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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体芯片和处理半导体芯片的方法-CN201910474923.3有效
发明人： D.博纳特;L.博鲁基;M.德比;B.魏德冈斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。
半导体芯片处理方法

[发明专利]具有密封结构的半导体装置-CN201711406021.3有效
发明人： D.博纳特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了具有密封结构的半导体装置。所公开的是一种半导体装置。半导体装置包括：具有第一表面、内部区和边缘区的半导体主体，其中边缘区围绕内部区；在第一方向上与半导体主体的第一表面间隔开的附连层；布置在半导体主体的第一表面与附连层之间的中间层；以及至少一个第一类型密封结构。密封结构包括第一屏障、第二屏障和第三屏障。第一屏障布置在中间层中并且在第一方向上与附连层间隔开。第二屏障布置在中间层中、在第一方向上与第一表面间隔开、并且在第二方向上与第一屏障间隔开。第三屏障在第二方向上从第一屏障延伸到第二屏障。
具有密封结构半导体装置

[发明专利]半导体芯片和处理半导体芯片的方法-CN201610022831.8有效
发明人： D.博纳特;L.博鲁基;M.德比;B.魏德冈斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。
半导体芯片处理方法

[发明专利]栅控二极管、电池充电组件和发电机组件-CN201610680376.0有效
发明人： D.阿勒斯;D.博纳特;L.博鲁基;M.聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
二极管电池充电组件发电机

[发明专利]包括多个外部触点的半导体芯片，芯片布置装置和用于检查半导体芯片的位置对准的方法-CN201811453220.4在审
发明人： D.博纳特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：半导体芯片（100）包括由多个第一外部触点（120）组成的布置装置（110），所述多个第一外部触点（120）按照对应于规则图案的方式布置。该布置装置（110）包括第二外部触点（130），该第二外部触点（130）在横向范围方面与第一外部触点（120）不同，或者该第二外部触点（130）的位置相对于由规则图案定义的位置被移位。
外部触点半导体芯片布置装置规则图案位置对准位置相对芯片布置移位检查

[发明专利]电容器布置和制造电容器布置的方法-CN201310345301.3有效
发明人： D.博纳特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及电容器布置和制造电容器布置的方法。在各种实施例中，电容器布置被提供，其可以包括衬底；多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域，其中第一掺杂区域用第一导电类型的掺杂剂掺杂而第二掺杂区域用相反于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂掺杂，并且其中多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域在衬底中被紧挨着彼此交替布置；被部署在多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域之上的电介质层；被部署在电介质层之上的电极；被电耦合到多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域的每个掺杂区域的第一端子；以及被电耦合到电极的第二端子。
电容器布置制造方法

[实用新型]栅控二极管、电池充电组件和发电机组件-CN201320308567.6有效
发明人： D.阿勒斯;D.博纳特;L.博鲁基;M.聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
二极管电池充电组件发电机

[发明专利]栅控二极管、电池充电组件和发电机组件-CN201310212006.0有效
发明人： D.阿勒斯;D.博纳特;L.博鲁基;M.聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
二极管电池充电组件发电机

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