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[发明专利]正温度系数(PTC)元件的分选方法-CN200480041892.4有效
发明人：长尾吉高;井原木洋;池田丰;宫川和人;阿部吉晶 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：在一种分选具有不同阻值温度特性的PTC元件的方法中，对PTC元件A和B施加使电流充分衰减的一预定电压，并根据经过PTC元件的电流到达一预定电流值(例如，52mA)的时间不同而分选出各PTC元件。
温度系数 ptc 元件分选方法

[发明专利]半导体陶瓷-CN96116770.X无效
发明人： 阿部吉晶;河原隆彦;并河康训;鬼头范光;浦原良一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1996-12-31 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：提供了一种半导体陶瓷，其冲击击穿电压很高，且几乎不层状开裂。在此具有正电阻-温度特性的半导体陶瓷中，如此设定一晶粒的晶粒内电阻与晶粒之间的晶粒间电阻(它们确定具有正电阻-温度特性半导体陶瓷电阻值)之比值，从而该晶粒内电阻小于半导体陶瓷电阻值的20％(不包括0％)。
半导体陶瓷

[发明专利]半导体瓷器及其制造方法-CN96106935.X无效
发明人： 阿部吉晶;並阿康训;胜木隆与;鬼头范光 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1996-06-22 - 公布日： 2001-05-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是称量ＢａＣＯ＃-[3]、SrCO＃-[3]、Pb＃-[3]O＃-[4]、CaCO＃-[3]、TiO＃-[2]、Er＃-[2]O＃-[3]、MnCO＃-[3]和SiO＃-[2]，使其形成（Ba＃-[0.0536]Pb＃-[0.08]Sr＃-[0.20]Ca＃-[0.18]Er＃-[0.04]）TiO＃-[3]+0.0004Mn+0.02SiO＃-[2]的组成。经混合、脱水。干燥后，在１３６０℃假烧２小时，将所得的假烧粉末与黏合剂混合后，制成直径１８mm、厚３．６mm的形成体，在１３６０℃烧成１小时，在表１所示的条件下冷却，从而获得半导体瓷器。
半导体瓷器及其制造方法