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[发明专利]在碳纳米管的定向阵列上形成的多层涂层-CN201380060639.2有效
发明人： B·蔻拉;A·夏尔;V·辛格 -专利权人：佐治亚科技研究公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本文描述了含有碳纳米结构‑氧化物‑金属二极管，诸如碳纳米管(CNT)‑氧化物‑金属二极管的阵列，以及其制造和使用方法。在一些实施方案中，所述阵列含有垂直定向的碳纳米结构，诸如用介电层的保形涂层(如金属氧化物)涂布的多壁碳纳米管(MWCNT)。碳纳米结构的尖端用诸如钙或铝的低逸出功金属涂布以在尖端处形成纳米结构‑氧化物‑金属界面。所述阵列由于其固有的低电容可以在高达约40皮赫的频率下用作整流天线。本文所描述的阵列在低至0.3V的低开启电压和高达约7800mA/cm2的大电流密度以及至少约10、15、20、25、30、35、40、45、50、55或60的整流比下产生高度不对称性和非线性。
碳纳米结构氧化物金属二极管碳纳米管多壁碳纳米管金属氧化物保形涂层不对称性垂直定向定向阵列多层涂层金属界面金属涂布开启电压纳米结构整流天线低电容尖端处介电层逸出功制造

[发明专利]用于管理主元件、例如NFC控制器与一组至少两个辅助元件之间的信息交换的方法和设备-CN201180058116.5有效
发明人： A·夏尔;J·伯勒尔;T·梅齐亚什;P·里佐 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体应用有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：一种设备包括：主元件(ME)和一组至少两个辅助元件(SEi)，所述主元件包括主要SWP接口(MINT)，每个辅助元件包括通过可控可切换的SWP链路(LK)连接到所述NFC元件的所述主控SWP接口的从属SWP接口(SLINTi)；以及管理装置(PRM，CTLM，AMGi)，被配置用于控制所述SWP链路切换用于在所述SWP链路上有选择地激活一次仅一个从属SWP接口。
用于管理元件例如 nfc 控制器一组至少两个辅助之间信息交换方法设备

[发明专利]用于连结材料层从而制备胎坯的方法-CN201080059689.5有效
发明人： J·弗雷孔;A·夏尔;F·卡纳德利 -专利权人：米其林集团总公司;米其林研究和技术股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B29D30/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将材料的外部层（12）连结至基础层（14）以制备胎坯的方法，所述胎坯具有旋转轴线（X）。所述方法包括：将所述外部层（12）施加至所述基础层（14）的步骤，继而将所述外部层（12）连结至所述基础层（14）的步骤。所述连结步骤使用挤压元件（18）进行，所述挤压元件（18）围绕所述外部层（12）并在被称作扩大构形的构形和被称作挤压构形的构形之间可弹性变形，其中压力被施加到所述外部层（12），所述挤压元件（18）向所述外部层施加径向压力，所述连结步骤包括如下步骤：所述挤压元件（18）从所述扩大构形转换到所述挤压构形；所述挤压元件（18）在所述挤压构形中沿所述胎坯的轴向方向（X）移动。
用于连结材料从而制备方法