“高垣爱”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法-CN201810480094.5有效
发明人：浜口仁美;高垣爱;菱川翔太;金美花 -专利权人： MEC股份有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明的蚀刻液为铜的蚀刻液；并且所述蚀刻液为含有酸、氧化性金属离子、具有五元环的杂芳香族化合物(A)、以及选自由具有五元环至六元环的杂芳香族化合物(B1)及烷醇胺(B2)所组成的群组中的一种以上的化合物的水溶液；所述(A)为不具有羟烷基，且具有一个以上的氮原子作为构成环的杂原子的杂芳香族化合物；所述(B1)为具有一个以上的氮原子作为构成环的杂原子，且经含有碳数1以上5以下的羟烷基的取代基所取代的杂芳香族化合物；所述(B2)为具有通式(1)：R1‑N(R2)‑R3的化合物(通式(1)中，R1及R2独立地表示烷基或碳数1以上8以下的羟烷基，R3表示氢原子、烷基或碳数1以上8以下的羟烷基，且R1至R3中至少一个为所述羟烷基)。
蚀刻补给以及布线形成方法

[发明专利]蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法-CN201480065769.X有效
发明人：小寺浩史;高垣爱 -专利权人： MEC股份有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种可在无损铜布线的直线性的状况下抑制侧面蚀刻的蚀刻液及其补给液、以及铜布线的形成方法。本发明的蚀刻液是铜的蚀刻液，且是包含酸、氧化性金属离子及杂芳香族化合物的水溶液。所述杂芳香族化合物在分子内包含：五元芳香杂环，具有一个以上的氮作为构成环的杂原子；及六元芳香杂环，具有一个以上的氮作为构成环的杂原子。
蚀刻补给以及布线形成方法

[发明专利]蚀刻液及导体图案的形成方法-CN201210179719.7有效
发明人：户田健次;高垣爱 -专利权人： MEC股份有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供即使连续或反复使用，也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液，和使用其的导体图案的形成方法。本发明的蚀刻液的特征为，是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液，其中，含有唑和芳香族化合物，所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子，所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中的至少一种。另外，本发明的导体图案的形成方法的特征为，使用上述本发明的蚀刻液，将电绝缘件（1）上铜层的未被抗蚀剂（3）覆盖的部分进行蚀刻，形成导体图案（2）。
蚀刻导体图案形成方法

[发明专利]蚀刻液及导体图案的形成方法-CN200810214328.8有效
发明人：户田健次;高垣爱 -专利权人： MEC股份有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供即使连续或反复使用，也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液，和使用其的导体图案的形成方法。本发明的蚀刻液的特征为，是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液，其中，含有唑和芳香族化合物，所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子，所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中的至少一种。另外，本发明的导体图案的形成方法的特征为，使用上述本发明的蚀刻液，将电绝缘件(1)上铜层的未被抗蚀剂(3)覆盖的部分进行蚀刻，形成导体图案(2)。
蚀刻导体图案形成方法