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[发明专利]座椅辅助装置-CN201580060551.X有效
发明人：小R·L·斯普莱恩;D·A·陈 -专利权人：斯普莱恩设计协会股份有限公司
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： A61G5/14 文献下载
摘要：本发明描述了一种座椅辅助装置。座椅辅助装置包括基部(102)、具有前部部分(109)和后部部分(107)的升降平台(104)，其中升降平台(104)的前部部分(109)与基部(102)枢转地连接(1714)。升降臂(106)与升降平台(104)的后部部分(107)连接。升降臂(106)从升降平台(104)延伸，以伸出超出升降平台(104)的前部部分，其中升降臂(106)终止于用于由使用者(802)抓握的把手(112)处。升降杆(108)枢转地连接(1714)在基部(102)和升降臂(106)之间，由此就座在座椅辅助装置上的使用者(802)可以向下(114)按压把手(112)以使得升降平台(104)的后部部分(107)升高，并且在这样做时辅助使用者(802)从就座位置起身。
座椅辅助装置

[发明专利]减少在半导体装置制造过程中图案变形及光阻膜毒化的方法-CN03818258.0有效
发明人： D·J·邦瑟;M·V·普拉特;C·Y·杨;S·A·贝尔;D·A·陈;P·A·菲舍尔;C·F·利昂斯;M·S·张;P－Y·高;M·I·赖特;L·尤;S·达克施纳－摩西 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一硬质屏蔽叠包括交替的掺杂非晶形碳层(22)和无掺杂非晶形碳层(20)。无掺杂非晶形碳层(20)系作为抑止掺杂非晶形碳层(22)中压缩应力影响用的缓冲层以防止剥离。该堆栈具有一上封盖物质层(12)。在封盖物质层(12)之下最好系无掺杂非晶形碳层以减少光阻膜毒化。一替代的硬质屏蔽叠包含交替的封盖物质层(42)和非晶形碳层(40)。该非晶形碳层(40)可以有掺杂物或没有。封盖物质层(42)系作为抑止非晶形碳层(40)中压缩应力影响用的缓冲层以防止剥离。该堆栈的上层系由封盖物质层(42)所组成。在封盖物质层的下层最好系无掺杂非晶形碳层(40)以减少光阻膜毒化。该堆栈最下层最好系非晶形碳层(40)以方便利用灰化移除法(ashing process)自下层物质(8)移除该硬质屏蔽叠。
减少半导体装置制造过程图案变形光阻膜毒化方法

[发明专利]通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔-CN02825735.9有效
发明人： W－J·齐;J·G·培勒因;W·G·恩;M·W·迈克尔;D·A·陈 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2002-12-19 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法，于基材(20)上形成闸电极(22)并于该基材(20)与闸电极(22)上形成多晶硅再氧化层(26)。沉积氮化物层(28)于该多晶硅再氧化层(26)上并予以非等向蚀刻。该蚀刻终止于该多晶硅再氧化层(26)上，并随之形成氮化物偏移间隔(30)于该闸电极(22)上。当允许形成该偏移间隔(30)时，该多晶硅再氧化层(26)被用作为蚀刻终止层借以防止该氮化物层(28)下的硅基材(20)受到破坏。
通过应用氧化作为蚀刻终止最小化硅凹部氮化物偏移间隔