专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果185个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种铜单晶的定向方法-CN200910164398.1无效
  • 赵北君;朱世富;肖怀安;唐世红;何知宇;陈宝军 - 四川大学
  • 2009-09-11 - 2010-03-03 - B23P17/04
  • 一种铜单晶的定向方法,步骤如下:(1)将铜单晶锭放入质量浓度35~45%的硝酸中浸蚀,浸蚀时间以铜单晶锭表面出现至少一组取向一致的反光面为限,以一组反光面为参考面,在铜单晶锭上磨出一个平行于所述参考面的平面,定义该平面为初平面;(2)用X射线衍射仪对铜单晶锭上的初平面进行X射线衍射θ-2θ联动扫描分析,将其X射线衍射谱图中最强峰对应的晶面指数(hkl)确定为定向晶面的晶面指数;(3)采用X射线衍射回摆法对铜单晶锭上的初平面进行修正,获法线平行于定向晶面(hkl)法线的最终修正面;(4)将所述最终修正面通过研磨与物理化学抛光去除表面的扰乱原子层,即获得准确定向的铜单晶晶面(hkl)。
  • 一种铜单晶定向方法
  • [发明专利]ZnGeP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法-CN200910060126.7无效
  • 朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;张羽;程江 - 四川大学
  • 2009-07-28 - 2009-12-30 - C30B33/10
  • 一种ZnGeP2晶体的腐蚀剂,由冰醋酸、氢氟酸、硝酸、碘和纯净水配制而成,冰醋酸、氢氟酸、硝酸、纯净水的体积比为:冰醋酸∶氢氟酸∶硝酸∶纯净水=1∶2∶2∶1,碘的质量∶冰醋酸体积=4∶1。一种ZnGeP2晶体的腐蚀方法,使用上述腐蚀剂,工艺步骤依次为:(1)腐蚀,将ZnGeP2晶片浸入腐蚀剂中,在超声波振荡下于常压、室温腐蚀4~16分钟取出;(2)清洗,将从腐蚀剂中取出的ZnGeP2晶片浸入反应终止液中摆动清洗终止反应,再用纯净水清洗至中性,所述反应终止液由质量浓度5%的NaOH和质量浓度为3%的Na2S2O3配制而成,NaOH与Na2S2O3的体积比=1∶1;(3)干燥。
  • zngepsub晶体腐蚀剂腐蚀方法
  • [实用新型]管道闭水堵-CN200920000667.6有效
  • 陈宝军 - 陈宝军
  • 2009-01-12 - 2009-10-21 - F16L55/128
  • 本实用新型涉及一种管道闭水堵。包括气囊体、垫圈、气门嘴、螺母,其气囊体的一端封底,另一端设置有气门嘴,气门嘴与气囊体胶合在一起,其特征在于所述的气囊体一端内壁设置有衬垫;可阻挡住气门嘴,打气时气门嘴不会砰发脱落,提高闭水堵的使用寿命;气囊体圆滑过渡,无死角,耐压力强,加压充气后不易开裂;气囊体上设置有加强带,提高气囊体的耐压强度;设置有新型密封垫,密封性好,充气后气体不易泄漏;规格尺寸系列化,易于与管道内壁贴合,可广泛应用于生活用水管道、消防用水管道、下水管道、污水管道等试压、闭水实验、维修或清淤作业时阻断水流,实现封堵管道;也可用于煤气、热力管道抢险作业时封堵气流管道使用。
  • 管道闭水堵
  • [实用新型]井口套管气外排气液分离装置-CN200820231798.0无效
  • 马士军;陈宝军;王宏增;张波 - 马士军
  • 2008-12-18 - 2009-09-09 - E21B43/34
  • 一种油井开采初期井口套管气外排用的井口套管气外排气液分离装置,由排气孔、圆柱状气液分离箱、伞状冷凝罩、排液阀、导入管、球形阀、接箍、丝堵、三通短节、套管阀门、冷凝罩支架组成:在圆柱状气液分离箱上部设有排气孔,排气孔上部设有内螺纹,在其底部右侧设有排液阀,排液阀与气液分离箱丝扣连接,在其中间设有伞状冷凝罩,通过冷凝罩支架与导入管焊接,导入管与球形阀丝扣连接,在三通短节左端设有接箍和丝堵,二者丝扣连接,三通短节右端设有套管阀门与节箍丝扣连接,导入管与球形阀丝扣连接。本实用新型解决了现有技术中套管气外排造成污染环境和轻质油的流失问题。该装置可广泛用于石油开采初期井口套管气外排作业中。
  • 井口套管外排分离装置
