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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110349219.9有效
  • 郑有宏;李启弘;李资良 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2011-11-07 - 2012-07-18 - H01L27/092
  • 一种半导体器件，具有：基板，包括主表面；栅极叠层，包括侧壁，位于基板上方；隔离件，位于基板上方，邻接栅极叠层的侧壁，其中，隔离件包括底面，底面具有外点，外点与栅极叠层的距离最远；隔离结构，位于基板中，栅极叠层的一侧，隔离结构的外边缘最靠近隔离件；以及应变材料，位于隔离件和隔离结构之间的基板的主表面下方，包括上部和下部，上部和下部通过过渡平面间隔开，过渡平面与基板的主表面之间的夹角为锐角。本发明还涉及一种半导体器件的制造方法。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201010547530.X无效
  • 郑有宏;李启弘;李资良 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-11-12 - 2011-11-23 - H01L21/8234
  • 本发明提供一种半导体结构的形成方法，该方法包括于一半导体基板的上方形成一栅极堆叠结构；于上述半导体基板中形成一凹陷，且邻接于上述栅极堆叠结构；进行一选择性成长步骤，以于上述凹陷中成长一半导体材料，以形成一外延区；进行上述选择性成长步骤之后，对上述外延区进行一选择性回蚀刻步骤，其中使用包括用以成长上述半导体材料的一第一气体和用以蚀刻上述外延区的一第二气体的工艺气体进行上述选择性回蚀刻步骤。本发明可借由选择性回蚀刻步骤减少图案负载效应，以达到形成更均一的外延区，且改善外延区的轮廓。可减少甚至消除外延区的琢面。
  • 半导体结构形成方法
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