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- [发明专利]ESD保护器件和方法-CN201180006596.0有效
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A·让德荣;C·E·吉尔;C·洪
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飞思卡尔半导体公司
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2011-01-06
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2012-10-03
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H01L27/04
- 一种用于保护相关器件或电路(24)的静电放电(ESD)保护钳位电路(21、21’、70、700),包括双极晶体管(21、21’、70、700),其中面对基极(75)和集电极(86)区域的掺杂被布置为雪崩击穿优选地发生在器件(70、700)的基极区域(74、75)的远离位于上面的电介质-半导体界面(791)的一部分(84、85)内。由于例如半导体管芯或晶片上的晶体管(21、21’、70、700)的不同方位角朝向而产生的作为基极-集电极间距尺寸D的函数的ESD触发电压Vt1的最大变化(ΔVt1)MAX被极大地减小。提高了触发电压的一致性和制造产量。
- esd保护器件方法
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