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[发明专利]发光装置-CN201980039362.2在审
发明人：福田隆史;乡田哲也;咲本祐太;广崎尚登;高桥向星 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;凤凰电机株式会社;国立研究开发法人物质材料研究机构
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明是一种发光装置，其通过被来自光源的光激发而至少在超过700nm的区域具有峰值波长。一种发光装置，具备：发出在480nm以下的范围内具有峰值波长的光的固体光源、和覆盖该固体光源且含有至少一种荧光体的荧光膜，荧光膜含有：至少一种近红外荧光体，其被来自前述固体光源的光激发而在超过700nm的范围内具有峰值波长，且包含该峰值波长的范围内的发光光谱的半高全宽为100nm以上。
发光装置

[发明专利]发光装置-CN201280026710.0有效
发明人：吉村健一;高桥向星;福永浩史;增田昌嗣 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-04-02 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有效地提高了显色性的发光装置。发光装置(1)具备光源(2)，其射出规定波长处的强度成为最大的光；第一荧光体(黄色荧光体)(51)，其吸收光源(2)所射出的光而射出比规定波长长的第一波长处的强度成为最大的荧光；和第二荧光体(红色荧光体)(52)，其吸收光源(2)所射出的光而射出比第一波长长的第二波长处的强度成为最大的荧光。第二荧光体(52)在第一波长处的光吸收率的波长依赖性的绝对值为0.6％／nm以下。由此，能够有效地提高发光装置(1)所射出的光的显色性。
发光装置

[发明专利]发光装置-CN201380068297.9在审
发明人：吉村健一;福永浩史;原田昌道;高桥向星 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供如下发光装置：Eu活化β型赛隆荧光体的一次颗粒的50％面积平均直径为10μm以上，散射部件的从激励光源发出的激励光的峰值波长的散射概率为0.1mm^-1以上0.5mm^-1以下，Eu活化β型赛隆荧光体与散射部件一起以分散的状态被封入透明部件中。
发光装置

[发明专利]半导体发光装置-CN201280005648.7有效
发明人：吉村健一;高桥向星;福永浩史 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供了具有高发射效率、出色的稳定性和温度性能，且产生足以用于实用的高显色性能的光的发光装置。此半导体发光装置(1)包含发射蓝光的半导体发光元件(2)、吸收所述蓝光并发射绿光的绿色荧光体(14)、和吸收所述蓝光并发射橙光的橙色荧光体(13)，且其特征在于，所述橙色荧光体是具有在595至620nm的范围内的发射光谱峰波长的Eu-活化α-SiAlON荧光体。
半导体发光装置

[发明专利]发光装置及图像显示装置-CN201210223577.X有效
发明人： 高桥向星;原田昌道;广崎尚登 -专利权人：夏普株式会社;独立行政法人物质.材料研究机构
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种发光光谱形状与光的三原色的滤色器（216）良好匹配的第一荧光体的制造方法、包含该第一荧光体的发光装置（201a）及使用该发光装置的图像显示装置。发光装置（201a）包括发出激发光的半导体发光元件（102）和吸收激发光而发出绿光的第一荧光体，第一荧光体包含固溶体，该固溶体在具有β型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素（M）而形成，所述晶体中的含氧量为0.8质量%以下。
发光装置图像显示装置

[发明专利]液晶显示装置-CN201080038376.1无效
发明人： 高桥向星;渡边昌规;花本哲也;增田昌嗣;寺岛贤二 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示装置，具备背光灯和滤光器，所述液晶显示装置的特征在于，所述背光灯具备发光装置，所述发光装置包括：发出蓝色光的发光元件、吸收从所述发光元件发出的一次光的一部分而发出第1二次光的绿色荧光体、以及吸收从所述发光元件发出的一次光的一部分而发出第2二次光的红色荧光体；所述绿色荧光体是在具有β型Si3N4结晶构造的氮化物或者氮氧化物的结晶中固溶了Eu和Al的β型SiAlON荧光体；所述滤光器按照对所述液晶显示装置的各像素所分配的每个子像素，将红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和黄色(Y)的各种颜色用滤光器配置在平面上。从而，色彩再现性(NTSC比)良好、且发光亮度高。
液晶显示装置

