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[发明专利]一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法-CN201210122944.7无效
发明人：张超;付桂翠;谷瀚天;张栋 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法，该方法有六大步骤：步骤1：建立能够反映GaAs FET物理结构的等效电路图；步骤2：确定等效电路模型元件与物理结构的关系；步骤3：研究确定模型元件受温度影响的物理机制；步骤4：建立模型元件与温度之间的函数关系；步骤5：GaAs FET等效电路模型在微波EDA软件中的实现；步骤6：模拟GaAs FET关键性能参数随温度的变化关系。本发明能够仿真砷化镓场效应管性能参数与其物理结构之间的关系，能够预测温度对砷化镓场效应管性能参数的影响，方便器件设计人员进行结构设计和工艺参数优化。它在微电子技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。
一种砷化镓场效应温度影响模型建立方法

[发明专利]一种基于田口方法的散热器优化设计方法-CN201210122606.3无效
发明人：李楠;付桂翠;谷瀚天;张栋 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种基于田口方法的散热器优化设计方法，该方法有六大步骤：步骤一：选择可控因素和噪声因素；步骤二：设计实验方案；步骤三：进行实验；步骤四：实验结果分析；步骤五：对实验结果实施田口预测法；步骤六：实验最终确认最优设计。本发明采用仿真与田口参数设计相结合的方法，通过对散热器的相关参数进行实验设计，然后借助仿真手段对散热效果(功率器件壳温)以及散热器质量进行模拟，通过对仿真结果的分析从而优化散热器参数，寻求散热器参数的最优组合。它在航空电子产品可靠性工程技术领域里具有实用价值。
一种基于方法散热器优化设计

[发明专利]一种固态自毁硬盘功能验证及数据残留检测方法-CN201210034458.X无效
发明人：王香芬;付桂翠;姚金勇;张栋;谷瀚天 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：一种固态自毁硬盘功能验证及数据残留检测方法，它有七大步骤：步骤一：分析固态自毁硬盘功能及结构，确定FLASH存储器的型号和数目、升压电路输出的高压具体值、继电器阵列信息；步骤二：写入特征“检测指纹”；步骤三：软自毁控制功能验证；步骤四：软自毁后“检测指纹”数据恢复；步骤五：软自毁数据残留特性检测；步骤六：硬自毁控制功能验证；步骤七：硬自毁数据残留特性检测。本发明针对自毁硬盘控制器和固态硬盘的原理和功能，提出了对硬盘自毁控制器进行自毁功能符合性验证和固态硬盘数据残留特性检测相结合的完整验证方法。该方法执行容易，检测效果好，在航空航天等保密性领域里有实用价值和广阔的应用前景。
一种固态自毁硬盘功能验证数据残留检测方法