专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高耐汞恶臭假单孢菌株CHY-7及其在治理汞污染中的应用-CN200510006009.4无效
  • 陈贻锴;阳菊华;詹丽钦;包幼迪 - 福建医科大学
  • 2005-01-06 - 2005-10-19 - C12N1/20
  • 本发明公开了一种高耐汞恶臭假单孢菌株CHY-7及其在治理汞污染中的应用,属利用微生物实施环保治理的项目。该菌株为恶臭假单孢菌(pseudomonasputida)CHY-7,已保藏“中国典型培养物保藏中心”。该菌株是从汞污染的土壤中分离得到的;适宜在中性及弱酸性或弱碱性培养介质中常温培养,也可在自来水和土壤中生长;其细菌学形态特征:为革兰氏阴性杆菌,长度为2.0-4.0×0.7-1.1μm,不产生芽孢,专性好氧;属于恶臭假单孢菌,菌落淡黄色、边缘光滑隆起,在色素生成培养基中可产生荧光。本发明从土壤中直接分离、筛选高耐汞、生长营养要求低、适应自然生态环境且生存能力强、具有高效还原离子态汞(Hg2+)为易挥发的元素汞(Hg0)的细菌菌株,能在治理汞污染的环境中广泛应用。
  • 高耐汞恶臭假单孢菌株chy及其治理污染中的应用

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