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[发明专利]电子部件-CN202210017147.6在审
发明人： 高野弘介;兼子俊彦;森崎信人;川岛康;佐佐木桃世 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，提供短路率低、可靠性高、高温负荷寿命长的电子部件。本发明的电子部件是具有素体和外部电极的电子部件。素体包含功能层和内部电极层。外部电极形成于素体的表面，并且与内部电极层电连接。素体中的氯浓度为10ppm以下。
电子部件

[发明专利]电介质陶瓷组合物、电子部件及层叠陶瓷电容器-CN201910072676.4有效
发明人： 高野弘介;佐佐木桃世;兼子俊彦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的可靠性的电介质陶瓷组合物及适用了该电介质陶瓷组合物的电子部件。一种电介质陶瓷组合物，其在A表示A位点的元素、B表示B位点的元素、O表示氧元素的情况下，以通式ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分，A包含Ba，A进一步包含选自Ca及Sr中的至少1种，B包含Ti，由X射线衍射法求得的烧结体晶格体积为以下。
电介质陶瓷组合电子部件层叠电容器

[发明专利]电介质陶瓷组合物、电子部件及层叠陶瓷电容器-CN201910073473.7有效
发明人： 高野弘介;佐佐木桃世;兼子俊彦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的可靠性的电介质陶瓷组合物及适用了该电介质陶瓷组合物的电子部件。一种电介质陶瓷组合物，在A表示A位点的元素、B表示B位点的元素、O表示氧元素的情况下，以通式ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分，A包含Ba，B包含Ti及Zr，由X射线衍射法求出的烧结体晶格体积为以上。
电介质陶瓷组合电子部件层叠电容器

[发明专利]电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件-CN201110271171.4有效
发明人：福冈智久;高野弘介;前田信;松永裕太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
电介质组成以及陶瓷电子零件

[发明专利]电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件-CN201110059754.0有效
发明人： 高野弘介;福冈智久;前田信;松永裕太;石津谷正英;石山保;山田高裕 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
电介质组成以及陶瓷电子零件

[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子部件-CN200910134079.6无效
发明人： 高野弘介;宫内真理;森崎信人;关秀明;前田信;山田高裕 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有：含有钛酸钡的主成分、含有MgO的第1副成分、含有SiO₂系烧结助剂的第2副成分、含有V₂O₅、Nb₂O₅和WO₃中的至少一种的第3副成分、含有R^A的氧化物(其中R^A为选自Tb、Gd和Dy中的至少一种)的第4A副成分、含有R^B的氧化物(其中R^B为选自Ho、Y和Yb中的至少一种)的第4B副成分、以及含有MnO或Cr₂O₃的第5副成分。
电介质陶瓷组合电子部件

[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子部件-CN200810082344.6无效
发明人：阿满三四郎;小岛隆;宫内真理;细野雅和;樱井弹;高野弘介;森崎信人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有Ba_mTiO_2+m(m满足0.99≤m≤1.01)、Ba_nZrO_2+n(n满足0.99≤n≤1.01)、Mg的氧化物、R的氧化物(R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)、选自Mn、Cr、Co和Fe中的至少一种元素的氧化物、选自Si、Li、Al、Ge和B中的至少一种元素的氧化物；相对于100mol上述Ba_mTiO_2+m，Ba_nZrO_2+n：35～65mol；Mg的氧化物：4～12mol；R的氧化物：4～15mol；Mn、Cr、Co和Fe的氧化物：0.5～3mol；Si、Li、Al、Ge和B的氧化物：3～9mol。本发明的目的在于提供耐压高、绝缘电阻的加速寿命优异、适合额定电压高(例如为100V以上)的中高压用途中使用的电介质陶瓷组合物。
电介质陶瓷组合电子部件

[发明专利]电介质陶瓷组合物以及电子部件-CN200810082345.0有效
发明人：阿满三四郎;小岛隆;宫内真理;细野雅和;樱井弹;高野弘介;森崎信人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：电介质陶瓷组合物，它是含有：含BaTiO₃的主成分；含BaZrO₃的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含稀土类元素氧化物的第3副成分；含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分；和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物，其中：在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR，设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时，CRmax/CR＞1。另外，设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM，设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时，CMmax/CM＞1。
电介质陶瓷组合以及电子部件

[发明专利]内置半导体IC模块及其制造方法-CN200410055709.8无效
发明人：高谷稔;阿部寿之;铃木圭;高野弘介;川田贤一;远藤敏一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：提供一种内置半导体IC模块，使用电极节距非常窄的半导体IC来构成内置半导体IC模块。该内置半导体IC模块包括：树脂层(140、150)；贯通树脂层(140、150)设置的柱电极(120)；以及为埋入在树脂层(140)和树脂层(150)之间而被固定的、通过研磨而薄膜化的半导体IC(130)。在本发明中，由于在将设置于半导体IC(130)中的柱状凸起(132)相对于柱电极(120)进行定位，所以柱状凸起(132)的平面位置实质上被固定，因此，可使用100μm以下、特别是60μm左右的电极节距非常窄的半导体IC。
内置半导体 ic 模块及其制造方法

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