“雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]使用等离子体增强氧化钝化的硅蚀刻-CN201510819617.0有效
发明人： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;罗伯特·P·谢比 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻硅层的方法和装置。所述硅层放置于蚀刻室中。提供包括含氟气体和含氧、氢气体的蚀刻气体进入所述蚀刻室。由所述蚀刻气体产生等离子体，使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层中。然后停止所述蚀刻气体。所述等离子体可含有OH自由基。
蚀刻气体硅层等离子体蚀刻室等离子体蚀刻等离子体增强方法和装置图案化掩模含氟气体蚀刻硅层氧化钝化硅蚀刻氢气体含氧

[发明专利]用于在BOSCH蚀刻工艺后实现平滑的侧壁的方法-CN201280023025.2有效
发明人： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;弗兰克·Y·琳;艾伦·J·米勒;许青;徐相俊;咸进焕;尹尚俊;卡梅利娅·鲁苏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。
用于 bosch 蚀刻工艺实现平滑侧壁方法

[发明专利]使用等离子体增强氧化钝化的硅蚀刻-CN200980140632.5有效
发明人： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;罗伯特·P·谢比 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻硅层的方法和装置。所述硅层放置于蚀刻室中。提供包括含氟气体和含氧、氢气体的蚀刻气体进入所述蚀刻室。由所述蚀刻气体产生等离子体，使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层中。然后停止所述蚀刻气体。所述等离子体可含有OH自由基。
使用等离子体增强氧化钝化蚀刻

[发明专利]去除光致抗蚀剂的方法和装置-CN200980141318.9有效
发明人：罗伯特·P·谢比;雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-10-08 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：从晶片上去除光致抗蚀剂的方法和设备。提供包含有硫(S)、氧(O)和氢(H)的工艺气体，且在第一腔室中由所述工艺气体产生等离子体。富含自由基且少离子的反应介质从第一腔室流至放置有晶片的第二腔室。采用所述反应介质去除晶片上的图案化的光致抗蚀剂层，然后停止所述反应介质流进所述第二腔室。可在设置在从等离子体向下流的反应介质的通道中的溶剂化区中引入水蒸汽，使得在反应介质到达所述晶片之前所述水蒸汽溶剂化反应介质，以形成溶剂化的团簇物质。采用溶剂化反应介质去除光致抗蚀剂。
去除光致抗蚀剂方法装置

[发明专利]使用化学气相沉积钝化的硅蚀刻-CN200980141317.4有效
发明人： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;罗伯特·P·谢比 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：使用蚀刻室通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻该硅层。在所述蚀刻室中提供含氟(F)蚀刻气体和含硅(Si)化学气相沉积气体。所述含氟(F)蚀刻气体用于蚀刻特征到所述硅层，所述含硅(Si)化学气相沉积气体用于在所述特征的侧壁上形成含硅沉积层。由所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体产生等离子体，并提供偏压。使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层，在蚀刻的所述特征的侧壁上沉积含硅钝化层。所述钝化层中的硅主要来自所述化学气相沉积气体。然后停止所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体。
使用化学沉积钝化蚀刻

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top