专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法-CN201910720035.5在审
  • S·布尔;B·哈贝茨;金晥洙 - 科尼亚克有限公司
  • 2019-08-06 - 2021-02-09 - G03F1/56
  • 本公开提供用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法及相应装置。使用曝光工具组件将光致抗蚀剂层曝光于曝光束,其中,光致抗蚀剂层涂覆半导体衬底,并且其中,对于每次曝光,使用至少包括散焦值和曝光剂量的当前曝光参数集。对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影,其中,从所述光致抗蚀剂层形成了抗蚀剂图案。测量所述抗蚀剂图案的特征特性和/或由所述抗蚀剂图案得到的衬底图案的特征特性。响应于所测得的特征特性与目标特征特性的偏差,更新所述当前曝光参数集。估计在不更新所述曝光参数集的情况下将形成的假想抗蚀剂图案的未经校正的特征特性。响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息,可以改变对所述特征特性的测量策略或者可以更新所述当前曝光参数集。
  • 用于光刻加工半导体器件工艺控制方法

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