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[发明专利]无源电子纸成像-CN201580084258.7有效
发明人： O·吉拉;N·J·莱奥尼;H·比雷基 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：用于无源电子纸显示器的成像设备包括擦除头，所述擦除头用于以第一极性发射离子，其后跟着在第一时间段之后以相反的第二极性发射离子。无源电子纸显示器可相对于擦除头以间隔开的关系安装在支承件上，并且通过其，所发射的离子可接收到无源电子纸显示器的基本整个表面上。在离子从擦除头的发射期间的至少一些时间在支承件和擦除头之间发生相对移动。
无源电子成像

[发明专利]用于可重写显示介质的带驱动器-CN201580084260.4有效
发明人： N·J·莉奥妮;C·周;H·比雷基;O·吉拉 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：带驱动器包括带和在第一方向上延伸并限定间隙的至少一对间隔开的轨道。带与间隙对齐并且以环形环路驱动，其中带包括在轨道的第一侧上的在间隙外部的第一可移动部分和在轨道的相对的第二侧上的被偏置成凹入在间隙内的第二可移动部分。可重写显示介质可释放地可接合在轨道的可滑动接触表面与在间隙外部的第二可移动部分的第一分段之间的夹持位置中，以使显示介质在第一方向上移动以经由与轨道间隔的单元进行非接触式成像。
用于重写显示介质驱动器

[发明专利]对准颗粒层-CN201480080162.9有效
发明人： D·春;N·J·莱昂尼;H·比雷基;O·吉拉 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：一种用于电子纸组装件的电荷接收层，其包括遍及绝缘基质间隔开的多个导电路径，其中每一个导电路径包括导电颗粒的至少一个伸长图案。
对准颗粒

[发明专利]具有速率控制的离子写入单元-CN201480081648.4有效
发明人： H·比雷基;N·J·莱昂尼 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： B41J2/41 文献下载
摘要：包括离子发生器和被对准以接收并引导产生的离子的电极喷嘴阵列的离子写入单元。离子写入单元可转换地在至少第一模式与第二模式之间操作。在第一模式中，离子从离子发生器以第一流速流过所选喷嘴以在与电极孔间隔开的电偏置无源电子纸上引起图像形成。在第二模式中，离子从离子发生器以第二流速流过至少一些电极喷嘴，所述第二流速并不在电偏置无源电子纸上引起图像形成。
具有速率控制离子写入单元

[发明专利]离子写入校准的系统和方法-CN201480078341.9有效
发明人： O·吉拉;N·J·莱昂尼;H·比雷基 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： B41J2/415 文献下载
摘要：离子写入系统包括写入单元和校准模块。写入单元包括可选择电极喷嘴的阵列以将离子引导到无源电子纸上以在电子纸上形成点的图案。校准模块经由来自传感器的信息针对图像光学强度校准写入单元。
写入单元校准模块离子离子引导强度校准图像光学无源电子写入系统选择电极喷嘴电子纸校准传感器写入图案

[发明专利]用于提高电子器件中电子发射的阳极氧化工艺-CN200410045276.8无效
发明人： H·－P·郭;X·盛;H·比雷基;S·－T·林;S·L·纳伯惠斯 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：提出了一种用于在半导电或导电表面(114)的中心区域中形成孔的方法。此方法包括在衬底(112)上形成半导电或导电表面(114)。此半导电或导电表面(114)的形成确保了当在半导电或导电表面(114)上施加电场时，表面中心区域的电场强度至少与表面的周界上的电场强度一样大。最后，此方法包括通过在半导电或导电表面(114)上产生电场来对半导电或导电表面(114)进行阳极氧化，以在半导电或导电表面(114)内形成多孔区。
用于提高电子器件电子发射阳极氧化工艺

[发明专利]新型基于电子束的数据存储装置及其使用方法-CN200310122070.6无效
发明人： H·比雷基;H·－P·郭;S·－T·林;G·A·吉布森 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G11B9/10 文献下载
摘要：一种超高密度数据存储装置，它包括至少一个能量束发射器(240)和一种数据存储介质(210)，该存储介质(210)本身包括有机材料。有机材料可包括一层或多层Langmuir－Blodgett层并可包括导电聚合物。可以利用Langmuir－Blodgett层中是否局部存在有局部无序来检测数据存储介质中形成的数据位。也可利用在有机材料中是否存在一维导电率来读出数据存储介质中形成的数据位。
新型基于电子束数据存储装置及其使用方法

