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[发明专利]钻头组件-CN201680053034.4有效
发明人： R·阿诺德;J·E·福克茨;J·R·弗雷德里克;J·哈尔伯格;J·克雷尔纳;D·米德;B·蒂尔亚基;S·博内蒂;P·R·布什;C·S·J·皮克尔斯;C·J·H·沃特;B·H·里斯;M·K·沙尔廷 -专利权人：久益环球地下采矿有限责任公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： E21C35/193 文献下载
摘要：一种用于采矿机械的切削钻头组件，该切削钻头组件包括夹持件和钻头，夹持件具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与第二表面之间延伸的孔，钻头具有第一端和第二端。钻头还包括尖端、柄部和位于尖端与柄部之间的肩部。柄部位于夹持件的孔中并且限定柄部轴线。肩部与夹持件的第一表面接合。柄部包括靠近第二端部的突出部。该切削钻头组件还包括具有凹槽和弹性件的止动件。凹槽接合突出部的一部分。弹性件接合夹持件的第二表面并且沿着柄部轴线并远离夹持件偏压止动件。
钻头组件

[发明专利]通过CVD制作金刚石层的方法-CN201380064698.7在审
发明人： C·S·J·皮克尔斯;C·沃特;J·布兰登;N·珀金斯 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：使用微波等离子体化学气相沉积(CVD)合成技术采用合成金刚石材料涂覆非耐火的和/或非平面的基材(8)的方法，该方法包括：·形成复合基材组件(1)，该组件(1)包括：·包含上表面的支撑基材(2)；·布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度h_g的一个或多个导电耐火防护物(6)；和布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度h_s的一个或多个非耐火的和/或非平面的基材，其中高度h_s小于高度h_g，其中高度差h_g－h_s处于0.2mm至10mm范围内；·将该复合基材组件置于微波等离子体CVD反应器的等离子体室内；·将工艺气体供给到等离子体室中，包括含碳气体和含氢气体；·在等离子体室中供给微波以在该复合基材组件上方的位置处形成微波等离子体；和·在该一个或多个非耐火的和/或非平面的基材上生长合成金刚石材料。
通过 cvd 制作金刚石方法

[发明专利]用于制造合成金刚石的微波等离子体反应器和基底-CN201180068064.X有效
发明人： C·N·道奇;P·N·英格利斯;G·A·斯卡斯布鲁克;T·P·莫拉特;C·S·J·皮克尔斯;S·E·科;J·M·多德森;A·L·卡伦;J·R·布莱顿;C·J·H·沃特 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于通过化学汽相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：微波发生器，所述微波发生器构造成以频率f产生微波；等离子体室，所述等离子体室包括基部、顶板和侧壁，所述侧壁从所述基部延伸至所述顶板，从而限定了位于基部和顶板之间用于支持微波共振模式的共振腔；微波耦合构造，所述微波耦合构造成从微波发生器将微波供应至所述等离子体室；气体流动系统，所述气体流动系统用于将处理气体供应至所述等离子体室以及从所述等离子体室移除所述处理气体；基底保持件，所述基底保持件布置在所述等离子体室中并且包括用于支撑基底的支撑表面；和基底，所述基底布置在所述支撑表面上，所述基底具有生长表面，在使用中，所述合成金刚石材料将沉积在所述生长表面上，其中，基底尺寸和在所述共振腔内的位置选择为在使用中横跨所述生长表面产生局部轴对称的EZ电场分布，所述局部轴对称的EZ电场分布包括由更高的电场环所界定的大体平坦的中央部分，所述大体平坦的中央部分在所述基底的所述生长表面的面积的至少60%上延伸并且具有不超过所述中央EZ电场强度的±10%的EZ电场变化，所述更高的电场环布置在所述中央部分周围并且具有比中央EZ电场强度高10%至50%的峰值EZ电场强度。
用于制造合成金刚石微波等离子体反应器基底

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