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[发明专利]用于形成UV硬化的低K介电膜的系统和方法-CN202180077241.4在审
发明人： B·谢;R·熊;S·恩戈;K·S·伊姆;Y·刘;夏立群 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：描述了用于形成经UV处理的低k介电膜的半导体处理方法。所述方法可包括将沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域。沉积前驱物可包括含硅与碳前驱物。所述方法可进一步包括从基板处理区域内的沉积前驱物产生沉积等离子体，以及从沉积等离子体的等离子体流出物在基板上沉积含硅与碳材料。沉积态的含硅与碳材料可以大于或约5％的烃基团为特征。所述方法可又进一步包括将沉积的含硅与碳材料暴露于紫外光。暴露的含硅与碳材料可以小于或约2％的烃基团为特征。
用于形成 uv 硬化介电膜系统方法

[发明专利]用于清洁低K沉积腔室的系统以及方法-CN202180072292.8在审
发明人： B·谢;R·熊;K·S·伊姆;Y·刘;夏立群;S·恩戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：描述了清洁基板处理腔室的示例性半导体处理方法。此方法可包括在基板处理腔室中的第一基板上沉积介电膜，其中介电膜可包括硅碳氧化物。具有介电膜的第一基板可从基板处理腔室移除，及介电膜可沉积在基板处理腔室中的至少还有一个基板上。此至少还有一个基板可在介电膜沉积在此基板上之后从基板处理腔室移除。在移除具有介电膜的最后一个基板之后，蚀刻等离子体流出物可流入基板处理腔室中。蚀刻等离子体流出物可包括大于或约500sccm的NF3等离子体流出物，及大于或约1000sccm的O2等离子体流出物。
用于清洁沉积系统以及方法

[发明专利]沉积低k介电膜的系统及方法-CN202180070029.5在审
发明人： B·谢;R·熊;S·恩戈;K·S·伊姆;Y·刘;夏立群 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述了在半导体基板上形成低K膜的半导体处理方法的实施例。所述处理方法可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。沉积前驱物可包括具有至少一个乙烯基的含硅前驱物。所述方法还可包括在基板处理区域中从沉积前驱物生成沉积等离子体。由小于或为约3.0的介电常数(K值)表征的含硅及碳的材料可以从沉积等离子体的等离子体流出物沉积在基板上。
沉积介电膜系统方法

[发明专利]用于利用光学隔离器从光子集成电路耦合的技术-CN202211471545.1在审
发明人： A·克里切夫斯基;B·谢 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：公开了用于利用光学隔离器耦合到光子集成电路(PIC)和从光子集成电路(PIC)耦合的技术。在一个实施例中，将来自PIC管芯上的波导的光束朝向PIC管芯的底表面上的平面镜反射。平面镜将光朝向限定在PIC管芯的顶表面中的曲面镜反射，所述曲面镜使射束准直并将准直射束引导出PIC管芯的底表面。PIC管芯下方的光学隔离器可以允许射束通过，同时阻挡相反方向上的射束。
用于利用光学隔离器光子集成电路耦合技术

[发明专利]用于气溶胶产生系统的电池模块-CN202180055781.2在审
发明人：李俊;B·谢;J·C·罗 -专利权人：日本烟草国际股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： A24F40/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于气溶胶产生系统的电池模块。该电池模块包括电池(1)和连接到电池(1)的柔性印刷电路(6)。柔性印刷电路(6)形成该电池模块的主电路板。柔性印刷电路(6)包括在电池(1)的侧壁(4)上延伸的第一部分(P1)，并且其被弯曲成使得柔性印刷电路(6)的第二部分(P2)在电池(1)的至少一个端面(2，3)上延伸。第一部分(P1)承载微处理器或微控制器(7)，并且第二部分承载压力传感器。这允许电池模块的空间优化，并且特别是允许电池模块的电子部件的空间优化。
用于气溶胶产生系统电池模块

[发明专利]沉积低K介电膜的系统及方法-CN202180052804.4在审
发明人： B·谢;K·S·伊姆;Y·刘;夏立群;R·熊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：形成含硅碳材料的示例性方法可以包括以下步骤：使含硅氧碳前驱物流进半导体处理腔室的处理区中。基板可安放在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括以下步骤：在含硅碳前驱物的处理区内形成等离子体。等离子体可以小于15MHz(例如，13.56MHz)的频率形成。方法可包括以下步骤：在基板上沉积含硅碳材料。所沉积的含硅碳材料可由低于或约3.5的介电常数和大于或约3Gpa的硬度来表征。
沉积介电膜系统方法

[发明专利]利用预成形玻璃光导线制造芯片到芯片光学接口的引线接合方法-CN202210548077.7在审
发明人： A·克里切夫斯基;B·谢 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光子集成电路(PIC)封装，包括第一管芯，第一管芯包括第一光波导和从第一管芯的第一边缘延伸到第一光波导的第一沟槽。第一沟槽与第一光波导对准。第二管芯包括第二光波导和从第二管芯的第二边缘延伸到第二光波导的第二沟槽。第二沟槽与第二光波导对准。包括未包覆玻璃光纤的光导线包括在第一沟槽内延伸的第一端子部分和在第二沟槽内延伸的第二端子部分。第一端子部分与第一光波导对准并且第二端子部分与第二光波导对准。
利用成形玻璃导线制造芯片光学接口引线接合方法