  • [实用新型]插齿机冲程长度自动调整装置-CN200820190102.4无效
  • 陈宝军;钟瑞龄 - 宜昌长机科技有限责任公司
  • 2008-08-05 - 2009-05-13 - B23F23/00
  • 一种插齿机冲程长度自动调整装置,属于插齿机部件。其主要包括电机,电机与曲柄轴连接,在曲柄轴上固定有蜗轮蜗杆副和大齿轮,大齿轮油缸与大齿轮相配合,小齿轮与蜗轮蜗杆副和大齿轮相配合,蜗轮蜗杆副通过调节螺杆与行程轴连接,行程轴夹紧油缸与行程轴相配合。本实用新型在原机床的结构上,增加了大小齿轮、蜗轮蜗杆副及夹紧油缸,通过夹紧油缸完成锁松开行程轴和固定大齿过程,通过蜗轮蜗杆副和调节螺杆来改变行程轴的偏心距离,从而调整了冲程长度。本装置结构简单,装配容易,不需要增加新的动力源或伺服轴位置,控制成本低,稳定性好。
  • 插齿机冲程长度自动调整装置
  • [实用新型]插齿机刀位上下位置自动调整装置-CN200820190101.X无效
  • 陈宝军;钟瑞龄 - 宜昌长机科技有限责任公司
  • 2008-08-05 - 2009-05-06 - B23F23/00
  • 一种插齿机刀位上下位置自动调整装置,属于插齿机部件。其主要包括摆杆,摆杆通过螺纹与球拉杆连接,球拉杆与刀轴连接,球拉杆与球拉杆液压油缸相配合,摆杆与摆杆液压油缸相配合,蜗轮蜗杆副与刀轴连接,分齿电机与蜗轮蜗杆副连接。本实用新型可以广泛应用在主运动为曲柄滑块式的所有类型的插齿机上,不需要增加新的动力源,解决了长期以来插齿机的插齿刀上下位置自动调整传动链长、结构复杂,数控成本高等缺点。此方案结构简单,装配容易,控制成本低,稳定性好,应用范围广泛,可以大大提高机床的生产效率。
  • 插齿机上下位置自动调整装置
  • [实用新型]用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器-CN200820062849.1无效
  • 赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军;唐世红;王立苗 - 四川大学
  • 2008-04-10 - 2009-03-25 - C30B11/00
  • 一种用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器,由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成;座板上设置有一底部为平面的凹槽,凹槽的中心部位开设有大于坩埚套外径的通孔I,凹槽的环面上开设有调温孔I;动板的形状和径向尺寸与座板上设置的凹槽相匹配,动板中心部位开设有与通孔I尺寸相同的通孔II,动板环面上开设有调温孔II,调温孔II与调温孔I形状、尺寸、数量、间距相同;动板放置在座板所设置的凹槽中,其与凹槽为动配合,座板固定在坩埚下降法单晶生长装置炉体上。此种调节器结构简单,使用方便,调节单晶生长炉结晶区温度梯度时灵敏度高,使结晶区温度梯度可在大范围内调整,易于获得窄温区、大温梯的温场分布。
  • 用于生长装置结晶温度梯度调节器
  • [发明专利]CdGeAs2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法-CN200810046286.1无效
  • 赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军;邓江辉 - 四川大学
  • 2008-10-16 - 2009-03-11 - C30B33/10
  • 一种CdGeAs2晶体的腐蚀剂,由盐酸、硝酸和纯净水配制而成,盐酸、硝酸、纯净水的体积比为盐酸∶硝酸∶纯净水=1∶1∶1,所述盐酸的质量浓度为35~38%,所述硝酸的质量浓度为65~68%。一种CdGeAs2晶体的腐蚀方法,使用上述腐蚀剂,其工艺步骤依次如下:(1)腐蚀,将研磨、抛光处理后的CdGeAs2晶片浸入腐蚀剂中,在摆动下于常压、15℃~30℃腐蚀15秒~40秒取出;(2)清洗,将从腐蚀剂中取出的CdGeAs2晶片浸入碱性清洗剂中终止腐蚀反应,再用纯净水清洗至中性;(3)干燥,将清洗后的CdGeAs2晶片在常压下自然干燥或烘干。
  • cdgeassub晶体腐蚀剂腐蚀方法
