专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种光学镀膜超低反射率的拟合方法-CN202310161100.1在审
  • 张晓光;蒋晨龙;褚昆昆;屈小妮 - 河南仕佳光子科技股份有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-05-30 - G01N21/55
  • 本发明提出了一种光学镀膜超低反射率的拟合方法,用以解决光学镀膜超低反射率测量误差大的技术问题。本发明的步骤为:对两端未镀膜的FP激光器芯片的波导的有效折射率进行模拟、计算,得到未镀膜的FP激光器芯片与空气的反射率;对两端未镀膜的FP激光器芯片进行P‑I测试,得到阈值电流;对两端未镀膜的FP激光器芯片的一端进行超低光学镀膜,得到一端镀膜的激光器芯片;根据阈值电流对一端镀膜的激光器芯片施加不同的电流值并测试相应的光谱曲线;利用不同电流值下的光谱曲线,根据反射率拟合得到超低光学镀膜的反射率。本发明可以准确的估算光学镀膜的超低反射率,对SLD、SOA产品优化提供决定性作用。
  • 一种光学镀膜反射率拟合方法
  • [发明专利]一种超辐射发光二极管-CN202310157684.5在审
  • 徐林海;刘耀;褚昆昆;王欢 - 河南仕佳光子科技股份有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-05-09 - H01L33/58
  • 本发明提出了一种超辐射发光二极管,属于发光二极管的技术领域,用于解决超辐射发光二极管对腔面反射敏感易产生光谱纹波的技术问题。本发明超辐射发光二极管包括衬底,衬底正面生长有外延材料,所述外延材料的上表面设有波导结构,所述波导结构包括首尾相连的短弯曲波导吸收区、直波导发光区和长弯曲波导吸收区,长弯曲波导吸收区的长度大于短弯曲波导吸收区的长度,所述长弯曲波导吸收区位于前腔面的一端,短弯曲波导吸收区位于后腔面的一端,长弯曲波导吸收区前端面为出光面,所述直波导发光区上设有电极,形成注电发光区。本发明制备的SLD具有高功率、宽光谱、低光谱纹波的性能输出。
  • 一种辐射发光二极管
  • [发明专利]一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法-CN202210397678.2在审
  • 高子凡;李志锋;褚昆昆;张文超;赵培栋 - 河南仕佳光子科技股份有限公司
  • 2022-04-15 - 2022-07-22 - G01B15/02
  • 本发明提出了一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法,用以解决测量外延生长膜层厚度的误差较大的技术问题,包括以下步骤:将外延生长后的InP基晶圆使用光刻手段在晶圆表面涂胶并显影,使晶圆表面出现图形;利用低温ICPCVD技术在显影后的晶圆表面生长氧化硅掩膜,制备得到生长有氧化硅掩膜的晶圆;将晶圆浸泡在正胶剥离液中,得到胶膜剥离的晶圆;利用湿法腐蚀工艺对胶膜剥离的晶圆表面进行腐蚀;再次利用湿法腐蚀工艺对腐蚀后的晶圆表面进行腐蚀;腐蚀后的晶圆使用探针扫描式测量工具进行测量。本发明通过表面刻蚀的方法,能够通过实用精度更高的探针扫描式测量工具对外延层厚度对其测量,精确度可达0.1nm。
  • 一种精确测量inp激光器顶层厚度方法

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