[发明专利]带有AC充电插口的主系统和识别连接到其的电装置的方法-CN202110526928.3在审
发明人： D·S·策西尔;J·A·圣乔治;B·R·琼斯;A·P·科塔里;P·M·拉斯科夫斯基;B·M·路德维希;B·T·绍特;G·斯波莱蒂;J·M·威廉斯;B·谢;M·A·托马斯 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B60R16/02 文献下载
摘要：主系统的控制器执行用于检测外部AC电装置的方法。当主系统的AC充电插口经由不同的车辆至作用装置（V2L）连接和跨接充电连接而电连接到装置时，控制器检测控制先导电压和接近性电压。当控制先导电压为0V时，控制器确定是否满足进入条件，该进入条件指示希望将功率从主系统释放到装置。当满足进入条件时，接近性电压或控制先导电压被调制以生成调制的电压信号，控制器将该调制的电压信号与指示装置的期望电压进行比较。当调制的电压信号与期望电压匹配时，将功率释放到装置。
带有 ac 充电插口系统识别接到装置方法

[发明专利]光收发器集成电路-CN202111088693.0在审
发明人： A·克里切夫斯基;B·谢 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及单个设备内的光收发器。所述光收发器包含光隔离器，因此消除了对外部隔离器单元的需要。在实施例中，发射器通道和接收器通道共享单个透镜阵列并且并入了补偿器块以均衡收发器中的发射器和接收器光信号。可以描述和/或要求保护其他实施例。
收发集成电路

[发明专利]具有自成型阻挡层的低K电介质-CN202080041895.7在审
发明人：丁祎;S·慕克吉;B·谢;K·S·伊姆;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种形成具有阻挡性质的低k介电层的方法。所述方法包括通过PECVD形成掺杂有硼、氮或磷中的一者或多者的介电层。一些实施例的掺杂剂气体可在沉积期间与其他反应物共同流动。
具有成型阻挡电介质

[发明专利]非UV高硬度低介电常数膜沉积-CN201980048633.0在审
发明人： S·慕克吉;B·谢;K·M·赵;K·S·伊姆;D·帕德希;A·加格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。
uv 硬度介电常数沉积

[发明专利]生成多频带RF脉冲的方法-CN201580063489.X有效
发明人： B·谢;A·F·尼斯蒂格里戈莱托博尔戈诺维;Z·陈;M·富德勒 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G01R33/483 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于磁共振成像MRI系统(100)中的边带抑制的方法，所述方法包括：提供第一多频带RF脉冲以用于在第一频带(301)和第二频带(303)处同时激励对象(118)中的至少两个切片，并且使用所述MRI系统(100)来采集来自所激励的两个切片的信号(307、308)，以及在第三频带(305)处的至少一个额外的信号(309)，所述额外的信号(309)来源于与所述两个切片不同的切片的边带激励；使用所述第一多频带RF脉冲来确定所述额外的信号(309)；根据所述第一多频带RF脉冲和所述额外的信号(309)导出预补偿项，将所述预补偿项加到所述第一多频带RF脉冲以获得第二多频带RF脉冲，从而由所述第二多频带RF脉冲替换所述第一多频带RF脉冲，以用于抑制所述额外的信号(309)的至少部分。
生成频带 rf 脉冲方法

[发明专利](1-甲基咪唑)双(2-乙基己酸)锌配合物催化的涂料组合物-CN201380004972.1有效
发明人： B·谢;R·D·库格林;R·拉维尚德朗;F·阿比-卡拉姆;E·韦斯特霍夫;P·霍夫曼;B·穆勒;B·施奈尔 -专利权人：巴斯夫涂料有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C08G18/16 文献下载
摘要：本发明涉及包含含异氰酸酯基团的组分、含羟基的组分和(1‑甲基咪唑)双(2‑乙基己酸)锌配合物的涂料组合物，以及(1‑甲基咪唑)双(2‑乙基己酸)锌配合物在涂料组合物中作为氨基甲酸酯反应的催化剂体系的用途。
甲基咪唑乙基己酸配合催化涂料组合

[发明专利]生产沸石材料的无有机模板合成方法-CN201510178121.X在审
发明人： B·耶尔马兹;U·米勒;F-S·肖;B·谢 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产具有包含YO₂和任选包含X₂O₃的BEA骨架结构的沸石材料的无有机模板合成方法，其中所述方法包括以下步骤：(1)制备包含晶种和至少一种YO₂源的混合物；和(2)使所述混合物结晶；其中Y为四价元素且X为三价元素，其中所述沸石材料任选包含至少一种碱金属M，其中当BEA骨架额外包含X₂O₃时，步骤(1)的混合物包含至少一种X₂O₃源，并且其中所述晶种包含具有BEA骨架结构的沸石材料，优选β型沸石。
生产石材有机模板合成方法

[发明专利]藉由紫外线辅助的光化学沉积而对等离子体损坏的低介电常数薄膜的介电恢复-CN201280027958.9无效
发明人： K·S·伊姆;T·诺瓦克;B·谢;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间，诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中，并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线（UV）辐射与含碳化合物的修复工艺从孔隙移除水，并且所述修复工艺进一步从低k膜结构中移除亲水性化合物。
藉由紫外线辅助光化学沉积等离子体损坏介电常数薄膜恢复

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