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[发明专利]断线修复方法、阵列基板和有源矩阵显示装置-CN201911236809.3有效
发明人：山下佳大朗;王尚龙;王瑞丽;陈智冈 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本公开涉及显示技术领域，提供一种断线修复方法、阵列基板和有源矩阵显示装置。断线修复方法包括：提供一阵列基板，具有设置于底周边区的数据驱动电路、自数据驱动电路引出的经有效显示区延伸至顶周边区的多条数据线、自数据驱动电路引出的沿侧周边区和顶周边区延伸的修复线；检测阵列基板的各数据线，确定断线数据线；在顶周边区，激光焊接断线数据线的与修复线的交叉位置，使断线数据线与修复线熔接；在顶周边区，靠近交叉位置处断开修复线，形成自数据驱动电路接通断线数据线的修复段，断线数据线断开的两段分别自数据驱动电路、以及数据驱动电路和修复段导入信号。本公开可以实现断线数据线的高修复成功率和修复后的小电阻‑电容负载。
断线修复方法阵列有源矩阵显示装置

[发明专利]一种电性测试结构及方法-CN201410073483.8有效
发明人：高印;柯其勇;颜圣佑;陈智冈 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种电性测试结构及方法，所述测试结构包括至少两层金属层，相邻的两金属层之间均设置有所述介电层，且该相邻的两金属层具有重叠区域，形成电容结构；其中，每个所述金属层上均至少设置有两个测试pad，每个所述测试pad均与一金属层相连接；任意选取两个分别连接两层不同金属层的接触pad进行电性测试。本发明通过对测试pad的共用，不仅可以方便测量出两pad之间的待测金属的电阻值，还可以利用该结构测量得出相邻金属层之间形成的电容值，得到更加全面的测量数据，同时有效地节省了测试所占用的空间，提高了测量效率。
一种测试结构方法

[发明专利]一种激光修补线缺陷的方法-CN201510240897.X在审
发明人： 陈智冈 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种激光修补线缺陷的方法，该技术方案主要通过将显示器阵列基板上己破损的非导电层以激光施打溅镀的方式进行补回，进而再实施金属线路的修复，有效的完成了显示器阵列基板上线缺陷的修补，因此该发明技术方案可将线缺陷修补成无缺陷，进一步提升了修补成功率以及提升了产品良率。
一种激光修补缺陷方法

[发明专利]一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法-CN201410345591.6在审
发明人：柯其勇;许嘉哲;高印;陈智冈 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法，该结构包括：上极板，所述上极板包括用于与第一测试垫连接的突出部分；下极板，所述下极板包括用于与第二测试垫连接的突出部分；待监控的介质膜设置于所述上极板和下极板之间，所述上极板和下极板设置为使极板的突出部分不与另一极板的任何部分交叠。本发明提供的用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法能够得到理想状态的电容值，精确地监控介质膜厚。
一种用于监控介质测试电容结构方法

[发明专利]一种半导体平坦化层的制作方法-CN201310596947.9在审
发明人：高印;柯其勇;颜圣佑;陈智冈 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体平坦化层的制作方法，其中，包括：涂布、烘烤和干燥步骤，是将用于形成平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，然后进行烘烤处理和干燥处理；曝光和显影步骤，是对通过所述涂布、烘烤和干燥步骤处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理；其特征在于，根据要制作的平坦化层所需的涂胶厚度，至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤；并且，至少实施一次的所述曝光步骤和显影步骤。基于本发明能够改善平坦化层锥度角、降低平坦化层的凹割现象、防止导致平坦化层的上层膜断线，从而提升产品的可靠性。
一种半导体平坦制作方法