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[发明专利]半导体基板用蚀刻液-CN201780039143.5在审
发明人：赤木成明;镰田义辉;大八木伸;斋田利典;山本裕三 -专利权人：摄津制油株式会社
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液，其是用于处理太阳能电池用半导体基板表面的碱性蚀刻液，包含通式(1)所表示的至少一种羟基苯乙烯类聚合物、以及碱性剂，该羟基苯乙烯类聚合物中所含的n为1～8所表示的单体和低聚物的总计为该羟基苯乙烯类聚合物的3.5%以下。根据本发明，可发挥如下效果：可在较低温度侧以更短的时间于太阳能电池用半导体基板上形成纹理，且连续生产性、产品保存稳定性优异，稳定地获得光反射率低的表面。另外，可以稳定地形成平均3μm以下的棱锥状凹凸，对太阳能电池用半导体基板稳定地赋予现有技术中无法获得的显示10%以下的光反射率的表面形状，而不受蚀刻液原料的批次变动所影响。
半导体基板羟基苯乙烯太阳能电池类聚合物蚀刻液光反射率半导体基板表面碱性蚀刻液产品保存纹理低聚物碱性剂棱锥状总计赋予

[发明专利]半导体基板用蚀刻液-CN201480050156.9有效
发明人：山本裕三;斋田利典;大八木伸;镰田义辉 -专利权人：摄津制油株式会社
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻液，其是用于对太阳能电池用半导体基板的表面进行处理的碱性蚀刻液，其中含有选自木质素磺酸及其盐中的至少一种。通过使用本发明的蚀刻液，可发挥能够在较低温侧以更短时间形成纹理且生产效率优异的效果。另外，对处理多块时大量产生的气泡的微细化、气泡的表面解吸性也带来优异效果，由于消除了蚀刻中基板的浮动，因此成品率提高。进而由于表面缺陷减少，因此可形成表面质量优异的纹理。
半导体基板用蚀刻

[发明专利]半导体基板用蚀刻液-CN201580057501.6在审
发明人：赤木成明;镰田义辉;大八木伸;斋田利典;森胁和弘;山本裕三 -专利权人：摄津制油株式会社
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理太阳能电池用半导体基板的表面的碱性蚀刻液，其是含有以通式(1)表示的至少一种羟基苯乙烯类聚合物以及碱性剂的蚀刻液。根据本发明，能够发挥以下效果可在相对低温侧以更短时间对太阳能电池用半导体基板形成结构，生产性优异。
半导体基板用蚀刻

[发明专利]蚀刻液、蚀刻力回复剂、太阳能电池用半导体基板的制备方法及太阳能电池用半导体基板-CN201380036667.0在审
发明人：斋田利典;大八木伸;镰田义辉;横田行永;米田照正 -专利权人：摄津制油株式会社
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：作为用于处理太阳能电池用半导体基板的表面的碱性蚀刻液，使用含有选自特定的磺酸化合物及其盐的至少一种和硅酸和/或硅酸盐的碱性蚀刻液。在本发明中，磺酸化合物优选为对甲苯磺酸。
蚀刻回复太阳能电池半导体制备方法