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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201110317379.5有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置，详言之，涉及实施对基板进行蚀刻等基板处理的基板处理装置及基板处理方法。本发明公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以n×m四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，在上述基板处理装置中，在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边角部分，放置包含与上述被处理基板的主要成分相同成分的一个以上的边角伪基板。
处理装置方法

[发明专利]制造太阳能电池的方法以及用该方法制造的太阳能电池-CN201010609047.X有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过处理太阳能电池的硅基片表面而制造太阳能电池的方法，由该方法制造的太阳能电池以及用于实施该方法的基片处理系统。制造太阳能电池的方法包括突起形成步骤，其包括湿蚀刻处理而且用于在晶体硅基片的光接收表面上形成多个微小突起，以及平面化步骤，在突起形成步骤之中或之后对底面即与基片的光接收表面相对的表面进行平面化。
制造太阳能电池方法以及

[发明专利]太阳能电池硅基片表面处理方法和太阳能电池的制造方法-CN201010609000.3有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池的晶体硅基片的表面处理方法，以及一种太阳能电池的制造方法。太阳能电池基片的表面处理方法包括使用水溶液蚀刻晶体硅基片而在基片表面上形成多个第一突起的第一表面处理步骤，使用第一蚀刻气体将蚀刻残留物粘附于上表面，即基片表面中的光接收表面上而形成小于第一突起的多个第二突起的第二表面处理步骤，以及移除粘附于已经过所述第二表面处理步骤的基片的上表面上的蚀刻残留物的残留物移除步骤。
太阳能电池硅基片表面处理方法制造

[发明专利]太阳能电池用结晶系硅基板的表面处理方法及太阳能电池的制造方法-CN201010284727.9有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池，更具体地涉及处理结晶系硅基板表面的太阳能电池用结晶系硅基板的表面处理方法及太阳能电池的制造方法。本发明所涉及的太阳能电池用结晶系硅基板的表面处理方法包括：将在结晶系硅锭处切片的结晶系硅基板用酸性水溶液蚀刻，在基板的外表面上形成多个第一凹凸部的第一表面处理步骤；在通过第一表面处理步骤形成了所述第一凹凸部的基板的外表面中，将要形成反射防止膜的表面进行干法蚀刻进而形成大小比所述第一凹凸部小的多个第二凹凸部的第二表面处理步骤。
太阳能电池结晶系硅基板表面处理方法制造

[发明专利]结晶系硅太阳能电池的制备方法-CN201110095827.1有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池，更具体地涉及通过结晶系硅基板来进行制备的结晶系硅太阳能电池的制备方法。该方法包括：用酸性水溶液蚀刻从结晶系硅锭处切片的结晶系硅基板，从而在基板的外表面形成多个第一凹凸部的第一表面处理步骤；对通过上述第一表面处理步骤形成了上述第一凹凸部的基板外表面的受光面进行干法蚀刻，从而形成小于上述第一凹凸部的多个第二凹凸部的第二表面处理步骤；利用等离子掺杂工艺在“上述第一表面处理步骤前”，“上述第一表面处理步骤后及上述第二表面处理步骤前”，以及“上述第二表面处理步骤后”中的至少一个时间点在上述基板表面形成半导体层的半导体层形成步骤。
结晶太阳能电池制备方法

[发明专利]太阳能电池元件的制备方法及利用该方法制备的太阳能电池元件-CN201110095871.2有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池，尤其涉及太阳能电池元件的制备方法以及利用该方法制备的太阳能电池元件。该太阳能电池元件包括：具有第一半导体特性的硅基板，其底面形成一个以上的第一半导体层及一个以上的第二半导体层；分别与第一半导体层和所述第二半导体层电连接形成的第一电极层和第二电极层；防反射膜，形成在硅基板的上表面。该制备方法包括：在所述基板的上表面形成多个第一凹凸部和第二凹凸部的凹凸部形成步骤；凹凸部形成步骤包括：第一凹凸部形成步骤，用酸性水溶液蚀刻基板，在基板的外表面形成多个述第一凹凸部；第二凹凸部形成步骤，在形成了第一凹凸部的基板上表面进行干法蚀刻，形成多个第二凹凸部。
太阳能电池元件制备方法利用

