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[发明专利]有机薄膜晶体管-CN202180076846.1在审
发明人： B·布朗;C-H·蔡;D·夏基;A·卡雷拉斯;S·奥吉尔 -专利权人：斯马特凯姆有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明涉及有机薄膜晶体管(OTFT)，其包含设置在源极端子(3)和漏极端子(4)之间的有机半导体层(2)。OTFT还包含设置在有机半导体层一侧的前栅极(5)电极和设置在有机半导体层对侧的后栅极电极(6)。所述前栅极电极和后栅极电极被设置用于在施加电压时控制有机半导体层中的电流，所述后栅极电极电连接至以下之一：前栅极电极和源极端子。与单栅极和后栅极隔离的OTFT相比，本发明的OTFT(在后栅极和源极或前栅极之间具有连接)显示出改善的导通电压稳定性、较低的功耗和改善的偏压应力稳定性。
有机薄膜晶体管

[发明专利]具有降低JFET效应的霍尔效应传感器-CN202210974091.3在审
发明人： C·帕克斯特;G·E·德拉克鲁兹埃尔南德斯;K·R·格林;D·特瑞福诺夫;C-H·蔡 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本申请题为“具有降低JFET效应的霍尔效应传感器”。一种霍尔效应传感器(400)包括布置在半导体本体表面处的霍尔元件(300、500)，该霍尔元件包括布置在隔离的第二导电类型的第二掺杂区(306p)上方并与之邻接的第一导电类型的第一掺杂区(310n)。霍尔元件的第一端子至第四端子(T1–T4)与第一掺杂区电接触，并且第五端子(BN)与第二掺杂区电接触。霍尔效应传感器包括共模反馈调节电路系统(426、450、452)以及耦合到霍尔元件的第一端子的第一电流源(420)。共模反馈调节电路系统具有耦合到霍尔元件的第二端子和第四端子(T2、T4)的输入以及耦合到第三端子和接地节点的输出，其中第二掺杂区耦合到第三端子。
具有降低 jfet 效应霍尔传感器

[发明专利]具有参考、偏移消除和差分到单端转换的开关电容器积分器电路-CN202080038469.8在审
发明人： P·S·巴苏;D·T·特里福诺夫;T·R·拉森;C-H·蔡 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：一种双积分器系统(200)，其包括两个积分器(220A‑B)、输出级(270)和开关网络(240A‑D)。第一积分器和第二积分器接收差分霍尔传感器信号(205、210)和参考电压(210)。所述第一积分器基于差分霍尔传感器和所述参考电压而输出第一积分器信号(225A)。所述第二积分器基于所述差分霍尔传感器信号和所述参考电压而输出第二积分器信号(225B)。所述第一积分器包括第一偏移消除反馈环路(235A)，且所述第二积分器包括第二偏移消除反馈环路(235B)。所述开关网络耦合到所述第一积分器和所述第二积分器且耦合到所述输出级，且使所述第一积分器和所述第二积分器交替地耦合到所述输出级。在一些实施例中，所述第一积分器和所述第二积分器各自执行重置操作、采样操作、积分操作、差分到单端转换操作和保持操作。
具有参考偏移消除分到转换开关电容器积分器电路

[发明专利]用于连续校准霍尔传感器的系统-CN202080036275.4在审
发明人： T·R·拉森;D·特里福诺夫;C-H·蔡;P·S·巴苏 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明揭示一种系统(400)，其包括：校准电流产生器(280)，其向第一和第二霍尔通道(214；218)提供校准电流；以及偏置电流产生器(470)，其确定来自所述霍尔通道的校准信号与阈值之间的差，并基于所述差调整所述霍尔通道的偏置电流。在一些实施例中，所述偏置电流产生器包括耦合到ADC(420)的减法器(410)和耦合在所述ADC与DAC(450)之间的控制器(440)。所述减法器分别从所述第一和所述第二霍尔通道获得第一和第二信号，并从所述第二信号中减去所述第一信号以获得所述校准信号(415)。所述控制器确定来自所述ADC的采样信号与所述阈值之间的差以及基于所述差确定对所述偏置电流的调整。所述DAC基于来自所述控制器的指示所述调整的控制信号(445)调整所述偏置电流。
用于连续校准霍尔传感器系统

[发明专利]用于光闸碟盘组件检测的方法及设备-CN201980023255.0在审
发明人： C-H·蔡;A·朱普迪;E·朝比奈;S·巴布 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：用于使用多个传感器检测处理腔室中的光闸碟盘组件的方法和设备。在用于光闸碟盘组件的光闸壳体中的第一、第二与第三传感器提供对光闸碟盘组件的状态的指示。所述指示部分地用于与来自处理控制器的处理信息一起确定光闸碟盘组件的操作状态。随后，在需要时使用操作状态来改变处理腔室的处理。
用于光闸碟盘组件检测方法设备

[发明专利]具有自定心特征的两件式快门盘组件-CN201980018889.7在审
发明人： C-H·蔡;A·朱普迪;S·巴布 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：此处提供使用于工艺腔室中的两件式快门盘组件。在一些实施例中，使用于工艺腔室中的快门盘组件包括：上部盘构件，所述上部盘构件具有顶部表面及底部表面，其中在底部表面的中心中形成中心对齐凹部；以及下部载具构件，所述下部载具构件具有：固体基底，所述固体基底具有上支撑表面，其中所述上支撑表面包括第一中心自定心特征，所述第一中心自定心特征设置于在底部表面的中心中形成的凹部中；以及环状外部对齐特征，所述环状外部对齐特征从下部载具的顶部表面向上突出且形成口袋部，其中上部盘构件设置于口袋部中。
具有定心特征两件式快门组件

[发明专利]不破坏真空的从基座表面移除残留物的原位电浆清除技术-CN201080018337.5有效
发明人： R·J·格林;C-H·蔡;S·N·罗伊;P·巴贾杰;D·H·卢 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-02-17 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：提供对沉积腔室进行原位电浆清洁的方法与设备。在一个实施例中，提供一种对沉积腔室进行电浆清洁而不破坏真空的方法。所述方法包括：将基板置于晶座上，所述晶座被配置于腔室中且由电浮动沉积环所环绕；将金属薄膜沉积于腔室中的基板与沉积环上；将沉积于沉积环上的金属薄膜接地且不破坏真空；并使用形成于腔室中的电浆从腔室移除污染物，且不再次溅射接地沉积环上的金属薄膜，且不破坏真空。
破坏真空基座表面残留物原位清除技术

[其他]具有密封组件的可拆卸的静电吸座-CN200790000096.5有效
发明人： V·D·帕科;C-H·蔡;S·V·杉索尼 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供一种可拆卸的静电吸座其可被附接到处理腔室内的平台上。该吸座包含一静电盘，该静电盘具有一陶瓷主体(具有一电极嵌埋于内)。该吸座还具有一底板在该静电盘下方，其下表面连接到一密封组件上，该密封组件包含一密封板和一密封环。该密封板及环被研磨以于该吸座与平台间形成气密式密封，以防止气体从此区域中渗露出去或进入此区域。
具有密封组件可拆卸静电

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