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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于填充间隙的方法和设备-CN202310882990.5在审
发明人： V·珀尔 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种用于通过以下操作填充在衬底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法和设备：向所述一个或多个间隙的表面的底部区域提供第一反应物；将第二反应物提供到所述衬底；以及允许所述第一反应物在所述第一反应物的一个分子与所述第二反应物的多个分子的化学计量比下在所述表面的所述底部区域中起始所述第二反应物的反应，从而使所述一个或多个间隙的所述表面的未被提供所述第一反应物的顶部区域最初基本上为空。
用于填充间隙方法设备

[发明专利]用于填充间隙的方法和设备-CN201780043306.7有效
发明人： V·珀尔;W·科内鹏;B·琼布罗德;D·皮尔勒;S·范阿尔德;S·霍卡;深泽笃毅;福田秀明 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。
用于填充间隙方法设备

[发明专利]用于制造半导体装置的设备和方法-CN201880021201.6有效
发明人： T·奥斯特拉肯;C·德里德;L·吉迪拉 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造半导体装置的设备，其包括：反应室，所述反应室包括用于保持衬底的衬底保持器；以及用于加热所述衬底的加热器。所述加热器可以包括竖直腔表面发射激光器，所述竖直腔表面发射激光器被构造和布置成将辐射束发射到由所述衬底保持器保持的衬底以加热所述衬底。
用于制造半导体装置设备方法

[发明专利]拓扑限制的等离子体增强循环沉积的方法-CN201711181019.0有效
发明人： T·J·V·布兰夸特 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请公开了一种拓扑限制的等离子体增强循环沉积的方法。在一个实施例中，一种用于将由间隔地布置于模板上的垂直间隔物构成的图案转移到所述模板的方法包括：通过等离子体增强循环沉积将作为间隔伞层的层基本上仅沉积于由氧化硅或金属氧化物制成的每一垂直间隔物的顶部表面上，其中基本上无层沉积于所述垂直间隔物的侧壁上和所述模板的暴露表面上，随后通过各向异性蚀刻使用具有所述间隔伞层的所述垂直间隔物，将由所述垂直间隔物构成的所述图案转移到所述模板。
拓扑限制等离子体增强循环沉积方法

[发明专利]通过原子层沉积形成的电荷俘获层-CN201710300524.6有效
发明人：汤福;谢琦;J·W·梅斯;蒋晓强;M·E·吉文斯 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及通过原子层沉积形成的电荷俘获层。本申请公开了一种用于形成适用于V‑NAND堆叠体的层的方法。具体地说，为了形成氮氧化物层，所述方法可以包括用于形成氧化物和氮化物的多重循环。
通过原子沉积形成电荷俘获

[发明专利]用于晶片处理设备的气体分配装置-CN201910716664.0有效
发明人： P·雷萨宁;W·约翰逊 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于晶片处理设备的气体分配装置。该气体分配装置构造成在半导体衬底上分配气态前体，包括：顶板，所述顶板至少具有第一气态前体流过的第一顶部孔口；设置在所述顶板下方的第一增压室；第一门控纳米通道栅格；第一电压源，所述第一电压源配置成将电压施加到所述第一门控纳米通道栅格；电气隔离板；底板；以及多个第一底部孔口，其中所述多个第一底部孔口形成于所述电气隔离板和所述底板中，其中施加到所述第一门控纳米通道栅格的所述电压确定所述第一门控纳米通道栅格是否准许所述第一气态前体穿过所述多个第一底部孔口。
用于晶片处理设备气体分配装置

[发明专利]在衬底上形成结构的方法-CN201780076296.7有效
发明人： W·卡内鹏;J·W·麦斯;B·琼布罗德;K·K·卡谢尔;D·皮尔勒科斯;D·K·德罗斯特 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了一种通过向衬底提供硬掩模材料在所述衬底上形成层的方法。在N个渗透循环期间，用渗透材料渗透所述硬掩模材料，所述渗透循环是通过以下进行：a)将第一前驱体提供至在反应腔室中的衬底上的所述硬掩模材料上，保持第一时间段T1；b)移除所述第一前驱体的一部分，保持第二时间段T2；以及c)将第二前驱体提供至在所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第三时间段T3，以使所述第一和第二前驱体彼此反应，形成所述渗透材料。
衬底形成结构方法

