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[发明专利]粘接片及其使用方法-CN201780007909.1有效
发明人： 金井道生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具备粘接剂层(3)和设置于粘接剂层(3)的两面的第一片材(1)及第二片材(2)的长条状粘接片(100)。该粘接片(100)在第一片材(1)俯视时的宽度方向的两端部的附近沿着上述两端部设置有第一切痕(41)，在将第一片材(1)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F1、且将第二片材(2)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F2的情况下，满足下述数学式(F1)的条件：F2＜F1···(F1)。
粘接片及其使用方法

[发明专利]粘接片及其使用方法-CN201780007910.4有效
发明人： 金井道生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：本发明提供一种粘接片(100)，其具备粘接剂层(3)和设置于粘接剂层(3)的两面的第一片材(1)及第二片材(2)，第一区域(21a)和第一区域(21a)以外的第二区域(21b)相对于粘接剂层(3)的剥离性不同，所述第一区域(21a)包含第二片材(2)俯视时相互对置的端部或该端部的附近，将第一片材(1)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F₁、将第二区域(21b)中的第二片材(2)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F₂、且将第一区域(21a)中的第二片材(2)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F₃的情况下，满足下述数学式(F1)的条件：F₂＜F₁＜F₃…(F1)。
粘接剂层第二片材第一区域剥离力第二区域剥离粘接片剥离性数学式对置俯视

[发明专利]切割片及半导体晶片的制造方法-CN201910106826.9在审
发明人：佐藤阳辅;金井道生;中西勇人 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种切割片，由厚度20～200μm的基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为中间层的23℃储存弹性率G'的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。
粘接剂层切割片中间层圆柱型电极弹性率电极晶片储存半导体晶片突起状电极等间隔地贯通电极基材表面不接触能量线硬化性基材双键粘贴破损切割硬化残留制造

[发明专利]双面有机硅粘合片及双面有机硅粘合片的制造方法-CN201780049847.0在审
发明人： 金井道生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种双面有机硅粘合片(1)的制造方法，该方法具有以下工序：在基材(11)的第一基材面(11a)涂布含有有机硅类粘合剂的第一涂敷液而形成第一粘合剂层(21)的工序；将第一剥离膜(31)层叠于第一粘合剂层(21)，得到具有抗静电性能的单面有机硅粘合片的工序；将单面有机硅粘合片卷绕成卷状的工序；将卷绕成卷状的单面有机硅粘合片送出的工序；在基材(11)的与第一基材面(11a)相反侧的第二基材面(11b)涂布含有有机硅类粘合剂的第二涂敷液而形成第二粘合剂层(22)的工序；以及，将第二剥离膜(32)层叠于第二粘合剂层(22)并卷绕成卷状的工序。
有机硅粘合片卷绕成卷基材面有机硅类粘合剂第一粘合剂层粘合剂层剥离膜涂敷液基材抗静电性能相反侧送出制造

[发明专利]切割片-CN201380025930.6有效
发明人：西田卓生;金井道生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种切割片，其涉及在切割步骤、扩展步骤及拾取步骤中的任一步骤均可减少发生异常的可能性，其是包括基材2及层积在基材2的至少一个的面上的粘着剂层3的切割片1，粘着剂层由含有丙烯酸类聚合物(A)、能量线聚合性化合物(B)及赋予粘着性树脂(C)的粘着剂组合物形成，所述赋予粘着性树脂(C)含有聚合松香酯(C1)的同时，含有不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)中的至少一种，所述粘着剂组合物所含有的所述聚合松香酯(C1)的含量，相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)，为5质量份以上，所述切割片，能量线照射前的状态下的粘着力相对于能量线照射后的状态下的粘着力之比为3以上，所述粘着力是以粘着剂层的面向所述基材侧的相反侧的露出面作为测定对象面，以半导体封装的树脂封装面作为被粘着面，按照JIS Z02372000进行180°拉剥试验所测定的。
切割

[发明专利]切割片及半导体晶片的的制造方法-CN201210433531.0在审
发明人：佐藤阳辅;金井道生;中西勇人 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种切割片，由基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为中间层的23℃储存弹性率G′的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。
切割半导体晶片制造方法

[发明专利]切割带及半导体器件的制造方法-CN200880004074.5有效
发明人： 金井道生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的目的是在包括背面磨削结束后马上在磨削面贴附切割带的流水线化工序的半导体器件的制造方法中，通过简便的方法来消除切割工序后的芯片拾取工序中的拾取不良。本发明的切割带的特征在于，将含有粘接成分和游离的含环氧基的化合物但不含环氧固化剂的粘接剂层以无法剥离的状态层叠于基材上而形成。
切割半导体器件制造方法

[发明专利]可紫外线固化压敏粘合剂组合物和可紫外线固化压敏粘合剂片-CN01122713.3有效
发明人： 金井道生;沼泽英树 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：公开一种可紫外线固化的压敏粘合剂组合物,该组合物包括可紫外线固化的压敏粘合剂组分和磷型光聚合引发剂。还公开一种通过在基材上涂布该可紫外线固化的压敏粘合剂组合物制得的可紫外线固化的压敏粘合剂片。即使在可紫外线固化的压敏粘合剂片长期与清洗水接触,该可紫外线固化的压敏粘合剂组合物仍能保持其紫外线固化性能。
紫外线固化粘合剂组合

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