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[发明专利]具有牺牲层的PERC–联太阳能电池-CN202280017139.X在审
发明人：约翰·安克;兰伯特·约翰·吉尔利格斯 -专利权人： 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：一种用于制造包括硅基底部太阳能电池(2)和薄膜顶部太阳能电池(11)的双端或三端串联太阳能电池的方法；该方法包括：设置具有前表面和后表面的硅衬底(3)；执行一系列步骤，包括：在前表面上生成载流子提取层堆叠部(16)，载流子提取层叠层(16)至少包括在衬底的前表面上或衬底的前表面中形成的载流子提取层(8)；在后表面上生成钝化涂层，包括沉积第一AlOx层(9)；在前表面上的载流子提取层堆叠部上生成包括第二AlOx层(6)的牺牲层堆叠部；在后表面上生成金属基电基础部(7)，包括退火步骤；从载流子提取叠层中去除牺牲层堆叠部，并在载流子提取层堆叠部上生成薄膜顶部太阳能电池。
具有牺牲 perc 太阳能电池

[发明专利]混合串联太阳能电池-CN202211514134.6在审
发明人：兰伯特·约翰·吉林斯;吴宇;张栋;约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦;斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡;齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉 -专利权人： 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面，其中，相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212)，光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上，设置有钝化层堆栈(236)，钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。
混合串联太阳能电池

[发明专利]混合串联太阳能电池-CN202211514220.7在审
发明人：兰伯特·约翰·吉林斯;吴宇;张栋;约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦;斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡;齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉 -专利权人： 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面，其中，相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212)，光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上，设置有钝化层堆栈(236)，钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。
混合串联太阳能电池

[发明专利]具有钝化接触的光伏电池-CN201780072786.X有效
发明人：马切伊·克日什托夫·斯杜德林;兰伯特·约翰·吉林斯;艾弗特·尤金·本德;约翰·安克 -专利权人： 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种半导体衬底(1)，具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面。存在第一类型的钝化层(5)，以用于在半导体衬底(1)的第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触。半导体衬底(1)的有源区(2)与第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)。半导体衬底(1)的有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中提供有第一导电类型的掺杂。有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。
具有钝化接触电池

[发明专利]钝化发射极和后接触太阳能电池-CN201780048727.9有效
发明人：约翰·安克;艾弗特·尤金·本德;兰伯特·约翰·吉林斯;马切伊·克日什托夫·斯杜德林 -专利权人： 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池和制造太阳能电池的方法。该太阳能电池具有硅基板(2)和设置在硅基板(2)的基板侧部(2a)上的层(4)。太阳能电池还具有接触结构(6)，该接触结构(6)从太阳能电池(1)的电池侧部(1a)穿过层(4)延伸至硅基板(2)。层(4)由多晶硅层(8)和隧道氧化层(10)组成，其中，隧道氧化层(10)插入在多晶硅层(8)与硅基板(2)之间。
钝化发射极接触太阳能电池

[发明专利]混合串联太阳能电池-CN201680080717.9有效
发明人：兰伯特·约翰·吉林斯;吴宇;张栋;约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦;斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡;齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉 -专利权人： 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面，其中，相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212)，光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上，设置有钝化层堆栈(236)，钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。
混合串联太阳能电池