专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置的源极驱动器-CN201410503392.3有效
  • 闵庚直;全炫奎;郑镛益;赵贤镐;金永福 - 硅工厂股份有限公司
  • 2014-09-26 - 2018-09-28 - G09G3/3208
  • 源极驱动器可包括传输线、放大器和偏移电压存储单元,其中,传输线被配置成传输采样与保持电路的输出信号,其中该采样与保持电路存储有机发光二极管(OLED)单元的像素信息;放大器通过传输线的寄生电容器在输入端子处形成第一偏移电压;偏移电压存储单元配置成在采样与保持电路的输出信号通过传输线的传输被关断时存储从放大器输出的第一偏移电压存储作为第二偏移电压,以及在采样与保持电路的输出信号通过传输线进行传输时通过向放大器的输入端子提供第二偏移电压来抵消第一偏移电压。
  • 显示装置驱动器
  • [发明专利]显示驱动电路以及显示装置-CN201480023687.9在审
  • 赵贤镐;罗俊皞;全炫奎;郑镛益 - 硅工厂股份有限公司
  • 2014-04-22 - 2015-12-23 - G09G3/20
  • 本发明公开了一种显示驱动电路,可包括:输出缓冲单元,包括多个输出缓冲器对,其中在所述多个输出缓冲器对中,各第一输出缓冲器具有第一电压驱动电位,各第二输出缓冲器具有第二电压驱动电位;输出开关单元,配置为将所述多个输出缓冲器对与多个输出线路对直接相连,或者将所述多个输出缓冲器对与多个输出线路对交叉并连接;以及电荷共享开关单元,配置为连接与第一输出缓冲器对应的第一输出线路,并连接与第二输出缓冲器对应的第二输出线路。通过这种配置,显示驱动电路能降低功耗和发热。
  • 显示驱动电路以及显示装置
  • [发明专利]具最小压降的供电线的半导体芯片-CN200880114587.1有效
  • 郑镛益;韩大根;金大成;罗俊皞 - 硅工厂股份有限公司
  • 2008-10-27 - 2010-09-29 - H01L23/60
  • 本发明揭示一种供电线,其中传送电源电压的金属线的电阻组件中所产生的压降会被极小化,使得提供给半导体芯片的电源电平在整个半导体芯片区域变为常数。半导体芯片包括:至少二供电极板,从半导体芯片的外部单元施加电源电压给供电极板;复数个供电主金属线,连接到供电极板的每一个;复数个供电分支金属线,从供电主金属线的每一个延伸出来,用以传送电源电压给半导体芯片内的电路;以及至少一静电放电(ESD)改良仿真极板,其中该静电放电改良仿真极板电气连接至相对应的供电主金属线与相对应的供电分支金属线,以最小化压降。
  • 最小电线半导体芯片
  • [发明专利]向量信息插入、向量信息发送以及语音数据估计方法-CN200710103937.1有效
  • 南宅俊;安秉浩;金起弘;郑镛益;李相二 - 韩国电子通信研究院
  • 2007-05-15 - 2008-05-21 - G10L21/02
  • 公开了一种插入用于估计音调再同步时间段中的语音数据的向量信息的方法、一种发送向量信息的方法以及一种使用向量信息估计音调再同步时间段中的语音数据的方法,当在单向无线通信环境中传输加密的数字语音时,所述方法可以估计与在音调再同步过程中出现的静默时间段相对应的语音数据。当为再同步构造音调再同步帧时,发射机端使用构成正弦波的语音特征在音调再同步帧中插入所发送的在前帧的语音变化方向的累积信息(即向量信息),并且发送带有插入其中的向量信息的音调再同步帧。接收机端使用在语音变化方向中的累积信息(即向量信息)以及所接收到的语音数据的坡度估计音调再同步时间段中的语音数据值,从而最小化原始语音和估计语音之间的差异。
  • 向量信息插入发送以及语音数据估计方法
  • [发明专利]静电放电保护器件及其制造方法-CN200510069725.7有效
  • 金吉浩;郑镛益 - 美格纳半导体有限会社
  • 2005-03-17 - 2005-10-05 - H01L23/60
  • 本发明涉及一种静电放电保护(ESD)器件。根据本发明的实施例,一种用于静电放电保护的器件包括:半导体衬底,在半导体衬底上的预定区中形成的多个场氧化物膜,在场氧化物膜之间的半导体衬底上的预定区中形成的栅极,在场氧化物膜之间的半导体衬底上的预定区中形成的阱增强区,在场氧化物膜和栅极之间的半导体衬底上的预定区中形成的源极,在栅极和场氧化物膜之间的半导体衬底上的预定区中形成的漏漂移区,浓度高于漏漂移区的浓度的漏有源区,漏有源区形成在漏漂移区中,以及在漏漂移区和漏有源区的边界上的半导体衬底上形成的氧化膜。因此,在器件表面上集中的电流能均匀地分布在整个器件上。
  • 静电放电保护器件及其制造方法

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