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[发明专利]脑功能改善用组合物-CN201480047771.4无效
发明人： 长谷川亨 -专利权人： 长谷川亨
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： A61K36/82 文献下载
摘要：本发明提供在抑制2-氨基-4-磺基丁酸对受体(NMDA受体)的结合的同时使2-氨基-4-磺基丁酸自身对受体的结合能力下降，从而能够改善源自2-氨基-4-磺基丁酸毒性的脑功能下降的脑功能改善用组合物。该脑功能改善用组合物含有0.3～0.5重量份的肉桂酸衍生物化合物和0.5～0.7重量份的氢化钙粉末。此外，其特征在于，还含有0.4～0.6重量份的抹茶粉末、0.4～0.6重量份的可可粉末、0.25～0.35重量份的二氧化硅氢化合物粉末和0.9～1.1重量份的日本山人参干燥粉末。
功能善用组合

[发明专利]用于半导体晶片的抛光垫、装备有该抛光垫用于抛光半导体晶片的层叠体以及用于抛光半导体晶片的方法-CN200480000983.3有效
发明人：志保洁司;保坂幸生;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体，以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法，装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本发明的抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底(11)、和安装在所述通孔中的透光部件(12)，其中所述透光部件包含一种非水溶性基体材料(1，2聚丁二烯)和分散在所述非水溶性基体材料中的一种水溶性颗粒(β－环糊精)，并且基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100％，所述水溶性颗粒的体积百分含量小于5％。此外，本发明的用于抛光的层叠体包含所述抛光垫的背面上的支撑层。这些抛光垫和用于抛光的层叠体可包含背面上的固定层(13)。
用于半导体晶片抛光装备层叠以及方法

[发明专利]研磨垫用组合物-CN200510104102.9无效
发明人：保坂幸生;冈本隆浩;长谷川亨;川桥信夫;森野克昭 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2003-08-26 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：本发明涉及研磨垫用组合物。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯－醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2－聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。
研磨组合

[发明专利]化学机械研磨用垫-CN200510072918.8无效
发明人：河原弘二;长谷川亨;樱井富士夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2005-05-24 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨用垫，其适合应用在金属膜的研磨及绝缘膜的研磨中，可以得到平坦的研磨面，同时可以有效地除去浆料，具有足够长的寿命，可以提供高的研磨速度，且具有降低刮痕的效果。所述研磨垫的特征在于，在研磨面上具有槽，该槽设置在研磨面上，使自研磨面的中心部向周边部的一条假想直线和槽形成多次交叉，槽宽在0.1～1.5mm的范围，槽深在0.9～9.8mm的范围，与上述假想直线交叉的邻接交叉点间的最小距离在0.3～2.0mm的范围，并且上述槽深相对该研磨垫的厚度的比值为1/7～1/1.1的范围。
化学机械研磨

[发明专利]化学研磨垫、其制造方法及半导体晶圆的化学机械研磨方法-CN200510068474.0有效
发明人：保坂幸生;志保浩司;宫内裕之;冈本隆浩;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨垫，其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件，且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面，可不降低研磨性能地透过终点检测用光。
化学研磨制造方法半导体机械

[发明专利]化学机械抛光垫、其制造方法以及化学机械抛光方法-CN200510054230.7有效
发明人：冈本隆浩;宫内裕之;河原弘二;志保浩司;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： B24D3/22 文献下载
摘要：一种化学机械抛光垫，包含由(A)苯乙烯聚合物和(B)二烯聚合物构成的非水溶性基质。上述化学机械抛光垫的制造方法，其特征在于制备含有(A)苯乙烯聚合物、(B)二烯聚合物和(C)交联剂的组合物，将上述组合物成形为预定的形状，并在成形的同时或者成形后加热使其固化，以及一种化学机械抛光方法，其特征在于通过上述化学机械抛光垫对被抛光物的被抛光面进行抛光。根据本发明，可以提供一种化学机械抛光垫，其能够优选适用于金属膜的抛光或绝缘膜的抛光、特别是STI技术，在得到平坦的被抛光面的同时，还能达到较高的抛光速度，且具有足够长的寿命。
化学机械抛光制造方法以及

[发明专利]化学机械抛光垫以及化学机械抛光方法-CN200410064056.X有效
发明人：志保浩司;保坂幸生;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供了化学机械抛光垫。该垫含有水不溶性基质和分散于该水不溶性基质材料中的水溶性颗粒，并具有抛光表面和该抛光表面反面上的非抛光表面，该垫具有透光区域，它从抛光表面到非抛光表面是光学相通的。该透光区域的非抛光表面具有10μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
化学机械抛光以及方法

