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[发明专利]层叠玻璃陶瓷电介质材料、烧结体、烧结体的制造方法以及高频用电路部件-CN202280013406.6在审
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01B3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在于20GHz以上的高频区域中具有低介电特性和高机械强度的层叠玻璃陶瓷电介质材料、烧结体及高频用电路部件。本发明的层叠玻璃陶瓷电介质材料的特征在于，具有至少依次层叠有外层、内层、外层而成的层叠结构，所述外层包含在测定温度25℃、频率28GHz的条件下测得的烧结后的相对介电常数为5.5以下的材料，并且所述内层包含烧结后的热膨胀系数比所述外层的烧结后的热膨胀系数高的材料。
层叠玻璃陶瓷电介质材料烧结制造方法以及高频用电部件

[发明专利]玻璃粉末、电介质材料、烧结体以及高频用电路部件-CN202080056009.8有效
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C03C3/089 文献下载
摘要：本发明的玻璃粉末的特征在于，在包含碱硼硅酸玻璃的玻璃粉末中，在玻璃组成中包含Li2O+Na2O+K2O 0.1～1.0摩尔％(其中不含1.0摩尔％)，摩尔比Li2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.35～0.65，摩尔比Na2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.25～0.55，摩尔比K2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.025～0.20，且25℃、16GHz下的相对介电常数为3.5～4.0，25℃、16GHz下的介质损耗角正切为0.0020以下。
玻璃粉末电介质材料烧结以及高频用电部件

[发明专利]玻璃陶瓷电介质材料、烧结体及高频用电路部件-CN202180057327.0在审
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C03C3/062 文献下载
摘要：本发明的玻璃陶瓷电介质材料含有玻璃粉末和α石英粉末，其中，玻璃粉末的含量为60～80质量％、α石英粉末的含量为20～40质量％，并且，作为玻璃组成，玻璃粉末按质量％计含有SiO238～50％、MgO 10～20％、CaO 15～25％、ZnO 15～25％、Li2O‑+‑Na2O+K2O0％～低于2％。
玻璃陶瓷电介质材料烧结高频用电部件

[发明专利]玻璃陶瓷电介质材料、烧结体、烧结体的制造方法以及高频用电路部件-CN202211195023.3在审
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明的层叠玻璃陶瓷电介质材料的特征在于，至少具有按照外层、内层、外层的顺序层叠而成的层叠结构，上述外层分别由厚度0.1～5μm的氧化铝形成，且上述内层包含以质量％计含有SiO2 50～60％、CaO 20～30％、MgO 15～21％作为玻璃组成的结晶性玻璃粉末。
玻璃陶瓷电介质材料烧结制造方法以及高频用电部件

[发明专利]结晶性玻璃粉末、玻璃陶瓷电介质材料、烧结体和高频电路部件-CN202211025439.0在审
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制作烧结体和高频用电路部件的结晶性玻璃粉末和玻璃陶瓷电介质材料。该烧结体能够以1000℃以下的温度对导体Ag不变色地进行烧制并且在20GHz以上的高频区域具有低的介质损耗角正切和高的抗弯强度。本发明的结晶性玻璃粉末的特征在于：进行热处理时，作为主结晶，析出(CaxMg2－x)Si2O6结晶(0.6≤x≤0.9)和(CaySr1－y)(Al2Si2O8)结晶(0.1≤y≤0.2)。
结晶玻璃粉末陶瓷电介质材料烧结高频电路部件

[发明专利]复合粉末、生片、光反射基材及使用这些的发光器件-CN201780020661.2有效
发明人： 马屋原芳夫;姬井久美子 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C03C8/20 文献下载
摘要：本发明的复合粉末的特征在于，在包含玻璃粉末和陶瓷粉末的复合粉末中，玻璃粉末的含量为30～60体积％，陶瓷粉末的含量为40～70体积％，玻璃粉末以质量％计含有SiO210～30％、B2O3大于20％且40％以下、SrO+BaO 20～40％、Al2O30～10％、ZnO 0～15％作为玻璃组成，且用于光反射基材。
复合粉末反射基材使用这些发光器件