[发明专利]太阳能电池制造方法及采用该方法制造的太阳能电池-CN201110095878.4有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及用硅基板制造太阳能电池的太阳能电池制造方法及其制造的太阳能电池。该方法包括：第一凹凸部形成步骤，用酸性水溶液蚀刻从结晶系硅锭中切片的结晶系硅基板，在基板外表面上形成多个第一凹凸部；第二凹凸部形成步骤，对形成上述第一凹凸部的基板外表面中的受光面进行干法蚀刻，形成多个尺寸小于第一凹凸部的第二凹凸部；第二半导体层形成步骤，在上述基板的受光面上，形成具有与基板所具有的第一半导体特性相反的第二半导体特性的第二半导体层；防反射膜形成步骤，在第二半导体层形成步骤后，在基板的受光面上形成防反射膜；第三半导体层形成步骤，部分蚀刻防反射膜，形成浓度高于第二半导体层且具有第二半导体特性的第三半导体层。
太阳能电池制造方法采用

[发明专利]基片处理装置及为此使用的覆盖元件-CN200910207462.X有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种能够实现例如基片蚀刻的基片处理的基片处理装置及为此使用的覆盖元件。该基片处理装置包括：形成处理空间的处理腔；基片支承板，其具有下电极、且被配置为在其上直接或通过托盘装配一个或更多个基片；以及覆盖元件，其具有贯穿上、下方向的多个开口，且被配置为与该基片具有间隔地覆盖该基片，其中，该覆盖元件在其底面与该基片之间形成覆盖空间，且该覆盖元件侧面的一个或更多个部分为开放的，以使得通过该开口引入到该覆盖元件的气体以及在基片处理期间产生的副产品流向该基片支承板的侧表面。
处理装置为此使用覆盖元件

[发明专利]基片加工装置的基片交换模块及有该模块的基片加工装置-CN201010234326.2有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：公开了一种基片加工装置，尤其公开了一种能够对基片进行预定加工的基片交换模块以及具有该模块的基片加工装置。所述基片加工装置的基片交换模块与一个或多个加工模块相连接，所述加工模块被配置用于加工堆叠在托盘上的多个基片，所述基片交换模块包括：基片交换单元，其包括用于支撑装载有多个基片的托盘并上下移动该托盘，并将已加工的基片和待加工的基片进行交换的托盘上下移动单元；和托盘转移单元，其被配置用于从所述基片交换单元处接收装载有多个待加工基片的托盘并将该托盘引入加工模块内，并且其还被配置用于从加工模块收回装载有已加工基片的托盘并将该托盘转移到基片交换单元。
加工装置交换模块

[发明专利]基片处理装置及为此使用的覆盖构件-CN200910207463.4有效
发明人： 金炳埈 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种基片处理装置，更具体而言是一种能够执行诸如基片蚀刻的基片处理的基片处理装置及其覆盖构件。该基片处理装置包括：处理室，所述处理室形成用于基片处理的处理空间；基片支撑板，所述基片支撑板具有下部电极，并构造成在其上直接或者通过托盘固定一个或者多个基片；覆盖构件，所述覆盖构件具有沿向上和向下方向以贯通形式形成的多个开口，并构造成覆盖基片；以及一个或者更多个向下变形阻止构件，所述向下变形阻止构件安装在覆盖构件和基片支撑板之间，用于维持覆盖构件的底面与基片支撑板之间的距离。
处理装置为此使用覆盖构件

[发明专利]移送基板用托盘及具有该托盘的真空处理装置-CN200910206006.3有效
发明人：田荣一 -专利权人： 金炳埈
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：提供一种改善了结构的移送基板用托盘及具备该托盘的真空处理装置，能够均匀地蚀刻基板。根据本发明的移送基板用托盘，用于将多个基板移送到开设有排气孔的真空处理装置的内部，该排气孔使收容于内部的加工气体流出到外部，其包括：平板部，具有平板形状，用于放置所述多个基板；以及遮挡壁，自上述平板部向上方延伸突出，以便延长在所述基板的上侧向基板侧喷射的加工气体的滞留时间。
移送基板用托盘具有真空处理装置

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