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[发明专利]一种具有照相功能的移动盘-CN03157116.6无效
发明人： 陈文新;谢律 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2003-09-15 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： G06F15/76 文献下载
摘要：本发明涉及移动盘领域，并具体公开了一种具有照相功能的移动盘。本发明的装置包括：具有电压检测模块I、电压检测模块II、关断电路、降压电路、升压电路的电源控制电路模块、具有锂电池单元、碱性电池单元及USB头的电池模块以及功能模块和USB端口。按照本发明，可以使移动盘在保持存储、摄像、照相功能的基础上，电池外置可拆卸，并且可以使用可充电锂电池或使用单节、两节碱性电池，从而具备小巧便携的外形。
一种具有照相功能移动

[发明专利]一种位于SOI衬底上的CMOS电路结构及其制作方法-CN200410009317.8有效
发明人：张盛东;陈文新;吴旭升;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种位于SOI衬底上的CMOS电路结构，由栅电极、栅介质层、上下层硅锭有源区以及上下层硅锭有源区之间的隔离绝缘层所构成；下层硅锭位于衬底的隐埋氧化层之上，栅介质层位于上层硅锭有源区的顶部和两侧以及下层硅锭有源区的两侧；栅电极骑跨于栅介质层、上层硅锭、下层硅锭和硅锭间隔离绝缘层所构成的组件，其底部立于衬底的隐埋氧化层之上。本发明的CMOS电路结构具有超强的可缩小能力，超高的集成密度，并且显著减少互连线数和长度。本发明还提供了该CMOS电路结构的制备方法，包括在SOI衬底上进行氧注入和退火形成双有源层等步骤。
一种位于 soi 衬底 cmos 电路结构及其制作方法

[发明专利]一种体硅MOS晶体管及其制作方法-CN200410009320.X有效
发明人：张盛东;张志宽;陈文新;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种体硅MOS晶体管结构及其制作方法。该体硅MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一源区和一漏区；栅电极位于栅介质层之上；栅介质位于半导体体区之上；半导体体区在栅电极两端的部分分别与源区和漏区相连；晶体管的源漏区的下方各有一绝缘层，绝缘层在结构上与栅电极是自对准的。在制备工艺上，绝缘层是通过填充栅电极两侧的硅槽形成，硅槽是通过自对准腐蚀栅电极两侧的体硅形成，源区和漏区是通过外延或CVD方法形成。本发明的MOS晶体管结构集SOI器件和体硅器件的优点于一体，同时消除或大大改善了SOI器件和体硅器件的主要缺点。
一种 mos 晶体管及其制作方法

[发明专利]一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法-CN03137771.8有效
发明人：张盛东;陈文新;黄如;刘晓彦;张兴;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-06-24 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了半导体集成电路制造技术领域中一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法，目的是提供一种自对准的电分离双栅金属氧化物半导体晶体管(MOS晶体管)。本发明所提供的双栅金属氧化物半导体晶体管，包括硅衬底及其上的绝缘介质层、源/漏区、沟道(体)区、栅介质层、栅电极。其特征在于：所述沟道区为所述绝缘介质层上一垂直于所述硅衬底的硅墙；所述沟道区左右两侧对称地依次纵向排列所述栅介质层、栅电极；分布在所述沟道区左右两侧的栅电极相互自对准且电分离。本发明还提供了制备该双栅MOS晶体管的方法。本发明的双栅MOS晶体管避免了产生寄生元件，使得其在高速低功耗集成电路上的应用潜力得以充分发挥。
一种金属氧化物半导体晶体管及其制备方法

[发明专利]一种互补金属氧化物半导体集成电路及其制备方法-CN03137743.2无效
发明人：张盛东;陈文新;黄如;刘晓彦;张兴;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-06-23 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补金属氧化物半导体集成电路，其目的是提供一种在相同器件尺寸条件下能增加集成电路密度和提高集成电路性能的互补金属氧化物半导体集成电路技术。本发明所提供的互补金属氧化物半导体电路，包括nMOS场效应晶体管和pMOS场效应晶体管在内的半导体器件本体，所述pMOS器件位于所述nMOS器件之上，双方共享同一栅电极；pMOS器件为自对准双栅或环栅结构；pMOS器件与nMOS器件的沟道区相互自对准。本发明还提供了该互补金属氧化物半导体集成电路的两种制备方法。本发明为增加集成电路密度和提高集成电路的性能提供一种新的技术途径。
一种互补金属氧化物半导体集成电路及其制备方法

[实用新型]一种具有照相功能的移动盘-CN03209555.4无效
发明人： 陈文新;谢律 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2003-09-15 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： G06F15/76 文献下载
摘要：本实用新型涉及移动盘领域，具体公开了一种具有照相功能的移动盘。本实用新型的装置包括：具有电压检测模块I、电压检测模块II、关断电路、降压电路、升压电路的电源控制电路模块、具有锂电池单元、碱性电池单元及USB头的电池模块以及功能模块和USB端口。按照本实用新型，可以使移动盘在保持存储、摄像、照相功能的基础上，电池外置可拆卸，并且可以使用可充电锂电池或使用单节、两节碱性电池，从而具备小巧便携的外形。
一种具有照相功能移动

[发明专利]一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其集成电路的制作方法-CN200310103424.2有效
发明人：张盛东;陈文新;张志宽;黄如;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种自对准的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管结构。该MOS器件有一个薄的沟道区和厚的源漏区。沟道区位于绝缘衬底的隐埋介质层的表面，源漏区位于沟道区两端并下陷于隐埋介质层中。这样，源漏区为低阻硅化物的生成提供足够的材料。该器件结构的一主要特征是厚源漏区相互对称并和栅电极自对准。这一自对准结构形成的工艺方法包括如下步骤：在栅电极两侧形成牺牲侧墙；以该侧墙和栅电极为掩膜各相同性地腐蚀隐埋介质层形成浅槽；以浅槽区内显露的半导体层为籽晶外延生长或淀积半导体材料以填充浅槽。
一种漏下超薄 soimos 晶体管及其集成电路制作方法