[发明专利]半导体晶片用抛光垫的加工方法以及半导体晶片用抛光垫-CN03801567.6有效
发明人：志保浩司;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2003-08-08 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种半导体晶片用抛光垫加工方法和半导体晶片用抛光垫，以使内表面的表面粗糙度在20μm以下，并且可形成尺寸精度高、截面形状均匀的沟槽、凹部和通孔等。在本发明的加工方法中，对具有包含交联聚合物的非水溶性基质和分散在该非水溶性基质中的水溶性颗粒的半导体晶片用抛光垫的抛光面进行切削加工等。此外，在加工时，更优选在具有吸引孔的加工桌的一个侧面上配置抛光垫，通过从加工桌的另一侧面实施吸引，将垫吸附在该加工桌的一个侧面上而使其固定后，形成所述沟槽等。
半导体晶片抛光加工方法以及

[发明专利]抛光垫-CN200410045708.5有效
发明人：保坂幸生;志保浩司;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： B24B27/04 文献下载
摘要：在非－抛光表面上包括凹入部分的抛光垫。该抛光垫可以防止物体的被抛光表面被擦伤。
抛光

[发明专利]抛光垫和化学机械抛光方法-CN200410045172.7有效
发明人：志保浩司;冈本隆浩;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种用于化学机械抛光的抛光垫，其具有优良清除率和能够抛光以获得优良平面性。这种抛光垫包含：(A)70－99.9质量％的交联二烯弹性体和(B)0.1－30质量％的含有酸酐结构的聚合物，以上述化合物(A)和(B)总量为100质量％计，并且其比重为0.9－1.2。
抛光化学机械抛光方法

[发明专利]抛光垫及抛光半导体晶片的方法-CN200410038714.8无效
发明人：青井裕美;志保浩司;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种研磨垫，一种层合研磨垫以及半导体晶片抛光方法，它们都防止浆料从研磨基材和窗口元件之间的间隙中泄漏和因刮伤而造成的抛光效率降低，并能有效进行抛光终点光学检测。该研磨垫包含具有从前侧延伸向背侧的通孔的研磨基材以及安置于该通孔中的光透射元件，并且上述光透射元件的外壁和与该外壁相对的通孔的内壁用可光固化粘合剂(如聚氨酯(甲基)丙烯酸酯)粘合在一起，以在通孔中固定上述光透射元件。
抛光半导体晶片方法

[发明专利]研磨垫、其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法-CN200410043098.5有效
发明人：保坂幸生;志保浩司;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫，一种制造该研磨垫的方法，一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1，2－聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β－环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元，研磨垫在使用期间，浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。
研磨制法金属以及半导体晶片抛光方法

[发明专利]抛光垫及其生产方法-CN200410043041.5有效
发明人：樱井富士夫;三原严;五十岚善则;长谷川亨 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2004-04-15 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫和一种生产该抛光垫的方法，该抛光垫在抛光过程中甚至在磨光后，显示出优异的抛光稳定性和优异的浆液保持性，能够有效地防止抛光速率的减少，并且对于待抛光基质来说，也具有优异的压平性能。该方法包含将水溶性微粒如β－环糊精分散到交联剂如聚丙烯乙二醇中，以获得分散体，将分散体与多异氰酸酯如4，4‘－二苯基甲烷二异氰酸酯和或末端为异氰酸酯的尿烷预聚物混合，使混合溶液反应，以获得具有水溶性微粒分散在聚合物基质中的抛光垫。
抛光及其生产方法

[发明专利]抛光垫及制造半导体器件的方法-CN200410003134.5有效
发明人：南幅学;竖山佳邦;矢野博之;河村知男;长谷川亨 -专利权人：株式会社东芝;JSR株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积％到5体积％的区域(11)；以及有机材料(10)。
抛光制造半导体器件方法

[发明专利]抛光垫-CN200310120349.0有效
发明人：志保浩司;青井裕美;长谷川亨;川桥信夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2003-11-05 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料，该材料含有交联聚合物如交联的1，2－聚丁二烯，和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1－10重量％，当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05－50重量％。另外，在本发明所涉及的抛光垫中，水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1－10重量％，并且在25℃，pH值为3－11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50％以内。另外，这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液，该抛光垫具有良好的浆液保留能力，同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平滑性。
抛光

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