“谌泽林”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种绝缘层、阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510429076.0有效
发明人： 谌泽林;杨晓峰;欧飞;王丹名 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘层、阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的栅绝缘层上过孔侧壁不平滑，过孔顶部凸起容易导致材料在过孔的接触特性差的问题。一种绝缘层，所述绝缘层上经过一次刻蚀形成有过孔，所述绝缘层包括：形成在衬底基板上的第一子层以及位于所述第一子层上、且与所述第一子层接触的第二子层；其中，所述第一子层的致密度大于所述第二子层的致密度；所述过孔在对应所述第一子层和所述第二子层的同一位置处，贯穿所述第一子层和所述第二子层。适用于显示用基板的制作。
一种绝缘阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法-CN201710380536.4有效
发明人： 谌泽林;杨晓峰;刘学光;柴铭志;杨钟;吕建伟;蒋凯;陈时洪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种刻蚀方法和阵列基板制作方法。该刻蚀方法应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，包括：在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层的初始厚度；在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。本申请提供的方案，可以提升产能和良率。
一种刻蚀方法以及阵列制作方法

[发明专利]等离子刻蚀机-CN201510657768.0有效
发明人：欧飞;杨晓峰;谌泽林;刘学光;万稳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子刻蚀机，属于半导体制造技术领域。该等离子刻蚀机包括反应腔室，所述反应腔室内设置有离子产生电极，所述离子产生电极上方设置有支撑框以支撑待加工工件，所述支撑框开设有安装孔，所述离子产生电极在对应着所述安装孔的区域开设有螺纹孔，所述安装孔和所述螺纹孔通过螺钉连接，所述螺钉的轴向、且位于所述螺钉的上方设置有密封单元，所述密封单元用于密封所述安装孔。该等离子刻蚀机可以长期有效地阻挡支撑框上方的等离子体进入到离子产生电极的螺纹孔内，避免等离子体损伤离子产生电极。
等离子刻蚀

[实用新型]一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备-CN201720961352.2有效
发明人：蒋凯;杨晓峰;柴铭志;陈时洪;杨钟;谌泽林 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种导流板、干刻设备的下部电极组件以及干刻设备，涉及显示器件的制备技术领域，能够解决现有技术中由于流过待刻蚀基板上各个位置处的等离子体气流速率不同，导致待刻蚀基板上各处的刻蚀速率均一性较差的问题。在导流板上设置有镂空区域，用于使气流由镂空区域通过导流板，导流板上的气流通过率由中心向两侧逐渐增大。
一种导流设备下部电极组件以及

[发明专利]用于刻蚀设备的压力保护系统和压力保护方法-CN201410676259.8有效
发明人：欧飞;倪水滨;赵吾阳;谌泽林 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G05D16/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于刻蚀设备的压力保护系统和压力保护方法，所述刻蚀设备包括反应腔、气柜，压力保护系统包括压力传感器、设备主机、压力控制器。压力控制器与压力传感器、设备主机、气柜均相连，压力控制器能够接收压力传感器测得的气压数据并传送给设备主机，设备主机用于判断气压数据是否在预定范围内，并根据判断结果控制气柜是否继续向反应腔内供气。压力控制器能够判断设备主机是否死机，当压力控制器判定设备主机死机时，压力控制器能够判断气压数据是否在预定范围内，并根据判断结果控制气柜是否继续向反应腔内供气。本发明能够避免设备主机死机后反应腔内气压持续增大而导致的特气泄漏，从而避免了由此造成的安全事故。
用于刻蚀设备压力保护系统方法

[发明专利]一种膜层的干法刻蚀方法-CN201410084219.4有效
发明人： 谌泽林;赵吾阳;倪水滨;欧飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种膜层的干法刻蚀方法，包括以下步骤：S1混合刻蚀反应气体和PR灰化气体，形成反应气体；S2对膜层进行刻蚀，同时对膜层上的PR胶进行灰化处理，直至暴露出的膜层被刻蚀完毕；S3除去剩下的PR胶后，膜层的两端形成斜面。本发明适用于大部分控制线、过孔等干法刻蚀，能控制膜层坡度角大小，通过选择可选的方案获得需要的坡度角，解决膜层顶部的突起，膜层底部钻刻，防止后续膜层的断裂，解决了由于膜层断裂引起的腐蚀和短路等问题。
一种刻蚀方法

[实用新型]一种支撑针及等离子刻蚀设备-CN201320366569.0有效
发明人：赵吾阳;谌泽林;倪水滨;欧飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种支撑针及等离子刻蚀设备，涉及顶针结构，为能避免造成刻蚀工艺不良，以及避免支撑针发生断裂而设计。所述支撑针及等离子刻蚀设备包括支撑体和金属底座；所述支撑体的与被支撑物接触的一端的表面为凸弧面。本实用新型主要用于干法刻蚀工艺中。
一种支撑等离子刻蚀设备