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[发明专利]用于改良的半导体蚀刻及部件保护的系统与方法-CN202310781576.5在审
发明人：陈天发;L·K·罗;D·卢博米尔斯基;S·郑;M·Y·崔;S·朴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁架沿间隔件的第二表面延伸。腔室还可包括气体分配板，该气体分配板安装在支架上。
用于改良半导体蚀刻部件保护系统方法

[发明专利]用于改良的半导体蚀刻及部件保护的系统与方法-CN201780030527.0有效
发明人：陈天发;L·K·罗;D·卢博米尔斯基;S·郑;M·Y·崔;S·朴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱提供至所述半导体处理腔室的入口。所述腔室可包括第一环形支撑件，在第一环形支撑件的第一表面处接触气箱，其中第一环形支撑件和气箱各自界定第一通道的一部分，第一通道位于气箱与第一环形支撑件的界面处；以及第一气体分配板，安装在第一通道内。腔室还可包括第二环形支撑件，在第一环形支撑件的第二表面处接触第一环形支撑件，第一环形支撑件的第二表面在第一环形支撑件的第一表面的对面，其中第二环形支撑件至少部分地界定第二通道，第二通道位于半导体处理腔室的内部区域周围；以及第二气体分配板，安装在第二通道内，其中第一气体分配板和第二气体分配板包含石英。
用于改良半导体蚀刻部件保护系统方法

[发明专利]等离子体蚀刻工艺中使用涂布部件的工艺裕度扩充-CN201880051161.X有效
发明人： D·杨;陈天发;P·希尔曼;L·朱;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;C·斯纳迪加尔;M·夏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本技术的实施例可包括一种蚀刻方法。该方法可包括在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物。该方法也可包括在腔室的第二部分中使第一混合物流到基板。第一部分和第二部分可包括镀镍材料。该方法可进一步包括使第一混合物与基板反应以相对于第二层选择性蚀刻第一层。此外，该方法可包括形成第二混合物，该第二混合物包括来自第一混合物与基板反应的产物。
等离子体蚀刻工艺使用部件扩充

[发明专利]用于改良的半导体蚀刻及部件保护的系统与方法-CN201780030506.9有效
发明人：陈天发;L·K·罗;D·卢博米尔斯基;S·郑;M·Y·崔;S·朴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁架沿间隔件的第二表面延伸。腔室还可包括气体分配板，该气体分配板安装在支架上。
用于改良半导体蚀刻部件保护系统方法

[发明专利]用于远程等离子体监测的光学发射光谱仪(OES)-CN201880024330.0有效
发明人： T·S·周;S·朴;J·金;D·卢博米尔斯基;S·文卡特拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请描述了用于使用远程等离子体来蚀刻基板的方法和系统。远程激发的蚀刻剂被形成在远程等离子体中，并通过喷头流入基板处理区域以蚀刻基板。从基板正上方的基板处理区域获取光学发射光谱。光学发射光谱可用于确定蚀刻的终点，确定蚀刻速率或以其他方式表征蚀刻工艺。弱等离子体可存在于基板处理区域中。弱等离子体可能相较于远程等离子体具有低得多的强度。在蚀刻工艺中于基板上方不使用偏压等离子体的情况下，可以在靠近基板处理区域一侧所设置的视口附近点燃弱等离子体以表征蚀刻剂。
用于远程等离子体监测光学发射光谱仪 oes

[发明专利]具有可暴露感测层的晶圆处理装备-CN202310271331.8在审
发明人： L·泰德斯奇;纪丽丽;O·朱伯特;D·卢博米尔斯基;P·A·克劳斯;D·T·麦克科米克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。
具有暴露感测层处理装备

[发明专利]用于蚀刻低K及其它介电质膜的制程腔室-CN201910594878.5有效
发明人： D·卢博米尔斯基;S·耐马尼;E·叶;S·G·别洛斯托茨基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。
用于蚀刻其它质膜制程腔室

