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[实用新型]压力测量装置及压力传感器-CN202320596631.9有效
发明人：李召兴;牟昌华;赵迪;胡蕾;随辰;王圻;栗晓;张锋;杨庆利;彭振;邓博文 -专利权人：北京七星华创流量计有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压力测量装置及压力传感器，该装置中，电容结构包括相对设置于容腔中的定电极和动电极，动电极相邻于开口，且能够感受到外界压力并产生形变，以改变动电极与定电极构成的电容；电感结构，包括电感线圈和磁芯，电感线圈与定电极绝缘连接；磁芯与动电极固定连接，且位于电感线圈所在圆周内侧，磁芯能够在动电极形变时与电感线圈产生相对位移，以改变电感线圈的电感；电感线圈、动电极与定电极用于与计算电压的处理器电连接，且被设置为使电感与电容并联。本实用新型不仅可以提高线性度和精度，而且还可以减少受外部干扰的影响，从而可以提高信号稳定性。
压力测量装置压力传感器

[发明专利]压力传感器-CN202310398113.0在审
发明人：张锋;牟昌华;赵迪;胡蕾;随辰;王圻;栗晓;李召兴;杨庆利;彭振;邓博文;阮向娟 -专利权人：北京七星华创流量计有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种压力传感器，包括第一固定座、第二固定座、导电薄膜和固定电极，包括：第一固定座、第二固定座、导电薄膜和固定电极；固定电极设置在第一固定座中；导电薄膜夹持固定于第一固定座与第二固定座之间，且与固定电极相对设置；第一固定座和第二固定座的与导电薄膜接触的端面中的一者上形成有凸起部，另一者上形成有凹陷部，凸起部和凹陷部相配合以张紧导电薄膜；或者还包括压紧部，第一固定座和第二固定座的与导电薄膜接触的端面中的至少一个上形成有容纳压紧部的容纳凹陷部，压紧部和容纳凹陷部相配合以张紧导电薄膜。本发明通过第一固定座端面与第二固定座端面之间的结构将导电薄膜拉伸平整，提高了压力传感器的检测精度及稳定性。
压力传感器

[发明专利]一种压力传感器及其制造方法-CN202210898934.6在审
发明人：随辰;栗晓;张锋;牟昌华;赵迪;胡蕾;张海洋;李召兴;王圻;杨庆利;彭振;阮向娟 -专利权人：北京七星华创流量计有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种压力传感器及其制造方法，涉及半导体制造领域，绝缘介质层靠近动膜一侧设置了第一电极，第一电极与动膜构成第一检测电容。由于第一电极的面积大于第二电极的面积和第三电极的面积，第一检测电容的电容量大于第二检测电容和第三检测电容，没有非压力因素干扰时，通过第一检测电容测量数据计算被测环境的压力可提高产品精度。绝缘介质层与固定基板之间同层设置了第二电极和第三电极，第二电极和第三电极分别与动膜构成第二检测电容和第三检测电容。根据第二检测电容和第三检测电容的电容量可消除非压力因素引起的信号干扰，进而结合第一检测电容的电容量获得精度更高的测量结果，提高了产品精度。
一种压力传感器及其制造方法

[发明专利]压力传感器及其制造方法-CN202210510701.4在审
发明人：张锋;牟昌华;赵迪;胡蕾;随辰;王圻;栗晓;李召兴;杨庆利;彭振;邓博文 -专利权人：北京七星华创流量计有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种压力传感器，包括顶盖组件、上座和动膜，上座的顶部及底部均形成有开口，顶盖组件密封上座的顶部开口，动膜密封上座的底部开口，顶盖组件、上座和动膜三者形成压力参考腔，压力传感器用于基于动膜的状态检测动膜背离顶盖组件一侧的气体压力，顶盖组件上形成有至少一个导气通道，导气通道用于使压力参考腔与外部连通，顶盖组件包括至少一个封堵件，封堵件用于密封导气通道，其中，封堵件是在被加热至高于预设熔融温度时至少部分熔化并在冷却后凝固而密封导气通道的。采用本发明提供的压力传感器的制作效率高且结构稳固、压力检测精度高。本发明还提供一种压力传感器的制造方法。
压力传感器及其制造方法

