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[发明专利]波管线-CN201880075831.1有效
发明人： K·沙克瑞;A·F·Z·加莱姆;汤强;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种波管线，其包含第一级、多个第二级及第三级。所述第一级接收表示数据的数据信号及时钟信号，且可以等于所述时钟信号的时钟速率的第一数据速率处理所述数据。每一第二级可响应于从所述第一级接收的相应时钟周期而以等于所述第一数据速率乘以第二级的数目的第二数据速率处理相应数据。所述第三级可以所述第一数据速率处理从每一第二级接收的数据。所述第一级在所述多个第二级之间分配所述数据信号及所述时钟信号。所述第三级合并来自所述多个第二级中的每一者的所述相应数据及所述相应时钟周期以提供合并数据信号及回传时钟信号。
管线

[发明专利]存储器装置中的双单层级单元编程-CN202310105415.4在审
发明人： T·O·伊瓦萨基;E·N·李;李濬 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置中的双单层级单元编程。存储器装置中的控制逻辑使通过电压施加到所述存储器装置的存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压。所述控制逻辑进一步根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电。另外，控制逻辑使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的相应存储器单元进行编程。
存储器装置中的层级单元编程

[发明专利]对存储器装置中的多个块的并发扫描操作-CN202211698149.2在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;J·A·拉克绍;J·S·麦克尼尔;V·莫斯基亚诺;P·Z·亥特;S·齐德日茨;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案涉及对存储器装置中的多个块的并发扫描操作。存储器装置中的控制逻辑在扫描操作期间选择多个块中的两个或更多个块以并发地进行扫描。所述控制逻辑可进一步致使将第一电压施加到所述两个或更多个块中的每一块的虚设字线以将所述两个或更多个块中的每一块中的存储器单元串选择性地耦合到与所述多个块耦合的感测放大器集合的不同感测放大器。所述控制逻辑可致使将第二电压施加到所述两个或更多个块中的每一块的选定字线以将存储于每一块中的所述存储器单元串的相应存储器单元处的位读出到所述感测放大器集合。
存储器装置中的多个块并发扫描操作

[发明专利]验证存储器装置中的读取电平电压-CN202211542647.8在审
发明人： J·S·麦克尼尔;E·N·李;V·P·拉亚普鲁;S·帕塔萨拉蒂;K·K·姆奇尔拉;P·R·哈亚特;V·莫斯基亚诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：描述用于验证存储器装置中的读取电平电压的系统和方法。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：使得将读取电平电压施加到所述多个字线中的指定字线；接收反映其相应阈值电压低于所述读取电平电压的存储器单元的数量的实际位计数；以及响应于确定预期位计数和所述实际位计数的差超过预定阈值，调整所述读取电平电压。
验证存储器装置中的读取电平电压

[发明专利]用于多层级单元存储器装置中编程验证配对的方法和设备-CN202211514486.1在审
发明人： E·N·李;L·武;L·C·米兰达;J·M·H·蔡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于多层级单元存储器装置中的编程验证配对的方法和设备。存储器装置中的控制逻辑起始编程操作的第一循环，所述第一循环包括(a)其中将与存储器阵列的块中的选定字线相关联的多个存储器单元编程到多个编程电平中的相应者的编程阶段，及(b)对应编程验证阶段。所述控制逻辑进一步标识所述多个存储器单元中与待在所述编程验证阶段期间验证的所述多个编程电平的第一子集相关联的存储器单元，所述第一子集包括两个或更多个动态选择的编程电平，所述两个或更多个动态选择的编程电平至少包括所述多个编程电平中的所述相应者的最低编程电平和第二低编程电平。所述控制逻辑进一步使得在所述编程验证阶段期间将第一编程验证电压施加到所述选定字线，并且对所述多个存储器单元中与所述多个编程电平的所述第一子集相关联的所标识存储器单元执行并行感测操作，以确定所述所标识存储器单元是否在所述编程操作的所述第一循环的所述编程阶段期间被编程到对应于所述多个编程电平的所述第一子集的相应编程验证阈值电压。
用于多层单元存储器装置编程验证配对方法设备

[发明专利]存储器装置中的联合单层级单元验证-CN202211088688.4在审
发明人： E·N·李;T·O·伊瓦萨基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开涉及存储器装置中的联合单层级单元验证。存储器装置中的控制逻辑识别存储器阵列的块中的存储器单元集，其中所述存储器单元集包括在编程操作的编程阶段期间被编程并且与所述存储器阵列的选定字线相关联的两个或更多个存储器单元。所述控制逻辑另外致使在所述编程操作的编程验证阶段期间将编程验证电压施加到所述选定字线；和对所述存储器单元集执行并行感测操作以确定所述存储器单元集中的每一存储器单元是否在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。
存储器装置中的联合层级单元验证

[发明专利]存储器子系统清理-CN202210954183.5在审
发明人： E·N·李;R·W·斯特朗;W·阿金;J·宾福特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器子系统清理。一种方法包含接收指示对耦合到存储器装置的处理装置执行清理操作的信令，并且将清理电压施加到所述存储器装置的多个存储器块。所述清理电压可大于所述多个存储器块的擦除电压。
存储器子系统清理