[发明专利]膜片阀、阀部件和用于形成阀部件的方法-CN201910615040.X有效
发明人： J·舒格鲁 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： F16K99/00 文献下载
摘要：公开一种膜片阀。所述膜片阀可以包含阀体，所述阀体包括阀通道，所述阀通道包含入口通道和出口通道。所述膜片阀还可以包含：阀座，其邻近于所述阀通道；及柔性膜片，其包括润湿表面和相对的非润湿表面，所述柔性膜片安置成邻近于所述阀通道。所述膜片阀还可以包含：柔性加热器，其安置在所述柔性膜片的所述非润湿表面上方；及阀致动器，其能够用于将所述柔性膜片的所述润湿表面移动到与所述阀座接触和不与所述阀座接触。还公开了包含柔性加热器的阀部件和用于形成此类阀部件的方法。
膜片部件用于形成方法

[发明专利]用于储存和处理盒的盒供应系统及配备其的处理设备-CN202310152685.0在审
发明人： C·德里德 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及用于储存和处理盒的盒供应系统及配备其的处理设备。该系统具有设置有基板的盒存储装置，该基板构造和布置成支承盒。还提供了一种具有末端执行器的盒处理器以将盒传送到基板和从基板传送盒，末端执行器具有至少一个突起以支承和定位末端执行器上的盒。基板可设置有基本平坦的表面以支承盒。
用于储存处理供应系统配备设备

[发明专利]水分减少的晶片处理室-CN201910461004.2有效
发明人： P·雷萨宁;W·约翰逊 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了一种用于减少晶片处理室内的水分的设备和方法。水分减少导致晶片的氧化减少。水分减少通过使用阀和吹扫气体而变得可能。阀的操作可以导致改进的局部吹扫。
水分减少晶片处理

[发明专利]晶片处理室及系统-CN202310114828.9在审
发明人： P·雷萨宁;W·约翰逊 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶片处理室及系统。该晶片处理室包括：壳体；安置在壳体上的第一闸阀；安置成接近于第一闸阀的第一喷射器口；安置在壳体外部的第一隔离阀；耦接到第一隔离阀的第一流量限制器；安置在壳体内的负载锁定喷射器口；安置在壳体外部的负载锁定隔离阀；耦接到负载锁定隔离阀的负载锁定流量限制器；被配置成调节流动到壳体的吹扫气体的量的流量控制器；其中关闭第一隔离阀导致减少量的吹扫气体流动到第一喷射器口；其中关闭负载锁定隔离阀导致减少量的吹扫气体流动到负载锁定喷射器口；其中使吹扫气体流动通过第一喷射器口导致半导体衬底上的膜中的氧含量较低。
晶片处理系统

[发明专利]用于栅极介电质的原子层沉积的实施方法-CN202310026459.8在审
发明人：汤福;蒋晓强;谢琦;M·E·吉文斯;J·W·麦斯;J·陈 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明涉及用于在基材上沉积薄膜的方法。特别地，该方法在基材上形成过渡金属硅酸盐。所述过渡金属硅酸盐例如可包括硅酸镧或硅酸钇。过渡金属硅酸盐呈现可靠性和良好的用于栅极介电材料的电特性。
用于栅极介电质原子沉积实施方法

[发明专利]衬底处理设备-CN202310075749.1在审
发明人： T·奥斯特拉肯 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底处理设备，包括：提供了支撑表面(34)的衬底支撑件(32)，所述支撑表面用于在其上支撑衬底或衬底载体(24)；和支撑加热器(50)，所述支撑加热器被构造并被布置成加热所述支撑表面(34)。所述设备包括热屏蔽，所述热屏蔽被构造并被布置成在所述支撑表面上没有衬底或衬底载体(24)时覆盖并屏蔽所述衬底支撑件(32)。
衬底处理设备

[发明专利]用于储存和处理盒的盒供应系统及配备其的处理设备-CN201910822356.6有效
发明人： C·德里德 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于存储和处理用于基材的盒的盒供应系统，以及配备有所述系统的用于处理基材的处理设备。该系统具有设置有基板的盒存储装置，该基板构造和布置成支承盒。还提供了一种具有末端执行器的盒处理器以将盒传送到基板和从基板传送盒，末端执行器具有至少一个突起以支承和定位末端执行器上的盒。基板可设置有基本平坦的表面以支承盒。
用于储存处理供应系统配备设备

[发明专利]基底加工设备及加工基底的方法-CN201710984157.6有效
发明人：荒井宏贵;森幸博;野中裕弥 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基底加工设备，包括：设置在腔室中的台架；喷洒头，在所述喷洒头中形成有多个狭缝，并且所述喷洒头与所述台架相对；第一气体供给部，其经由所述多个狭缝将第一气体供给至所述台架与所述喷洒头之间的空间；以及第二气体供给部，其将作为非惰性气体的第二气体供给至所述台架下方的区域，其中，在所述第一气体为由多种气体组成的混合气体的情况下，所述第二气体为与组成所述第一气体的多种气体中的一种相同的气体，并且在所述第一气体为单一种类气体的情况下，所述第二气体为与所述第一气体相同的气体。
基底加工设备方法

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