[发明专利]微生物降解生产黄腐酸方法-CN02158189.4有效
发明人：袁红莉;陈文新 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2002-12-24 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： C12P7/40 文献下载
摘要：一种微生物降解低能量煤生产黄腐酸的方法，将原料煤与辅料混合，加入降解菌株，对煤进行发酵，得到黄腐酸；所述辅料包括天然植物碳源、天然植物蛋白源、尿素、KH₂PO₄；所述降解菌是青霉菌Penicillium sp.LNP6CGMCC 0866和/或芽孢杆菌Bacillus sp.BJB2 CGMCC 0867。本方法可从褐煤、风化煤及煤矸石等多种来源得到黄腐酸，且产量比化学法明显提高；所得黄腐酸活性强，由于生物的降解作用，所得黄腐酸分子明显变小，氧和氮含量增加，絮凝极限大；发酵、提取过程不使用化学溶剂，不会产生污染环境的二次废物；辅料为农业下脚料，残渣可作有机肥使用，可实现能源的可持续利用。
微生物降解生产黄腐酸方法

[发明专利]背棚MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器-CN03137020.9无效
发明人：张盛东;陈文新;黄如;刘晓彦;张兴;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种自对准的背栅MOS晶体管结构，包括栅电极、侧墙介质层、栅介质层、源漏重掺杂区和源漏轻掺杂区构成的源漏区、沟道区，其源漏区和沟道区掺杂与栅电极相互自对准；源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与栅电极自对准的且对称的轻掺杂区；源漏区厚而沟道区薄。其制作方法，是在背栅电极和背栅介质层形成后，淀积一较厚的Si膜，然后进行无掩膜较低能量的离子注入掺杂，接着用化学机械抛光进行表面平坦化。本发明背栅MOS晶体管结构，其自对准结构使得器件特性的离散最小化；其厚源漏区以及对应的轻掺杂区导致寄生电阻和关态电流减小；其薄沟道区能提供大的导通电流和改善短沟道效应。本发明的背栅MOS晶体管，可以用作静态随机存储器中的pMOS负载管。
mos 晶体管及其制作方法静态随机存储器

[发明专利]一种半导体快闪存储器及其制备方法-CN03137019.5无效
发明人：张盛东;陈文新;黄如;刘晓彦;张兴;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体快闪存储器结构，为一MOS晶体管，其沟道区为一垂直于硅衬底的硅墙；沟道区左右两侧依次纵向排列隧穿介质层、浮栅、阻挡介质层、控制栅；分布在沟道区左右两侧的控制栅、浮栅相互自对准。本发明的快闪存储器的制备方法，作为沟道区的垂直硅墙是通过对SOI硅片上的硅膜进行光刻和刻蚀而形成；硅墙两侧的浮栅电极是通过对淀积的多晶硅膜进行各向异性刻蚀而形成，其形成不需任何光刻步骤；控制栅和浮栅的长度是由同一次光刻掩膜所确定，故自然形成相互自对准结构。本发明存储器结构与常规结构相比，栅长度在同等条件下可进一步显著减小，存储器具有更强的可缩小能力，更好的存储性能。
一种半导体闪存及其制备方法

[发明专利]AB5型贮氢合金的制备方法-CN03113869.1无效
发明人：刘应亮;张静娴;唐晓鸣;陈文新;雷炳富 -专利权人：暨南大学
申请日： 2003-03-07 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种AB5型贮氢合金的制备方法。将稀土离子溶液、过渡金属离子溶液及络合还原剂充分混合，燃烧，得纳米金属混合氧化物前驱体；将所得的纳米金属混合氧化物前驱体和CaH2混合并充分研磨均匀，放入高温炉中，在H2气环境保护下进行还原反应后，冷却至室温取出；洗涤、干燥，即可制得AB5型贮氢合金。上述方法可制得10μm以下的单相合金粉，且粒径均匀。
ab5 型贮氢合金制备方法

[实用新型]一种改进的轨道灯-CN96214231.X无效
发明人： 陈文新 -专利权人： 陈文新
申请日： 1996-07-02 - 公布日： 1998-03-25 - 主分类号： F21S1/00 文献下载
摘要：一种改进的轨道灯,包括有灯具、连接座、变压器盒、导接座;其中将变压器盒设于灯具侧边,灯具顶部所产生的高温较不会影响到变压器盒且于变压器盒及灯具灯间以连接座连接,并于灯具及连接座间设有隔热垫圈,更可隔绝灯具产生的高温传递造成损坏,使轨道灯结构使有用寿命增长许多,且由于导线可完全穿设于内部,不会有导线暴露于外部有妨碍观瞻之问题。
一种改进轨道

[实用新型]防尘呼吸面罩-CN92220278.8无效
发明人：罗贤俊;沈国安;刘志道;陈文新;虞天仲 -专利权人：四川省劳动卫生职业病防治研究所
申请日： 1992-09-16 - 公布日： 1993-09-01 - 主分类号： A62B9/06 文献下载
摘要：本实用新型的防尘呼吸面罩由一个具有可保持与口鼻部之间有适度大小空间的弹性外凸构型的支撑架及可与之相结合并至少有一层为致密织物的柔性过滤介质层组成，其间的结合可为固定或可分离的形式。此呼吸面罩对粉尘及细菌和气溶胶污物的过滤效果好，呼吸阻力小，舒适感强。
防尘呼吸面罩

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