专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]智能小车的循迹方法-CN201710331637.2在审
  • 邓宏贵;赵浩浩 - 中南大学
  • 2017-05-12 - 2017-07-28 - G05D1/02
  • 本发明公开了一种智能小车的循迹方法,包括获取跑道的基本数据信息,计算跑道的边线信息,拟合跑道的中线信息,进行小车控制参数整定,保证小车行驶在跑道中线上;实时扫描跑道数据,计算跑道的直道、弯道数据信息;实时调整小车的控制参数,实现小车的快速稳定行驶。本发明公开的这种智能小车的循迹方法,通过对赛道的基础信息进行获取、识别和记忆,从而能够在进行多圈赛道比赛时能够在完成记忆后的下一圈快速进行赛道识别并根据赛道的识别情况实时调整小车的控制参数,从而保证小车能够快速稳定的通过赛道,从而实现了小车的快速进行循迹和自动行驶,而且车辆稳定度高,运行速度快。
  • 智能小车方法
  • [发明专利]一种降低VLC-OFDM系统峰均功率比的PTS优化技术-CN201610018841.4在审
  • 邓宏贵;肖威;钱学文 - 中南大学
  • 2016-01-13 - 2017-07-21 - H04L27/26
  • 本发明提出了一种PTS优化技术(SFLAPFA-PTS)来降低VLC-OFDM系统峰均功率比(PAPR)。包括以下步骤S1、将数据进行IFFT处理;S2、采用SFLAPFA-PTS技术对数据进行处理;S3、处理过的数据通过白光LED发射出去;S4、通过光电探测器接收数据信号,然后进行解SFLAPFA-PTS操作;S5、对数据进行FFT处理,并解调输出。本发明将基于蛙跳算法的PTS技术(SFLA-PTS)与峰值反馈算法(PFA)结合,提高了SFLA-PTS技术的局部寻优能力。相比较传统的PTS技术而言,本发明大大的降低了计算复杂度。同时,与SFLA-PTS技术相比较,本发明在计算量增加可忽略不计的情况下,能更有效地降低VLC-OFDM系统的PAPR。
  • 一种降低vlcofdm系统功率pts优化技术
  • [发明专利]一种基于零自相关码对的可见光通信同步算法-CN201510792752.0在审
  • 钱学文;邓宏贵;王日初 - 中南大学;中南大学深圳研究院
  • 2015-11-18 - 2017-05-24 - H04L27/26
  • 本发明涉及可见光通信技术领域,提出了一种基于零自相关码对的可见光通信系统定时同步与频偏估计算法,包括以下步骤S1、在数据发送端将设定参数映射成零自相关码对,将得到的零自相关码对按照设定的结构组合成同步符号,选择截断算法或者u律压扩,降低同步符号的峰均功率比,发射机发射压缩后的同步符号数据;S2、对接收得到的原始数据使用新型定时度量方法计算,与动态阈值相比,得到定时时刻并计算小数频偏值;S3、对接收数据进行小数频偏补偿,对补偿后的数据使用整数频偏估计算法计算,得到整数频偏值。本发明与基于零自相关码的同步算法相比,具有更高的定时成功率以及更低频偏估计误差,并且本发明的同步符号峰均功率比更低,可以适用于对峰均功率比要求高的场合。
  • 一种基于相关可见光通信同步算法
  • [发明专利]一种低计算量部分置换序列法降低OFDM系统的PAPR-CN201510607700.1在审
  • 邓宏贵;李永陆;钱学文 - 中南大学
  • 2015-09-23 - 2017-03-29 - H04L27/26
  • 本发明属无线通信技术领域,提出一种低计算量部分置换序列法降低OFDM系统PAPR,含以下步骤S1、输入数据调制映射后并行化,单个符号数据分割成V块,并对每块置换后再作IFFT处理;S2、峰值反馈阈值法处理数据,选择最优置换组合序列下的信号,经并串转换放大输出后发送信号;S3、对接收到的时域信号经模数变换、串并转换、快速傅里叶变换转换到频域,再根据边带信息,对每个符号进行数据分割以及相应的逆置换处理还原信号,最后经并串变换后,解调输出。该方案有效地降低了OFDM系统的峰均功率比,而且不会降低系统的误码率。
  • 一种计算部分置换序列降低ofdm系统papr
  • [发明专利]一种通用零自相关码的新型定时同步与频偏估计算法-CN201510608045.1在审
  • 邓宏贵;钱学文;张朝阳 - 中南大学
  • 2015-09-23 - 2017-03-29 - H04L27/26
