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[发明专利]光谱信号监测器、光谱信号监测方法、设备及存储介质-CN202310884389.X在审
发明人： 靳思玥;贺志学;李超;王磊 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本发明提供一种光谱信号监测器、光谱信号监测方法、设备及存储介质，该光谱信号监测器通过第一耦合模块将待监测光网络信号发送至第一信号调节模块；第一信号调节模块将待监测光网络信号进行第一光谱整形，获得第一光网络信号；信道拓展模块将原始信道进行拓展以获得预设数量的传输信道，并基于传输信道将第一光网络信号发送至第二信号调节模块；第二信号调节模块将第一光网络信号进行第二光谱整形，获得目标光网络信号；第二耦合模块获取各个传输信道对应的电流响应信号并结合传输函数，确定待监测光网络信号的光谱重构值。由于发明对待监测光网络信号进行分辨率调节，且各个信道同时进行信号获取，能够得到精准的光谱重构值。
光谱信号监测器监测方法设备存储介质

[发明专利]片上集成单光子源发光增强装置及其制备方法-CN202111023392.X在审
发明人：许兴胜;甄贞;靳思玥;任杰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H04B10/70 文献下载
摘要：本公开提供一种片上集成单光子源发光增强装置及其制备方法，装置包括：芯片(2)，用于在泵浦激光的激发下产生单光子；其中，芯片(2)包括复合折射率波导和涂覆在复合折射率波导上的单量子点，泵浦激光激发单量子点产生单光子；复合折射率波导包括叠加的第一波导(210)和第二波导(220)，第二波导(220)从三面包覆第一波导(210)，在第二波导(220)中形成微腔并形成连续域中束缚态；第二波导(220)的折射率小于第一波导(210)的折射率，单光子耦合进入微腔中被增强。本公开的装置可以增强单光子源发光以及实现室温下单光子源的片上集成。
集成光子发光增强装置及其制备方法

[发明专利]电泵浦量子点单光子源及其制备方法-CN201811389487.1有效
发明人：许兴胜;靳思玥;秦璐 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种电泵浦量子点单光子源及其制备方法，方法包括：步骤S101：准备III‑V族化合物量子阱发光芯片；步骤S102：在III‑V族化合物量子阱发光芯片上制作金属孔；步骤S103：在步骤S102制出的芯片表面引入量子点，完成器件的制作，本发明电泵浦量子点单光子源及其制备方法缓解了现有技术中存在的光泵浦量子点单光子源的实用性和便携性较差，及量子点单光子源的发光效率低的技术问题，达到了提高单光子源的实用性和便携性，及提高量子点单光子源的发光效率的技术效果。
电泵浦量子光子及其制备方法

[发明专利]III-V族/硅材料开槽键合的激光器结构及其方法-CN201811461968.9有效
发明人：许兴胜;秦璐;靳思玥;徐波 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开一种III‑V族/硅材料开槽键合的激光器结构及其方法，涉及混合激光器的结构设计领域，其方法包括：制备脊型波导结构；制作凹槽型III‑V族激光器；将所述脊型波导结构嵌入所述III‑V族激光器凹槽对准并进行键合，键合后形成倏逝波耦合结构，激光器发光从SOI波导端口耦合输出。本发明采用开槽结构的激光器和硅基器件进行耦合，在纵向方向上采用了槽型嵌入式结构，从横向方向限制了硅基传输器件在空间上的偏移距离，增加键合强度，同时降低了键合难度；此外，本发明利用ZnO透明导电薄膜辅助键合混合激光器，ZnO具有良好的透过率且在高温薄膜后可以形成低阻导电层。
iii 材料开槽激光器结构及其方法

[发明专利]片上键合Si/III-V量子点单光子源及其制备方法-CN201811343981.4有效
发明人：许兴胜;秦璐;靳思玥 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上键合Si/III‑V量子点单光子源及其制备方法，该量子点单光子源包括：波导耦合器件；量子点单光子源，键合于波导耦合器件的垂直上方，该量子点单光子源采用以III‑V族量子点为有源层的外延片制作。本发明提出的量子点单光子源与SOI波导耦合器件键合形成的混合型单光子源结构可以实现片上单光子光源的发光和光传输的小型化和集成化；使用金属辅助键合可以形成大面积电注入，减少电流聚集导致的局部温度过高；垂直结构进一步节省片上空间，并且可以键合不同种材料，扩展了光网络的可使用材料。
片上键合 si iii 量子光子及其制备方法