  • [发明专利]结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置-CN200810044561.6无效
  • 朱世富;赵北君;何知宇;陈宝军;唐世红;王立苗 - 四川大学
  • 2008-04-10 - 2008-11-26 - C30B11/00
  • 一种结晶区温度梯度调节器,由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成,动板放置在座板所设置的凹槽中,其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置,包括上端封闭、下端开口的整体式炉体,安装在炉体上的加热器,安装安瓿的坩埚套,放置坩埚套的坩埚托,与坩埚托连接的升降旋转驱动机构,安装在炉膛结晶区B的上述结构结晶区温度梯度调节器;结晶区温度梯度调节器的座板固定在炉体上,旋转放置在座板凹槽中的动板,便可调节座板凹槽环面上调温孔I和动板环面上调温孔II的重合面积,从而调节从高温A区向低温C区辐射和传导的热流量,使结晶区B温度梯度可在大范围内调整,易于获得窄温区、大温梯的温场分布。
  • 结晶温度梯度调节器坩埚下降法单晶生长装置
  • [发明专利]金属气缸垫表面采用氟橡胶绢印工艺-CN200710056120.3无效
  • 陈宝军;张振国 - 长春鑫利密封制品有限公司
  • 2007-09-29 - 2008-05-14 - F02F11/00
  • 一种金属气缸垫表面采用氟橡胶绢印工艺,涉及一种汽车发动机部件加工工艺的改进,其工艺是:a.将丝网固定在网框上,涂上感光胶;b.制取非林片;c.将非林片贴附在感光胶膜板上,辐射晒板,清洗,即完成膜板的制作;d.将膜板贴附在胶印机的胶辊上,对金属气缸垫进行氟橡胶的绢印;e.经硫化、干燥处理。其有益效果是:采用本发明绢印发动机金属气缸垫密封性能好,结构坚固,节约材料,节省人力,节省能源,工作效率高,完全满足高档汽车的技术要求,在使用过程中完全可达到欧IV、欧V汽车排放标准,符合现代环保技术指标。
  • 金属气缸表面采用氟橡胶工艺
  • [发明专利]发动机金属气缸垫表面辊涂橡胶及缸口焊接增厚加工工艺-CN200710056119.0无效
  • 陈宝军;张振国 - 长春鑫利密封制品有限公司
  • 2007-09-29 - 2008-05-14 - F02F11/00
  • 一种发动机金属气缸垫表面辊涂橡胶及缸口焊接增厚加工工艺,涉及一种汽车发动机部件加工工艺的改进。其工艺是:a.将气缸垫固定在夹具上,再叠放增厚片,用夹具上压板压紧固定在夹具底板上,通过激光焊机走合焊接,使气缸垫与增厚片边缘熔接为一体;b.将焊有增厚片的气缸垫送入冲压机床,冲压出缸口;c.将气缸垫送入辊胶机辊胶;d.将辊胶后的气缸垫硫化,再把气缸垫干燥。有益效果是:采用该工艺加工出的金属气缸垫密封性能好,结构坚固,节约材料、节省资源、节省人力提高产能、提高功率延长发动机的使用寿命,在使用过程中完全可达到欧IV、欧V汽车排放标准,符合现代环保要求。
  • 发动机金属气缸表面橡胶焊接加工工艺
  • [实用新型]晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置-CN200620035962.1无效
  • 赵北君;朱世富;张建军;何知宇;陈宝军;唐世红 - 四川大学
  • 2006-10-23 - 2007-10-10 - C23C16/26
  • 一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置,包括加热炉、放置被镀膜石英坩埚的沉淀室和供气控制器。加热炉包括炉体、安装在炉体上的加热元件和控温测温器,炉体的炉膛下部设置有用于安放沉淀室的支座;沉淀室包括一端开口的管状本体和封闭管状本体端口的塞子,所述塞子上插有与管状本体内孔相通的进气管和排气管;供气控制器包括输气管系和控制阀,所述输气管系含有两条分别与插入沉淀室管状本体的进气管和插入被镀膜石英坩埚的进气管连接的输气管,设置有甲烷气体进口和惰性保护气体进口,所述控制阀安装在输气管系的管路上,控制惰性保护气体进入沉淀室管状本体和被镀膜石英坩埚及控制甲烷气体进入被镀膜石英坩埚。
  • 晶体生长石英坩埚镀碳膜装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top