  • 本发明涉及通信技术领域,提出了一种通用零自相关码的新型定时同步与频偏估计方案,提高系统定时和频偏估计性能。包括以下步骤S1、在数据发送端将设定参数映射零自相关码,将所得零自相关码按照设定的结构组合成同步符号,发射机发射同步符号数据;S2、对接收得到的原始数据使用新型定时度量方法计算,与动态阈值相比,得到定时时刻并计算小数频偏值;S3、对接收数据补偿后,通过整数频偏估计方法得到整数频偏。本发明与基于CAZAC的同步算法相比,本发明具有更高的定时成功率以及更低频偏估计误差,并且本发明的同步符号可以变化,可操作性更强。
  • 一种通用相关新型定时同步估计算法
  • [发明专利]一种基于哈特莱变换降低光OFDM系统PAPR的U率压扩方法-CN201510294560.7在审
  • 邓宏贵;姜山;肖威 - 中南大学
  • 2015-06-02 - 2017-01-04 - H04L27/26
  • 本发明涉及无线通信技术领域,提出了一种基于哈特莱变换的光OFDM融合u率变换压缩扩展技术降低系统PAPR的方法,包括以下步骤:S1、在数据发送端将串行数据并行化,将并行数据进行快速哈特莱逆变换处理,再经并串变换,并添加循环前缀;S2、对S1的数据进行U率压扩,再经数模转换;S3、对数模转换后的数据经过短距离IM/DD系统进行发送;S4、对接收到的数据进行模数转换,并进行解压扩,再经串并转换;S5、S4得到的数据,进行快速哈特莱变换,再经过并串变换后,解调输出。本方案在不降低误码率性能的情况下,能够更有效的降低峰均功率比,提高光OFDM系统的性能。
  • 一种基于哈特莱变换降低ofdm系统papr率压扩方法
  • [发明专利]融合遗传和爬山算法降低VLC-OFDM系统峰均功率比-CN201510168538.8在审
  • 邓宏贵;肖威;蒋芳清;李永陆;姜山 - 中南大学
  • 2015-04-13 - 2016-11-23 - H04L27/26
  • 本发明涉及通信技术领域,提出了一种基于遗传和爬山结合算法的PTS技术(GH-PTS)以降低VLC-OFDM系统峰均功率比(PAPR)。包括以下步骤:S1、在发送端将串行数据并行化,然后进行IFFT处理;S2、采用GH-PTS技术处理数据;S3、把处理过的数据通过LED灯发射;S4、数据进行解GH-PTS操作;S5、对数据进行FFT处理,并解调输出。本发明将基于遗传算法的PTS技术(GA-PTS)与爬山算法结合,提高了GA-PTS技术的局部寻优能力。与传统PTS技术相比,本发明拥有计算复杂度低的优势。与GA-PTS技术比较,本发明能在VLC-OFDM系统BER性能几乎不变的情况下,更有效的降低VLC-OFDM系统的PAPR。
  • 融合遗传爬山算法降低vlcofdm系统功率
  • [发明专利]一种用于螺线管激励的数控脉冲电源系统-CN201510168539.2在审
  • 邓宏贵;杜捷 - 中南大学
  • 2015-04-13 - 2016-11-23 - H02M9/04
  • 本发明公开了一种数控螺线管脉冲激励电源系统设计,涉及电源,尤其涉及但不仅仅涉及物理实验用螺线管激励脉冲电源系统。该系统由电容阵列充放电控制电路、高压电容阵列、IGBT及驱动电路、瞬态电流测量电路、负载螺线圈以及开关电源模块组成。使用ADuCM360单片机作为主控芯片,控制反激升压型开关电源对电容阵列进行充电,同时对充电状况进行采集和数字反馈,并对IGBT电路施加控制。通过对高压电容阵列的可控终点的升压充电,并通过IGBT接通高压电容阵列与负载螺线圈形成二阶震荡电路,实现对负载螺线圈的可控峰值的脉冲电流激励。使用液晶显示屏和按键开关实现人机接口,通过内置的算法由目标脉冲电流峰值反推出电容阵列的充电中点电压,实现脉冲电流峰值的数控可调。
  • 一种用于螺线管激励数控脉冲电源系统
  • [发明专利]通过喷射沉积与近熔点压制致密化制备高硅铝合金电子封装材料的方法-CN201510048227.8在审
  • 王日初;邓宏贵;刘继嘉 - 中南大学
  • 2015-01-30 - 2016-10-05 - C22C1/00
  • 本发明设计一种通过喷射沉积与近熔点压制致密化制备高硅铝合金电子封装材料的方法,其主要步骤为:先将硅铝材料按比例配料,其中硅原料的质量百分比为30%~50%,其余为工业纯铝;将混合后的材料放入中频感应炉内加热、搅拌,并进行覆盖造渣与除气处理,采用喷射沉积将金属熔液制成坯体;对坯体进行预处理;对预处理后的合金材料进行近熔点压制致密化处理,脱模水冷后即得到性能优异的高硅铝合金电子封装材料。本发明突出采用通过喷射沉积与近熔点压制致密化方法制备高硅铝合金,工艺简单、设备要求较低、能耗小,所制得合金材料力学性能、热膨胀系数、热导率、气密性都达到了电子封装材料的使用要求,综合性能优异,完全适用于现代电子封装领域。
  • 通过喷射沉积熔点压制致密制备铝合金电子封装材料方法

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