[发明专利]一种GaN基LED芯片的外延生长方法在审

专利信息
申请号: 201680049257.3 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN108124496A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 黄德猛 申请(专利权)人: 深圳市柔宇科技有限公司
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518052 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种GaN基LED芯片的外延生长方法,包括以下步骤:制备GaN薄膜;对所述GaN薄膜进行原位SiNx处理;以及在处理后的所述GaN薄膜上生长InGaN/GaN量子阱。在生长InGaN/GaN量子阱之前对GaN薄膜作原位SiNx处理,通过Ga表面活性剂作用和SiGa原子替位,使量子阱的层状结构生长得到促进,内应力得到释放,晶体质量提高,量子阱内电子空穴波函数交叠增加,发光得到大幅增强。
搜索关键词: 量子阱 外延生长 生长 表面活性剂 层状结构 电子空穴 波函数 交叠 制备 发光 释放
【主权项】:
一种GaN基LED芯片的外延生长方法,其特征在于,包括以下步骤:制备GaN薄膜;对所述GaN薄膜进行原位SiNx处理;以及在处理后的所述GaN薄膜上生长InGaN/GaN量子阱。
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