信的控制电路。该控制电路被配置为在控制线预充电阶段的第一时段期间，至少部分地基于与控制线的编程状态相关联的预测寄生电容，使用经调节的充电电流对多个控制线中的一个或多个未选择的控制线充电一定的时间段，并且在控制线预充电阶段的第二时段期间，使用未调节的充电电流将一个或多个未选择的位线充电至禁止电压电平。
通过循环相关电压斜坡目标定时控制进行峰值电流编程时间优化

[发明专利]控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰-CN202180006669.X在审
发明人： A·N·扎努丁;H·钦;袁家辉 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：描述了用于通过减小沟道梯度和到存储器单元的电荷注入来减小存储器设备中的读取干扰的装置和技术。在读取选定NAND串中的存储器单元之前，未选定NAND串的沟道被升压。该升压涉及在漏极侧选择栅极晶体管接通然后关断并且选定字线WLn的非相邻字线的电压信号增大到读取通过电压的同时，将正电压施加到该未选定NAND串的源极端和漏极端。WLn的相邻字线的电压信号：增大到峰值电平以增强沟道导电来更快读取，其中该峰值电平小于该读取通过电压；减小到降低的电平以减小沟道梯度，并且因此减小读取干扰；然后增大到该读取通过电压。
控制电压减小存储器设备中的读取干扰

[发明专利]编程期间通过经由基板注入空穴的NAND串预充电-CN202080080017.6在审
发明人：陈汉平;赵伟;H·钦 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明描述了用于在编程操作的预充电阶段中对NAND串沟道进行预充电的装置和技术。在一个方面，在NAND串的源极端处使用空穴型预充电过程，其中NAND串的底部连接到基板的p阱。通过将正电压施加到p阱，并且将较低电压诸如0V或负电压施加到源极侧选择栅极晶体管和存储器单元，将来自p阱的空穴注入沟道中。在另一种方法中，空穴型预充电过程和电子型预充电过程在单独的时间段内依次使用。在另一种方法中，在NAND串的源极端处使用空穴型预充电过程，而在NAND串的漏极端处使用电子型预充电过程。
编程期间通过经由注入空穴 nand 充电

[发明专利]对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持-CN202080081488.9在审
发明人：陈汉平;H·钦;A·巴拉斯卡尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开描述了用于对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持的技术。在一个方面，在相邻的稍后编程的字线WLn+1的存储器单元的编程之后，字线WLn的存储器单元被重新编程。该重新编程可限于邻近WL+1的较低状态存储器单元的WLn的较低状态存储器单元。在该重新编程中使用的编程脉冲量值可针对该WLn存储器单元和该相邻的WLn+1存储器单元的数据状态进行定制。在一些情况下，可将该编程脉冲量值分组以减小具体实施的复杂性和时间。在初始编程操作已经完成之后，在控制电路的空闲时间期间，该重新编程可进行。
存储器单元进行重新编程紧缩阈值电压分布改善数据保持

[发明专利]用于对存储器装置进行编程的改进的验证方案-CN202080007121.2在审
发明人： H·钦;A·巴拉斯卡尔;卢庆煌 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括耦接到控制电路的存储器单元。该控制电路被配置为执行第一编程阶段，该第一编程阶段包括将存储器单元中的每个存储器单元迭代地编程为第一程序状态，并且验证存储器单元具有高于与第一程序状态相对应的多个第一验证电压中的一个第一验证电压的阈值电压。该第一编程阶段在存储器单元全部被验证之前结束，从而使存储器单元的一部分低于多个第一验证电压中的一个第一验证电压。该控制电路还执行第二编程阶段，该第二编程阶段包括将存储器单元中的每个存储器单元迭代地编程为第二程序状态，并且验证存储器单元中的至少预定数量的存储器单元具有高于与第二程序状态相对应的多个第二验证电压中的一个第二验证电压的阈值电压。
用于存储器装置进行编程改进验证方案

[发明专利]检测存储器设备中字线与源极线之间的短路及恢复方法-CN201980080218.3在审
发明人：卢庆煌;H·钦;陈建 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本发明描述了用于检测存储器设备中字线和源极线之间短路的技术，以及用于从此类短路恢复的方法。在一个方面，当选定的字线在异常低数量的编程循环之后完成编程时，在编程操作中检测短路。执行进一步检查以确认存在短路。然后擦除短路字线并对先前编程的字线执行恢复读取。在另一方面，在读取操作中检测到短路。
检测存储器设备中字线源极线之间短路恢复方法

[发明专利]提供针对多芯片封装的热参数报告的装置和方法-CN202011188397.3在审
发明人： T·托马斯;R·A·施坦布雷歇尔;S·阿胡贾;M·伯克托尔德;T·Y·卡姆;H·钦;P·K·坎杜拉;K·V·西斯特拉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：在实施例中，一种处理器包括至少一个核和功率管理逻辑。所述功率管理逻辑要从包括处理器的封装内的多个管芯接收温度数据，以及确定多个温度控制裕度中的最小温度控制裕度。每一个温度控制裕度要基于与管芯相关联的相应热控制温度以及还基于与管芯相关联的相应温度数据而确定。所述功率管理逻辑还要生成热报告，所述热报告要包括最小温度控制裕度；以及存储热报告。描述并要求保护其他实施例。
提供针对芯片封装参数报告装置方法

[发明专利]外部微代码-CN00819242.1无效
发明人： H·钦;G·坦加杜赖 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2000-12-29 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G06F9/24 文献下载
摘要：本发明的某些实施方案包括一个计算机系统，这一计算机系统包括总线、处理器、以及处理器之外的计算机可读介质。计算机可读介质通过总线耦合于处理器，并存储可实现微代码功能的指令。本发明的某些其它实施方案包括一种把固件用作微代码的方法。该方法包括把编程的代码存储在固件中，并执行编程的代码。该方法还包括更新与处理器上的一个逻辑单元相关联的一个或多个寄存器，以响应对编程的代码的执行，并根据存储在寄存器中的一个值控制处理器上的逻辑单元的一个或多个功能。
外部代码

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