“高田真宏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光学调制元件、光快门及光调制方法-CN202280019191.9在审
发明人：小野雅司;高田真宏 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供一种光学调制元件、光快门及光调制方法，所述光学调制元件具有：基板(11)；电极层(12)，设置于基板(11)上；介电层(13)，设置于电极层(12)上；及光吸收层(14)，设置于介电层(13)上且包含无机纳米粒子，并且无机纳米粒子通过光照射而显示局域表面等离激元共振，所述光快门包括光学调制元件，所述光调制方法为如下方法：使施加到光学调制元件的光吸收层上的电压发生变化而对入射到光学调制元件上的光的反射光或透射光进行动态调制。
光学调制元件快门方法

[发明专利]光检测元件及图像传感器-CN202180013673.9在审
发明人： 高田真宏;小野雅司 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供一种光检测元件，其具有：光电转换层，包含含有金属原子的半导体量子点QD1的集合体及与半导体量子点QD1配位的配体L1；及空穴传输层，配置于光电转换层上且包含含有金属原子的半导体量子点QD2的集合体及与半导体量子点QD2配位的配体L2，半导体量子点QD2的带隙Eg2大于半导体量子点QD1的带隙Eg1，且半导体量子点QD2的带隙Eg2与半导体量子点QD1的带隙Eg1之差为0.10eV以上。本发明也提供一种包含光检测元件的图像传感器。
检测元件图像传感器

[发明专利]半导体膜、光检测元件、图像传感器及半导体膜的制造方法-CN202180013675.8在审
发明人：小野雅司;高田真宏 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体膜，其包含含有Pb原子的半导体量子点的集合体和与半导体量子点配位的配体，1价以下的Pb原子的个数相对于2价Pb原子的个数之比为0.20以下。也提供一种包含半导体膜的光检测元件及图像传感器。也提供一种半导体膜的制造方法。
半导体检测元件图像传感器制造方法

[发明专利]固化性组合物、固化物及透镜单元-CN201880051402.0有效
发明人：小野雅司;高田真宏;谷武晴 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C08F2/44 文献下载
摘要：一种固化性组合物、固化性组合物的固化物或包含上述固化物的透镜单元，所述固化性组合物包含：氧化物粒子，至少包含铟及锡，且键合有具有烃基和对氧化物粒子的键合部位的配体；及聚合性化合物，组合物中的上述氧化物粒子的含量相对于组合物的总固体成分为18质量％以上。
固化组合透镜单元

[发明专利]金属氧化物半导体膜、薄膜晶体管、显示装置、图像传感器及X射线传感器-CN201480060668.3有效
发明人： 高田真宏;田中淳;铃木真之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物半导体膜及具备金属氧化物半导体膜的设备，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，在将膜中的铟浓度设为D_I(atoms/cm³)，且将膜中的氢浓度设为D_H(atoms/cm³)时，满足以下关系式(1)：0.1≤D_H/D_I≤1.8 (1)。
金属氧化物半导体薄膜晶体管显示装置图像传感器射线传感器

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、图像传感器、X射线传感器以及X射线数字摄影装置-CN201280038731.4有效
发明人：小野雅司;高田真宏;田中淳;铃木真之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0<a≤37/60，3a/7-3/14≤b≤91a/74-17/40，其中b>0，0<c≤3/5，a+b+c＝1，d>0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>0，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，彼此分离配置，经由氧化物半导体层可以导通。
薄膜晶体管及其制造方法显示装置图像传感器射线传感器以及数字摄影装置

[发明专利]场效晶体管的制造方法及场效晶体管、显示装置、图像传感器及X射线传感器-CN201280035996.9有效
发明人：小野雅司;高田真宏;望月文彦;田中淳;铃木真之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种场效晶体管的制造方法，其使照射光时的TFT特性稳定化。所述场效晶体管的制造方法包括：第一步骤，在配置于栅极(14)上的栅极绝缘层(16)上，使第一氧化物半导体膜(24)成膜；第二步骤，使第二氧化物半导体膜(26)成膜，第二氧化物半导体膜(26)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第三步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；第四步骤，使第三氧化物半导体膜(28)成膜，第三氧化物半导体膜(28)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第五步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及电极形成步骤，在第三氧化物半导体膜(28)上形成源极(20)及漏极(22)。
晶体管制造方法显示装置图像传感器射线传感器

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、以及具备该薄膜晶体管的装置-CN201110265137.6有效
发明人：小野雅司;高田真宏;田中淳;铃木真之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。
薄膜晶体管及其制造方法以及具备装置

[发明专利]无机化合物及含有它的组成物和成形体、发光装置、固体激光装置-CN200610132083.5无效
发明人： 高田真宏;铃木真之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： C01G1/00 文献下载
摘要：本发明的石榴石型化合物以下述一般式表示。一般式：A1(III)_3－2xA2(II)_xA3(III)_xB(III)₂C1(III)_3－xC2(IV)_xO₁₂(其中，罗马数字：离子价数；A1、A2及A3：A结点的元素、B：B结点的元素、C1及C2：C结点的元素，A1、A2、B、C1及C2分别为上述离子价数的至少1种元素，A3：从由3价的稀土类(La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)构成的组中选择的至少1种元素，A1和A3为不同的元素，0＜x＜1.5(其中，x＝1.0除外)，O：氧原子)。
无机化合物含有组成成形发光装置固体激光

1
共 9 条