[发明专利]发光装置-CN201080028595.1有效
发明人：吉村健一;高桥向星;福永浩史;广崎尚登 -专利权人：夏普株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种实现发光效率高、发出具有高演色性的光的发光装置。本发明所涉及的半导体发光装置(1)具备：发出蓝色光的半导体发光元件(2)、吸收该蓝色光来发出绿色光的绿色荧光体(14)、和吸收该蓝色光来发出橙色光的橙色荧光体(13)，上述绿色荧光体(14)和橙色荧光体(13)所发出的荧光的发光光谱的峰值波长在540nm以上且565nm以下的范围，在设该峰值波长的发光强度为PI(MAX)、比该峰值波长长90nm的长波长下的发光强度为PI(90)时，满足下面的关系：0.70＞PI(90)/PI(MAX)＞0.55。
发光装置

[发明专利]荧光体的制造方法、发光装置及图像显示装置-CN200810098708.X无效
发明人： 高桥向星;原田昌道;广崎尚登 -专利权人：夏普株式会社;独立行政法人物质.材料研究机构
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01J1/63 文献下载
摘要：本发明提供一种发光光谱形状与光的三原色的滤色器(216)良好匹配的第一荧光体的制造方法、包含该第一荧光体的发光装置(201a)及使用该发光装置的图像显示装置。发光装置(201a)包括发出激发光的半导体发光元件(102)和吸收激发光而发出绿光的第一荧光体，第一荧光体包含固溶体，该固溶体在具有β型Si₃N₄晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素(M)而形成，所述晶体中的含氧量为0.8质量％以下。
荧光制造方法发光装置图像显示装置

[发明专利]氧氮化物荧光体以及发光器件-CN200710108894.6有效
发明人： 高桥向星;广崎尚登 -专利权人：夏普株式会社;独立行政法人物质.材料研究机构
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明提供氧氮化物荧光体，该氧氮化物荧光体由组成式M(1)_1－jM(2)_jSi_bAl_cO_dN_e(组成式I)或组成式M(1)_1－a－jM(2)_jCe_aSi_bAl_cO_dN_e(组成式II)表示，并含有50％或以上的JEM相，并提供发光器件，该发光器件包括发射激发光的半导体发光元件，根据本发明氧氮化物荧光体的第一荧光体，其吸收激发光并发射荧光的、以及一种或多种第二荧光体，其吸收激发光且发射波长比第一荧光体所发射的荧光的波长长的荧光。由此，可提供能够主要高效发射波长为510nm或以下的光的新型氧氮化物以及使用该新型氧氮化物的发光器件。
氮化物荧光以及发光器件

[发明专利]荧光体和发光装置-CN200610126761.7无效
发明人： 高桥向星;广崎尚登 -专利权人：夏普株式会社;独立行政法人物质.材料研究机构
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明获得了一种具有出色发光效率的JEM相荧光体，且提供了一种发光装置，所述发光装置包括第一和第二荧光体，且其中来自第二荧光体的荧光没有被第一荧光体显著吸收，JEM相荧光体作为第一荧光体。第一荧光体是在与第一荧光体的发射波长为互补色关系的波长具有至多30％的光吸收的JEM相荧光体。在具有第一荧光体和发射比第一荧光体的波长长的荧光的第二荧光体的组合的发光装置中，第一荧光体在第二荧光体的发射波长具有至多30％的光吸收。
荧光发光装置

[发明专利]氧氮化物磷光体和半导体发光器件-CN200610008857.3有效
发明人： 高桥向星;广崎尚登 -专利权人：夏普株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2006-02-22 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明提供组成通式M_1－aCe_aSi_bAl_cO_dN_e表示的氧氮化物磷光体，其中M表示La或其中主要成分是La且次要成分是选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中至少一种的元素的化合物；表示Ce的组成比的a是满足0.1≤a≤1的实数；表示Si的组成比的b是满足b＝(6－z)×f的实数；表示Al的组成比的c是满足c＝(1+z)×g的实数；表示O的组成比的d是满足d＝z×h的实数；表示N的组成比的e是满足e＝(10－z)×i的实数；z是满足0.1≤z≤3的实数；f是满足0.7≤f≤1.3的实数；g是满足0.7≤g≤3的实数；h是满足0.7≤h≤3的实数；i是满足0.7≤i≤1.3的实数；且JEM相的含量为50％或更多；并提供了使用所述氧氮化物磷光体的半导体发光器件。
氮化物磷光体半导体发光器件

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