专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]低温红外光谱测定单晶硅中替位碳含量的方法-CN201410015992.5在审
  • 张新;李智伟;姚淑;龚春平 - 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
  • 2014-01-14 - 2014-04-09 - G01N21/3563
  • 本发明涉及半导体技术。本发明针对现有技术中设备投入高、测试时间长以及一次测试费用高的问题,提供低温下测定单晶硅中替位碳含量的方法,首先,取已知替位碳含量标称值的单晶硅作为替位碳单晶硅标样,并获取所需测定的单晶硅样品,对单晶硅样品进行抛光腐蚀;在15K温度下,用低温傅里叶变换红外光谱仪分别测量替位碳单晶硅标样及单晶硅样品的红外光谱,并转换为吸收谱;找出吸收谱中在607.5cm-1吸收峰,计算出替位碳单晶硅标样及单晶硅样品607.5cm-1吸收峰的净吸收系数;计算出单晶硅样品中替位碳原子在607.5cm-1处的吸收系数;最后,计算出单晶硅中替位碳含量。通过利用吸收系数与浓度的关系,测出碳含量。适用于测定单晶硅中的替位碳含量。
  • 低温红外光谱测定单晶硅中替位碳含量方法

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