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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]采用（BI）CMOS工艺的雪崩光电二极管的实现-CN200780015078.9无效
发明人： A·赫林加;T·弗拉克;P·阿加沃尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：辐射探测器(46)包括形成在基底(14)上的半导体层(12)和形成在半导体层(12)上的闪烁体(30)。半导体层(12)包括与基底(14)相邻布置的n掺杂区(16)和与n掺杂区(16)相邻布置的p掺杂区(18)。沟道(20)形成在半导体层(12)之内并在p掺杂区的周围，而且填充有减小pn结边缘处的pn结曲度的材料(22)，这减小了在边缘处的击穿。闪烁体(30)布置在p掺；杂区(18)之上并与之光学耦合。辐射探测器(46)进一步包括至少一个和n掺杂区电接触的传导电极(24)。
采用 bi cmos 工艺雪崩光电二极管实现

[发明专利]具有场整形区的半导体器件-CN200480012980.1无效
发明人： A·赫林加;R·J·E·霍伊廷;J·W·斯罗特布姆 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-05-06 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有pn结(101)的半导体器件，例如二极管(200)，该器件具有毗邻且有可能桥接该pn结的绝缘材料场整形区(201)。场整形区(201)优选具有高介电常数并通过电容性电压耦合区(204，205)被耦合到与pn结上所施加电压基本相同的电压。当在pn结(101)上施加反向电压且器件不导通时，在场整形区的一部分上存在电容性电场，该场整形区延伸超出pn结耗尽区的边界，在没有场整形区(201)时存在该边界，该场整形区中的电场感应出展宽的电场，该展宽的电场限于相应展宽的pn结耗尽区(208，209)，进而获得器件的增强的反向击穿电压。
具有整形半导体器件

[发明专利]制造肖特基变容二极管的方法-CN01801189.6有效
发明人： R·德克;H·G·R·马尔斯;A·赫林加;H·施里藤霍尔斯特 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2001-02-13 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种制造肖特基变容二极管(25)的方法,包括(a)在半导体衬底(1)上提供一外延层(12);(b)提供一绝缘层,该绝缘层包括在外延层(12)表面预定区域上的氧化物层和氮化物层;(c)淀积一多晶硅层(6);(d)施加第一高温步骤扩散围绕第一预定区域的保护环(10);(e)除去多晶硅层(6)的预定部分露出第一氮化硅膜(5);(f)将原子注入穿过至少第一氧化物膜(4)提供预定的变容二极管掺杂轮廓;(g)施加第二高温步骤退火并激活变容二极管掺杂轮廓;(h)除去第一氧化物膜(4)提供露出的区域;(i)在露出的区域上提供肖特基电极(17)。
制造肖特基变容二极管方法

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