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[发明专利]一种非挥发性存储器-CN201010149964.4无效
发明人： 谢文妞 -专利权人： 谢文妞
申请日： 2010-04-19 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种非挥发性存储器，属于微电子器件及存储器技术领域。所述非挥发性存储器采用介电常数可调的材料替代或者部分替代MOS晶体管中的栅介质氧化层，从而可以改变器件的输出特性，实现数据存储。本发明的非挥发性存储器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统CMOS工艺兼容的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。
一种挥发性存储器

[发明专利]一种增强光学掩模分辨率及制造高分辨率光学掩模的方法-CN201010145304.9无效
发明人：龙世兵;刘明;陈宝钦;谢常青;李友;李新涛;张建宏;张卫红;王冠亚;谢文妞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强光学掩模分辨率的方法，在普通光学掩模的某些特定透光区域减少一层透明介质层，光波透过这层特殊介质的相位恰好与相邻透光区的透射光的相位相反，这两个区域的光，由原来的相加干涉变为了相消干涉，从而提高了光学掩模的分辨率。本发明同时公开了一种制造高分辨率光学掩模的方法，包括：在熔石英基片铬板上涂覆正性抗蚀剂，采用电子束直写光刻系统曝光出180°相位调节器图形，采用湿法腐蚀去除没有被抗蚀剂掩蔽的铬膜并去胶，采用刻蚀出与相当于曝光波长厚度的相位调节器图形，重新涂覆正性抗蚀剂，再次通过电子束直写光刻曝光出0°相位的图形区域并显影，采用湿法腐蚀去铬膜，去胶，制成分辨率增强光学掩模。
一种增强光学分辨率制造高分辨率方法