本发明是半导体材料检查装置以及利用其的半导体材料检查方法，公开能够测定大小比视觉检查的拍摄区域(FOV：Field of Vision)更大的大面积半导体材料的尺寸而检查半导体材料的质量的技术。半导体材料检查方法包括：拍摄图像获取步骤，针对半导体材料获取两侧边角区域各自的拍摄图像；边角点掌握步骤，在各个所述拍摄图像中检测所述半导体材料的边角点；拍摄点距离掌握步骤，掌握一个边角区域的拍摄点和另一个边角区域的拍摄点间的拍摄点距离；边长计算步骤，基于所述边角点和所述拍摄点距离来计算所述半导体材料的边长；以及半导体材料尺寸计算步骤，基于已计算的所述边长来计算所述半导体材料的尺寸。
本发明是半导体元件检查装置以及利用其的半导体元件检查方法，公开如下技术：在真空拾取器正在传送半导体元件的状态下，使所述真空拾取器不停止而保持运转(Flying)状态的同时对半导体元件获取多个拍摄图像并将获取的多个拍摄图像匹配而对半导体元件执行检查，从而能够提高装备的整体每单位时间封装体处理速度(UPH：Unit Per Hour)。
本发明作为半导体材料检查装置以及利用其的半导体材料检查方法，公开一种测定针对大小更大于视觉检查的拍摄区域(FOV：Field of Vision)的大面积半导体材料的尺寸而可以检查半导体材料的质量的技术。半导体材料检查方法包括：虚拟平面设定步骤，基于针对安放半导体材料的安放台的基准信息来设定虚拟平面；拍摄图像获取步骤，对于安放在安放台的半导体材料获取针对多个边角区域的每一个的拍摄图像；相对坐标判断步骤，在各个拍摄图像中检测半导体材料的边角点，并基于基准信息来判断针对各个边角点的虚拟平面上的相对坐标；以及材料尺寸算出步骤，基于针对各个边角点的相对坐标来算出针对半导体材料的尺寸。