[发明专利]组合处理腔室和处置腔室-CN201910130024.1有效
发明人：王安川;X·陈;Z·李;H·哈玛纳;Z·陈;C-M·徐;J·黄;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;S·文卡特拉马;R·撒库尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。
组合处理处置

[发明专利]用于半导体处理的气体分配喷头-CN201780031024.5有效
发明人： A·N·恩古耶;D·卢博米尔斯基;M·T·萨米尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。
用于半导体处理气体分配喷头

[发明专利]具有以直接上转换对微波场的旋转频率进行的数字控制的等离子体反应器-CN202010161061.1有效
发明人：小林悟;菅井英夫;S·朴;K·拉马斯瓦米;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：涉及具有以直接上转换对微波场的旋转频率进行的数字控制的等离子体反应器。一种用于处理工件的等离子体反应器具有微波源与用户接口，微波源具有使用直接数字上转换的数字同步的旋转频率，用户接口用于控制该旋转频率。
具有接上转换微波旋转频率进行数字控制等离子体反应器

[发明专利]具有可暴露感测层的晶圆处理装备-CN201780051612.5有效
发明人： L·泰德斯奇;纪丽丽;O·朱伯特;D·卢博米尔斯基;P·A·克劳斯;D·T·麦克科米克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。
具有暴露感测层处理装备

[发明专利]用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室-CN202211431121.2在审
发明人：陈天发;D·卢博米尔斯基;S·郑;S·朴;R·W·卢;P·范;E·C·苏亚雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心通道的开口，并且中心通道可以由第一横截表面面积来表征。适配器可以在第二端处限定从第二通道离开的出口，并且适配器可以在适配器内、在第一端与第二端之间限定中心通道与第二通道之间的过渡部。适配器可以限定过渡部与适配器的第二端之间的第三通道，并且第三通道可与中心通道和第二通道流体隔离。
用于改善前驱物流半导体处理

[发明专利]处理基板的方法和装置-CN202180043471.9在审
发明人： J·金;T·S·周;D·卢博米尔斯基;T·特兰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，一种用于处理基板的处理腔室，包括腔室主体，腔室主体限定处理体积；射频(RF)功率源，射频(RF)功率源被配置成将RF能量传输至用于处理基板的处理空间；基板支撑件，所述基板支撑件包含电极；AC电源，AC电源被配置成将功率供应至处理腔室；RF滤波器电路，RF滤波器电路连接在电极与AC电源之间；以及控制器，控制器被配置成在RF滤波器电路处监测在操作期间由RF功率源间接感应至电极中的RF电压，且被配置成基于所监测的RF电压确定在处理体积中的处理状态。
处理方法装置

[发明专利]用于腔室部件的多层等离子体侵蚀保护-CN201810444173.0有效
发明人： T·特兰;K·莱克西斯沃;T·W·金;D·卢博米尔斯基;邬笑炜;X-M·何;C-H·周;J·Y·孙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种在制品上施加多层抗等离子体涂层的方法包括执行镀覆或ALD以在制品上形成保形的第一抗等离子体层，其中保形的第一抗等离子体层被形成在制品的表面上以及制品中的高深宽比特征的壁上。保形的第一抗等离子体涂层具有大约0％的孔隙率和大约200纳米至大约1微米的厚度。随后执行电子束离子辅助沉积(EB‑IAD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、气溶胶沉积或等离子体喷涂中的一者，以形成第二抗等离子体层，该第二抗等离子体层覆盖所述表面的一区域处的该保形的第一抗等离子体层，但不覆盖该高深宽比特征的所述壁处的所述保形的第一抗等离子体层。
用于部件多层等离子体侵蚀保护

[发明专利]偏置操作上的RF定制电压-CN201980005856.9有效
发明人：小林悟;W·田;S·拉乌夫;J·金;S·朴;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入工艺腔室中的基板支撑件中的电极。响应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的测量，相对于第一RF信号调节第二RF信号。最大化在基板上的离子轰击并且最小化在喷头上产生的粒子的数量。本文描述的方法及系统提供了改进的离子蚀刻特性，同时减少从喷头产生的碎屑粒子的量。
偏置操作 rf 定制电压

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