[发明专利]封装件基体以及使用了该封装件基体的气密封装件-CN201880010946.2在审
发明人：广濑将行;马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2018-02-19 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明的封装件基体的特征在于，具有大致矩形的基部以及沿着该基部的外周设置的大致边框状的框部，在该框部的所有内壁角部或者一部分内壁角部具有应力缓冲部。
封装件壁角基部框部边框气密封装件应力缓冲部大致矩形外周

[发明专利]陶瓷布线基板、陶瓷布线基板用陶瓷生坯片及陶瓷布线基板用玻璃陶瓷粉末-CN201480051062.3有效
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明的陶瓷布线基板(1)具备陶瓷基板(10)和内部导体(20)。内部导体(20)配置于陶瓷基板(10)内。陶瓷基板(10)包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料。第一陶瓷填料在‑40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于第二陶瓷填料在‑40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数。第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于第一陶瓷填料的3点弯曲强度。
陶瓷布线基板用生坯玻璃粉末

[发明专利]光反射基材和使用该基材的发光设备-CN201510523385.4在审
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种作为材料不使用微小粒子也能实现高光反射率的光反射基材和使用该基材的发光设备。本发明的光反射基材是在玻璃基体中含有RNb₂O₆结晶和/或R₄Nb₂O₉结晶，其中，R为Mg、Ca、Sr、Ba中的任一种或一种以上。
反射基材使用发光设备

[发明专利]光反射基材用材料、光反射基材和使用该基材的发光设备-CN201180018245.1有效
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2011-04-05 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够易于制造具有高光反射率的光反射基材的材料。本发明的光反射基材用材料，其特征在于，作为组成，含有Nb2O5结晶粉末和实质上不含CaO的玻璃粉末。
反射基材用材使用发光设备

[发明专利]光反射基材和使用该基材的发光设备-CN201180011360.6有效
发明人： 马屋原芳夫 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种作为材料不使用微小粒子也能实现高光反射率的光反射基材和使用该基材的发光设备。本发明的光反射基材是在玻璃基体中含有RNb2O6结晶和/或R4Nb2O9结晶，其中，R为Mg、Ca、Sr、Ba中的任一种或一种以上。
反射基材使用发光设备

[发明专利]荧光体复合部件的使用-CN201210218431.6无效
发明人：藤田俊辅;马屋原芳夫;岩尾克;菊谷武民 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体复合部件的使用，其中，所述荧光体复合部件通过配置在发光芯片的发光面一侧，能够将从发光芯片发出的光变换为其它波长的光，所述荧光体复合部件是将荧光体复合材料烧制而成，所述荧光体复合材料为包括玻璃粉末和荧光体粉末的荧光体复合材料，所述玻璃粉末是SnO－P2O5－B2O3类玻璃，SnO－P2O5－B2O3类玻璃含有2～30摩尔％的B2O3，P2O5的含量为5～24摩尔％。
荧光复合部件使用

[发明专利]掺杂剂源及其制造方法-CN201110006524.8有效
发明人： 马屋原芳夫;铃木良太;西川欣克;池边胜;森弘树;长谷川义德 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。
掺杂及其制造方法

[发明专利]掺杂剂源及其制造方法-CN200880008599.6有效
发明人： 马屋原芳夫;铃木良太;西川欣克;池边胜;森弘树;长谷川义德 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供一种耐热性高且B₂O₃挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO₂为20～50摩尔％、Al₂O₃为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B₂O₃为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO₂为30～60摩尔％、Al₂O₃为10～30摩尔％、B₂O₃为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO₂为8～30摩尔％、Al₂O₃为50～85摩尔％、B₂O₃为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。
掺杂及其制造方法

[发明专利]荧光体复合材料和荧光体复合部件-CN200780022029.8有效
发明人：藤田俊辅;马屋原芳夫;岩尾克;菊谷武民 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体复合材料和将其烧制而得到的荧光体复合部件，上述荧光体复合材料能够以低温烧制，并且能够制成耐候性优异、即使长时间使用劣化也少的荧光体复合部件。本发明的荧光体复合材料是包括玻璃粉末和荧光体粉末的荧光体复合材料，其特征在于，上述玻璃粉末是SnO-P₂O₅-B₂O₃类玻璃。
荧光复合材料复合部件

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