[发明专利]包括导电的读出介质的接触探针储存器件-CN200310120977.9无效
发明人： H·比雷基;R·G·瓦尔姆斯利;S·L·纳伯惠斯 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： G11B9/00 文献下载
摘要：一种数据储存器件(110，210)包括储存介质(114，214)和接触探针(112)。该储存介质(114，214)包括第一聚合层(118，218)，和在该第一聚合层(118，218)上的第二聚合层(120)，该第一聚合层(118，218)是导电的。接触探针(112)面对该第二聚合层(120)。
包括导电读出介质接触探针储存器件

[发明专利]具有改进的发射区域的平面电子发射器装置及其制造方法-CN03101080.6无效
发明人： H·比雷基;V·T·宾 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-01-09 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G11B9/10 文献下载
摘要：本发明披露了一种场发射平面电子发射器件(100)，其具有发射电极(112)，提取电极(120)，以及和该发射电极、提取电极电连接的平面发射器电子发射层(214)。该平面电子发射器(214)的构型使得优先于其外部区域的电子发射而偏重其中心区域的电子发射。实现该偏重的一个例子通过这样制造平面发射器电子发射层来实现，使得该平面发射器电子发射层具有沿深度方向比其内部(216b)较厚的外周边(216a)，当在发射电极和提取电极之间施加电场时，这减少了在外周边的电子发射。在内部区域比在外周边区域，电场以较高的速率从平面发射器电子发射层的表面朝向提取电极汲取电子。该平面发射器件(100)还包括和该平面电子发射器(216)电连接的聚集电极(124)。
具有改进发射区域平面电子发射器装置及其制造方法

[发明专利]用于数据存储应用的改进的电子发射器件及其制造方法-CN03101079.2无效
发明人： H·比雷基;V·T·宾;S·－T·林;H·P·郭;S·L·纳伯惠斯 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-01-09 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G11B9/10 文献下载
摘要：用于超高密度存储系统中的场发射器件(100)。发射器件(100)包括发射电极(112)，提取电极(120)，利用肖特基金属－半导体结或势垒(114，116)的场控制固态发射器。势垒(114，116)形成在发射电极(112)上，和该提取电极(120)电气相连，在发射电极(112)和提取电极(120)之间施加电位时，从半导体层(116)的暴露表面产生电子场发射。肖特基金属(114)从铂、金、银的层或者导电的半导体层中选择，这些层在势垒处能够提供大的电子池。置于肖特基金属上的半导体层(116)是具有非常弱的导电性的n型，具有宽带隙，在施加电子发射所需的电场时产生有助于感生负的电子亲和性的状态。一种类型的宽带隙材料从二氧化钛或氮化钛或者其它相当的材料中选择。
用于数据存储应用改进电子发射器件及其制造方法

[发明专利]具有平面发射区和聚焦结构的电子源-CN01139500.1有效
发明人： H·P·顾;H·比雷基;S·T·林;S·L·纳伯惠斯 -专利权人：惠普公司
申请日： 2001-11-27 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：电子源(102)包括用于进行电子发射的平面发射区(114),以及将电子发射聚焦成为电子束的聚焦结构(118,120)。
具有平面发射聚焦结构电子

[发明专利]自对准电子源装置-CN01123054.1无效
发明人： S·T·拉姆;H·比雷基;H·P·郭;S·L·纳贝尔惠斯 -专利权人：惠普公司
申请日： 2001-07-17 - 公布日： 2002-02-06 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：包括用于电子发射装置的新结构和新材料的自对准电子源装置10可用于高级存储系统。装置10包括由介质层(11,15,19)分开的发射电极13、引出电极17和聚焦电极21。通过单个光刻步骤和蚀刻处理形成贯穿各电极和介质层并且在发射电极13终止的单个空腔23。在空腔23中形成包括设置在发射电极13上的基座3和设置在基座3上并且在顶点V处终止的锥形尖头5的复合发射体1。基座3可由包括钛、铬或掺杂硅的材料制成。尖头5可由包括耐熔金属、金属合金、硅合金、碳化物、氮化物或可电铸成形金属的各种材料制成。空腔23与复合发射体1互为基准地自对准。介质层可后移蚀刻以减小或消除在介质层的面向空腔的部分(43,45)上的电荷积累。
对准电子装置

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