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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]深沟槽隔离结构的形成方法-CN202310882322.2有效
发明人：王秀金;王宇;陈勇树 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法，在半导体衬底中形成初沟槽之后，继续以图形化的光刻胶层为掩膜，通过第二等离子体刻蚀工艺对初沟槽进行刻蚀，以去除初沟槽侧壁上的多个第一尖角并增大初沟槽与半导体衬底之间的角度而形成深沟槽，并通过第三等离子体刻蚀工艺对深沟槽进行刻蚀，以去除深沟槽的侧壁上的第二尖角，使深沟槽的侧壁平滑，由此改善深沟槽的形貌，从而提高深沟槽隔离结构的性能。
深沟隔离结构形成方法

[发明专利]深硅刻蚀优化方法-CN202310159497.0有效
发明人：王宇;陈勇树 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种深硅刻蚀优化方法，在等离子反应腔室内对目标硅片进行第一次沟槽刻蚀以在所述目标硅片上生成初沟槽；在所述等离子反应腔室的第一优化条件下，循环输出钝化和刻蚀等离子体至所述初沟槽，得到以所述初沟槽为基础的深沟槽，所述深沟槽的侧壁具有波纹结构；在所述等离子反应腔室的第二优化条件下，输出消波等离子体至所述深沟槽，得到消除所述波纹结构的目标沟槽。本申请在不影响刻蚀速率的前提下，降低了消除驻波的工艺复杂度及工艺成本，优化了深硅刻蚀的沟槽结构。
刻蚀优化方法

[发明专利]高深宽比的深沟槽隔离结构的制备方法-CN202310597379.8在审
发明人：王宇;赵亮;陈勇树 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种高深宽比的深沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供一个衬底，且在所述衬底上刻蚀出若干个初沟槽，所述初沟槽以第一深度探入至所述衬底；在炉管内沉积第一氧化层至所述初沟槽的侧壁；基于所述第一氧化层，沉积第二氧化层覆盖所述第一氧化层以及所述衬底；以位于所述衬底上的所述第二氧化层作为硬掩膜层，通过脉冲启辉刻蚀所述初沟槽的槽底，得到以第二深度探入至所述衬底的深沟槽。本申请解决了因深沟槽顶部与底部的蚀刻速率偏差，致使的深沟槽底部蚀刻不完全或顶部硬掩膜损失过重的问题。
高深深沟隔离结构制备方法

[发明专利]半导体工艺方法和半导体蚀刻设备-CN202211438650.5有效
发明人：陈峰;蔡东翰;曾凡维;陈勇树 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体工艺方法和半导体蚀刻设备，该半导体工艺方法包括在第一金属层的上表面沉积金属间介质层，基于金属间介质层，通过光刻与刻蚀工艺形成目标沟槽和目标通孔，对光刻与刻蚀工艺对应的刻蚀残留物进行清洗，并在清洗后的目标沟槽、目标通孔和金属间介质层的上表面沉积金属阻挡层和金属种籽层，在金属种籽层的上表面电镀第二金属层，以对目标沟槽和目标通孔进行金属填充，对第二金属层进行热处理，对热处理后的第二金属层进行化学机械研磨处理，并在化学机械研磨处理后的第二金属层的上表面沉积介质保护层，通过在对第二金属层进行化学机械研磨处理之前进行热处理，能够大大提升了整个晶粒的生长效率。
半导体工艺方法蚀刻设备

[发明专利]一种控制命令服务代理的网关系统及方法-CN202011597852.5有效
发明人：辜晓川;杜长河;苟婉璐;林蓉蓉;陈勇树 -专利权人：青岛高校信息产业股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H04L67/1097 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制命令服务代理的网关系统及方法，属于物联网技术领域，该一种控制命令服务代理的网关系统，应用于包括传感器、执行器、采控网关、控制命令服务代理网关和远程数据服务器，所述传感器用于数据采集；所述执行器用于执行指令；所述采控网关用于接收所述传感器采集的数据，向所述执行器发送控制指令；所述控制命令服务代理网关用于获得所述采控网关的备份数据，向所述采控网关发送控制指令；本发明实施例将一些单个采集/控制网关不能完成的，以前需要远程数据服务器来参与完成的控制任务下放到控制命令服务代理网关来完成，从而增强了整个控制系统的适应性和可靠性。
一种控制命令服务代理网关系统方法

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