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- [发明专利]动态随机存取存储器单元电容器及其制造方法-CN98117480.9无效
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韩旻锡;申志澈;南硕祐;李炯硕
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三星电子株式会社
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1998-09-04
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1999-03-10
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H01L21/8242
- DRAM单元电容器,在电容器下电极上形成HSG层,以便增加电容器的电容量。电容器下电极在其上边缘具有斜角形,HSG硅层不形成在电容器下电极的上边缘上。一种制造该DRAM单元电容器的方法,包括使光刻胶图形作掩模腐蚀导电层的上部分,同时在光刻胶图形两侧壁上形成聚合物,以腐蚀其上部分,从而使导电层的上边缘成斜角形。用光刻胶图形和聚合物的组合用掩模,腐蚀导电层的剩余部分,直到暴露层间绝缘层的上表面为止,由此形成电容器下电极。
- 动态随机存取存储器单元电容器及其制造方法
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