[发明专利]存储器平面存取管理-CN202210990808.3在审
发明人： E·N·李;W·阿金;R·W·斯特朗;J·宾福特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及存储器平面存取管理。方法包含识别非易失性存储器阵列中的存储器裸片的相应平面中的目标平面，且从所述目标平面中的耦合到共同位线的非易失性存储器单元块识别所述目标平面中的至少一个目标块。所述方法进一步包含执行停用与所述至少一个目标块相关联的至少一个栅极的操作以防止对耦合到所述目标平面中的所述共同位线的所述非易失性存储器单元块的存取。
存储器平面存取管理

[发明专利]存储器存取管理-CN202210993568.2在审
发明人： E·N·李;R·W·斯特朗;W·阿金;J·宾福特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器存取管理。方法包含检测与包括非易失性存储器单元块的存储器子系统相关联的事件的发生。所述方法进一步包含响应于检测到所述事件的所述发生，提供停用所述存储器子系统的至少一部分、耦合到所述存储器子系统的接口或这两者的信令。
存储器存取管理

[发明专利]存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串-CN202211027555.6在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;V·莫斯基亚诺;合田晃;J·S·麦克尼尔;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串。存储器装置中的控制逻辑确定对所述存储器装置的存储器阵列的块中的多个存储器串中的第一存储器串起始串读取操作，所述块包括多个字线，其中所述多个存储器串中的每一者包括与所述多个字线相关联的多个存储器单元，且其中所述第一存储器串被指定为牺牲串。所述控制逻辑进一步使读取电压同时施加到所述存储器阵列的所述多个字线中的每一者，且在所述读取电压施加到所述多个字线中的每一者时，感测流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的电流电平。另外，所述控制逻辑基于流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的所述电流电平而识别所述块上是否已发生阈值水平的读取干扰。
存储器装置用于检测读取干扰牺牲

[发明专利]校准读取电压电平的集成命令-CN202211062936.8在审
发明人： E·N·李;V·莫斯基亚诺;J·S·麦克尼尔;J·菲兹帕特里克;S·帕塔萨拉蒂;K·K·姆奇尔拉;P·R·哈亚特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种校准读取电压电平的集成命令。存储器装置中的处理逻辑接收执行具有对应于与所述存储器装置相关联的编程分布的读取电压电平的读取操作集合的命令。确定存储器位计数集合，其中每一存储器位计数对应于与所述读取操作集合的所述多个读取电压电平相关联的仓集合中的相应仓。确定具有所述存储器位计数集合中的最小存储器位计数的谷值中心仓。所述处理逻辑确定所述谷值中心仓的所述最小存储器位计数满足条件，且响应于满足所述条件而识别与所述谷值中心仓相关联的经调整读取电压电平。
校准读取电压电平集成命令

[发明专利]基于管芯生成的脉冲信号的状态轮询-CN202210859113.1在审
发明人： E·N·李;D·斯里尼瓦桑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及基于管芯生成的脉冲信号的状态轮询。一个存储器系统包含具有多个平面的多个管芯。处理装置耦合到所述管芯并进行控制器操作，所述控制器操作包含接收包括由所述多个管芯的一或多个平面有效化的脉冲的状态指示器信号。响应于接收到所述脉冲，所述处理装置进行以下中的至少一项：由所述多个管芯在轮询延迟期到期时进行的管芯操作的第一状态检查；或响应于检测到所述脉冲被无效化的所述管芯操作的第二状态检查。所述处理装置在所述状态指示器信号保持无效化时终止状态检查的进行。
基于管芯生成脉冲信号状态

[发明专利]多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取-CN202210634873.2在审
发明人： S·桑卡拉纳拉亚南;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06F12/0882 文献下载
摘要：本申请案是针对多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取。存储器装置包含第一存储器阵列、第二存储器阵列，及耦合到所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列的页高速缓存电路。所述页高速缓存电路包含至少一组并发资源及至少一个共享资源，其中所述至少一组并发资源可由所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列异步且并发地存取，且其中所述至少一个共享资源可由所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列以时分复用方式存取。
平面存储器装置中的并发高速缓存资源存取

[发明专利]存储器子系统中的间歇式动态开始电压和编程验证采样-CN202210481161.1在审
发明人： L·C·米兰达;E·N·李;刘彤;宁涉洋;C·B·洛珀;U·鲁索 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开涉及存储器子系统中的间歇式动态开始电压和编程验证采样。存储器装置中的控制逻辑识别与将被编程的存储器单元集的第一存储器单元子集相关联的第一字线群组。在所述第一存储器单元子集的第一部分上执行包含第一编程脉冲集和第一编程验证操作集的第一动态开始电压操作以识别第一动态开始电压电平，所述第一动态开始电压操作的所述执行包含致使所述第一编程脉冲集施加到所述第一字线群组的至少一部分。致使包含具有所述第一动态开始电压电平的至少一个编程脉冲的第二编程脉冲集施加于所述第一字线群组以编程所述存储器单元集的所述第一存储器单元子集的第二部分。
存储器子系统中的间歇动态开始电压编程验证采样

[发明专利]用于存储器管理的方法、设备及系统-CN202210378481.4在审
发明人： Y·温博格;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开涉及几乎就绪的存储器管理。方法包含：经由以第一间隔的状态轮询确定存储器装置的存储器单元集合的几乎就绪状态的指示符；基于所述几乎就绪状态的所述指示符，确定所述存储器装置的所述存储器单元集合几乎准备好完成对所述存储器装置的所述存储器单元集合执行操作；及响应于确定所述存储器装置的所述存储器单元集合几乎准备好完成所述操作的执行，以第二间隔执行状态轮询。
用于存储器管理方法设备系统

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