[发明专利]一种高可靠性高磁导率锰锌铁氧体及其制备方法和制成品-CN201910840201.5有效
发明人：李想;景峰;吕海波;随辰;刘怀民;高喜英;黄勇 -专利权人：北京七星飞行电子有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及铁氧体材料技术领域，尤其是涉及一种高可靠性高磁导率锰锌铁氧体及其制备方法和制成品。所述制备方法包括如下步骤：将预压成型的铁氧体坯件进行烧结；烧结的方法包括：在负压的环境下升温并于1350℃‑1420℃条件下保温3.5h‑7.5h，然后降温；在保温阶段后期30min‑5min调节气氛使烧结体系中的氧含量为1.0％‑6.0％；在降温至1250℃‑1080℃时，调节烧结体系中的氧含量为0‑1.0％；烧结体系的气氛调节结束后再次将烧结体系抽至负压，使体系的绝对压力值为50kPa‑70kPa。本发明的铁氧体的制备方法，通过采用特定的烧结工艺，兼顾提高材料的磁导率、居里温度以及饱和磁通密度等。
一种可靠性磁导率铁氧体及其制备方法制成品

[实用新型]一种用于电容器的U形瓷件、电容器及传感器-CN201821664505.8有效
发明人：刘成;随辰;王军;王骞;袁峰;颜祥峰 -专利权人：北京七星飞行电子有限公司;大连第一互感器有限责任公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：本实用新型涉及电气设备领域，尤其是涉及一种用于电容器的U形瓷件、电容器及传感器。所述瓷件的外形由“U”形截面绕所述“U”形截面的对称轴旋转一周形成。该电容器包括了前述瓷体。该传感器包括了前述电容器。通过改进电容器瓷体的结构为“U”形截面，增大了制成电容器的爬电距离与电容量，避免电容器的沿面击穿，减小电容器的电压失效率，从而解决了现有技术中存在高压电容器的电压失效率较高，主要表现为沿面击穿，严重影响了传感器正常功能的实现的技术问题，以及有效增加电容器的电容量从而改善制成的传感器的带载及抗干扰能力。
电容器传感器瓷件电容量失效率形截面瓷体击穿本实用新型高压电容器抗干扰能力电气设备爬电距离旋转一周正常功能对称轴带载减小表现改进

[实用新型]一种用于电容器的H形瓷件、电容器及传感器-CN201821661803.1有效
发明人：刘成;随辰;王军;王骞;袁峰;颜祥峰 -专利权人：北京七星飞行电子有限公司;大连第一互感器有限责任公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01B17/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及电气设备领域，尤其是涉及一种用于电容器的H形瓷件、电容器及传感器。该瓷件包括：圆片和环形片；所述环形片成型在所述圆片的外周，并且所述圆片的中心轴与所述环形片的中心轴重合，以形成截面为H形的瓷件。该电容器包括了前述瓷件。该传感器包括了前述电容器。通过改进电容器瓷件的结构设计，增大了瓷件的爬电距离，避免电容器的沿面击穿，减小电容器的电压失效率，从而解决了现有技术中存在高压电容器的电压失效率较高，主要表现为沿面击穿，严重影响了传感器正常功能的实现的技术问题。
电容器瓷件传感器环形片圆片失效率中心轴击穿本实用新型高压电容器电气设备爬电距离正常功能重合减小外周成型改进表现

[发明专利]一种制备二氧化硅包覆碳纳米管及二氧化硅纳米管的方法-CN201210008270.8有效
发明人：毕见强;随辰;张政;王伟礼;白玉俊 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二氧化硅包覆碳纳米管及二氧化硅纳米管的方法，该方法以活泼金属为还原剂、氯化硅为硅源，加热温度到450℃～600℃，并保温3～8小时，使反应物进行反应，自然冷却后用去离子水清洗、抽滤，至滤液呈中性为止，在50～70℃下烘干8h～12h，得到灰黑色的二氧化硅包覆碳纳米管；将所得的二氧化硅包覆碳纳米管在空气中加热至700～750℃进行氧化处理，即可得到灰白色的二氧化硅纳米管。该发明以四氯化硅为硅源，以锌作为还原剂和金属溶剂，利用硬模板法制备得到二氧化硅的纳米管，所用的设备简单，工艺稳定，生产效率高，可用于大规模的制备二氧化硅包覆碳纳米管及二氧化硅纳米管。
一种制备二氧化硅包覆碳纳米方法

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